教育论文网

基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEMT器件特性研究
硕士博士毕业论文站内搜索    
分类：教育论文网→工业技术论文→无线电电子学、电信技术论文→半导体技术论文→场效应器件论文
基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEMT器件特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
符号对照表第10-11页
缩略语对照表第11-14页
第一章 引言第14-20页
　　1.1 研究背景与意义第14-16页
　　1.2 国内外研究状况第16-19页
　　1.3 本文的主要工作及结构安排第19-20页
第二章 AlGaN/GaN HEMT器件基本原理第20-30页
　　2.1 AlGaN/GaN HEMT基本结构第20-21页
　　2.2 极化效应第21-23页
　　2.3 二维电子气第23-25页
　　2.4 AlGaN/GaN HEMT工作机理第25-28页
　　2.5 本章小结第28-30页
第三章 AlGaN/GaN HEMT耐压技术与仿真技术第30-42页
　　3.1 AlGaN/GaN HEMT击穿机理第30-31页
　　3.2 AlGaN/GaN HEMT耐压技术第31-36页
　　　　3.2.1 平坦沟道电场技术第31-33页
　　　　3.2.2 减小缓冲层泄漏电流技术第33-35页
　　　　3.2.3 其他技术第35-36页
　　3.3 仿真软件概述第36-37页
　　3.4 AlGaN/GaN HEMT仿真模型第37-41页
　　　　3.4.1 基本方程第37-38页
　　　　3.4.2 迁移率模型第38-39页
　　　　3.4.3 载流子产生-复合模型第39-40页
　　　　3.4.4 极化模型第40-41页
　　3.5 本章小结第41-42页
第四章 带有场板结构的AlGaN/GaN HEMT第42-54页
　　4.1 场板提高击穿电压的机理分析第42-44页
　　4.2 阶梯场板对电场分布的影响第44-47页
　　4.3 阶梯场板几何参数的优化第47-50页
　　　　4.3.1 场板长度的优化第47-48页
　　　　4.3.2 阶梯高度的优化第48-49页
　　　　4.3.3 阶梯场板优化结果与总结第49-50页
　　4.4 复合浮空场板对器件击穿电压的影响第50-53页
　　4.5 本章小结第53-54页
第五章 带有LDD结构的AlGaN/GaN HEMT第54-66页
　　5.1 器件结构第54-55页
　　5.2 LDD结构对阈值电压的影响第55-56页
　　5.3 LDD结构对击穿电压的影响第56-62页
　　　　5.3.1 LDD结构对沟道层中电场分布的影响第56-58页
　　　　5.3.2 氟离子区浓度的优化第58-60页
　　　　5.3.3 氟离子区长度的优化第60-62页
　　5.4 漏端引入氢离子掺杂的LDD-HEMT第62-64页
　　5.5 本章小结第64-66页
第六章 总结与展望第66-68页
参考文献第68-74页
致谢第74-76页
作者简介第76-77页

本篇论文共77页，点击这进入下载页面。
 
更多论文
基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEM
团队挑战性和阻碍性压力对团队创造
非共振等离子体波THz器件响应研究
薄势垒F注入AlGaN/GaN HEMT器件特性
NMOS器件热载流子效应研究
凹槽栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性
新型低压LDMOS结构设计与仿真
基于应力调控的硅基氮化镓材料和器
GaN基Ka波段HEMT器件及MMIC功率放大
GaN基HEMT器件的变温特性研究
GaN基增强型HEMT器件及E/D模电路研
AlGaN/GaN HEMT建模与电路设计
表面处理对AlGaN/GaN HEMT器件电学
X波段GaN MMIC功率放大器设计
增强型双异质结器件特性研究
透明栅AlGaN/GaN HEMT器件退火及光
新型沟槽LDMOS和N型覆盖层超结LDMO
高介电常数叠栅介质的淀积工艺与特
隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿
新型AlGaN基电力电子器件研究
非极性面AlGaN/GaN异质结各向异性迁
具有新型栅结构的4H-SiC MESFETs设
针对缓冲层改进的4H-SiC MESFETs新
基于FinFET SRAM单粒子效应仿真研究
InAlGaN/AlGaN复合势垒层的GaN异质
膦酸自组装层（SAMs）在n型有机场效
便携式线阵CCD综合测量仪的设计与实
延伸摩尔定律——基于GeSn的高性能
TFET单元库设计技术研究
一种低导通电阻60V Trench MOSFET的
基于横向可变降低表面电场技术的新
功率MOSFET的开关动态过程建模和优
基于场效应管串并联拓扑结构的高压
BaTiO3基无铅PTC热敏电
高温NTC热敏电阻的研究
基于TSV的铜柱应力分析及结构优化
基于液态金属的微通道高效换热研究
光TSV损耗特性与耦合特性的研究
基于smic 55nm eflash工艺应用于si
55nm CMOS金属硬质掩模铜互连技术中
0.13um CMOS逻辑器件的90%微缩及其
容错可重构阵列及应用研究
高性能芯片时钟树的物理设计与实现
A型漏电保护器专用控制芯片的优化设
基于数据路径延迟多样性的集成电路
短距离无线数传基带芯片后端设计
基于OC8051芯片处理器的3D IC布局布
集成电路静电保护网络及器件特性研
一款低功耗蓝牙SoC的设计与验证
用于JESD204B接口的CMOS锁相环电路
HINOC2.0 QOS优化设计及芯片级功能
 
AlGaN/GaN HEMT论文 击穿电压论文 场板 LDD论文
版权申明：目录由用户力帆8**提供，www.51papers.com仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录请点击这里。
| 设为首页||加入收藏||站内搜索引擎||站点地图||在线购卡|
版权所有 教育论文网 Copyright(C) All Rights Reserved