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半绝缘4H-SiC光导开关研究

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半绝缘4H-SiC光导开关研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-26页
  1.1 光导开关的研究背景第16-17页
  1.2 光导开关研究现状第17-25页
    1.2.1 光导开关的发展第17-19页
    1.2.2 SiC光导开关国外研究现状第19-24页
    1.2.3 SiC光导开关国内研究现状第24-25页
  1.3 本文主要研究工作和章节安排第25-26页
第二章 光导开关工作原理第26-40页
  2.1 半导体材料的光学特性第26-35页
    2.1.1 光与半导体相互作用简要介绍第26-29页
    2.1.2 本征光吸收第29-30页
    2.1.3 非本征光学吸收第30-31页
    2.1.4 电导率的计算第31-35页
  2.2 光导开关材料对比第35-37页
  2.3 光导开关的几种结构第37-38页
  2.4 本章小结第38-40页
第三章 光导开关的设计与制备第40-48页
  3.1 光导开关的模拟第40-41页
  3.2 4H-SiC光导开关的制备第41-46页
  3.3 欧姆接触电阻率的测量第46-47页
  3.4 本章小结第47-48页
第四章 光导开关的测试第48-64页
  4.1 测试的基本原理第48-50页
    4.1.1 暗态特性测试第48页
    4.1.2 光导开关导通特性的测量第48-50页
  4.2 测试平台介绍第50-55页
  4.3 测试结果及分析第55-63页
    4.3.1 测量结果第55-58页
    4.3.2 深能级参与的非本征激发第58-60页
    4.3.3 光导开关内部电容的变化第60-63页
  4.4 本章小结第63-64页
第五章 总结与展望第64-66页
  5.1 总结第64页
  5.2 展望第64-66页
参考文献第66-70页
致谢第70-72页
作者简介第72-73页

本篇论文共73页,点击这进入下载页面
 
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