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一种用于逆变模块的快恢复二极管设计
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一种用于逆变模块的快恢复二极管设计
论文目录
摘要
第1-6页
abstract
第6-9页
第一章 绪论
第9-14页
1.1 引言
第9-12页
1.2 快恢复二极管国内外研究现状
第12-13页
1.3 本文的主要工作
第13-14页
第二章 快恢复二极管理论
第14-34页
2.1 快恢复二极管静态特性
第14-19页
2.1.1 反向击穿电压
第14-16页
2.1.2 正向导通压降
第16-19页
2.2 快恢复二极管的动态特性
第19-26页
2.2.1 快恢复二极管的开通特性
第19-20页
2.2.2 快恢复二极管的反向恢复特性
第20-26页
2.3 寿命控制技术
第26-29页
2.3.1 深能级杂质扩散
第27-28页
2.3.2 高能粒子轰击
第28-29页
2.4 阳极注入效率控制技术
第29-33页
2.4.1 CIC二极管
第29-30页
2.4.2 SSD二极管
第30-31页
2.4.3 SPEED二极管
第31-32页
2.4.4 MPS二极管
第32-33页
2.5 基区阶梯掺杂技术
第33页
2.6 本章小结
第33-34页
第三章 快恢复二极管元胞设计
第34-63页
3.1 元胞结构设计
第34-35页
3.2 工艺流程设计
第35-37页
3.2.1 外延工艺
第36页
3.2.2 氧化工艺
第36-37页
3.2.3 铂溅射和扩散工艺
第37页
3.3 元胞参数设计
第37-56页
3.3.1 外延参数设计
第37-42页
3.3.2 金属槽参数设计
第42-45页
3.3.3 Pbody参数设计
第45-51页
3.3.4 Psd参数设计
第51-53页
3.3.5 载流子寿命设计
第53-56页
3.4 元胞静态特性总结
第56-58页
3.4.1 反向击穿特性
第56-57页
3.4.2 正向导通特性
第57-58页
3.5 反向恢复特性总结与对比
第58-62页
3.5.1 无寄生电感反向恢复特性
第58-60页
3.5.2 低寄生电感反向恢复特性
第60-61页
3.5.3 高寄生电感反向恢复特性
第61-62页
3.6 本章小结
第62-63页
第四章 快恢复二极管终端设计与版图设计
第63-72页
4.1 结终端选型
第63-65页
4.1.1 场限环技术
第63-64页
4.1.2 场板技术
第64页
4.1.3 场板加场限环技术
第64-65页
4.2 终端工艺设计
第65页
4.3 终端结构设计
第65-68页
4.4 快恢复二极管版图设计
第68-70页
4.5 工艺总结
第70-71页
4.6 本章小结
第71-72页
第五章 结论
第72-73页
致谢
第73-74页
参考文献
第74-76页
攻读硕士期间取得的成果
第76-77页
本篇论文共
77
页,
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