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一种用于逆变模块的快恢复二极管设计

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一种用于逆变模块的快恢复二极管设计
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-9页
第一章 绪论第9-14页
  1.1 引言第9-12页
  1.2 快恢复二极管国内外研究现状第12-13页
  1.3 本文的主要工作第13-14页
第二章 快恢复二极管理论第14-34页
  2.1 快恢复二极管静态特性第14-19页
    2.1.1 反向击穿电压第14-16页
    2.1.2 正向导通压降第16-19页
  2.2 快恢复二极管的动态特性第19-26页
    2.2.1 快恢复二极管的开通特性第19-20页
    2.2.2 快恢复二极管的反向恢复特性第20-26页
  2.3 寿命控制技术第26-29页
    2.3.1 深能级杂质扩散第27-28页
    2.3.2 高能粒子轰击第28-29页
  2.4 阳极注入效率控制技术第29-33页
    2.4.1 CIC二极管第29-30页
    2.4.2 SSD二极管第30-31页
    2.4.3 SPEED二极管第31-32页
    2.4.4 MPS二极管第32-33页
  2.5 基区阶梯掺杂技术第33页
  2.6 本章小结第33-34页
第三章 快恢复二极管元胞设计第34-63页
  3.1 元胞结构设计第34-35页
  3.2 工艺流程设计第35-37页
    3.2.1 外延工艺第36页
    3.2.2 氧化工艺第36-37页
    3.2.3 铂溅射和扩散工艺第37页
  3.3 元胞参数设计第37-56页
    3.3.1 外延参数设计第37-42页
    3.3.2 金属槽参数设计第42-45页
    3.3.3 Pbody参数设计第45-51页
    3.3.4 Psd参数设计第51-53页
    3.3.5 载流子寿命设计第53-56页
  3.4 元胞静态特性总结第56-58页
    3.4.1 反向击穿特性第56-57页
    3.4.2 正向导通特性第57-58页
  3.5 反向恢复特性总结与对比第58-62页
    3.5.1 无寄生电感反向恢复特性第58-60页
    3.5.2 低寄生电感反向恢复特性第60-61页
    3.5.3 高寄生电感反向恢复特性第61-62页
  3.6 本章小结第62-63页
第四章 快恢复二极管终端设计与版图设计第63-72页
  4.1 结终端选型第63-65页
    4.1.1 场限环技术第63-64页
    4.1.2 场板技术第64页
    4.1.3 场板加场限环技术第64-65页
  4.2 终端工艺设计第65页
  4.3 终端结构设计第65-68页
  4.4 快恢复二极管版图设计第68-70页
  4.5 工艺总结第70-71页
  4.6 本章小结第71-72页
第五章 结论第72-73页
致谢第73-74页
参考文献第74-76页
攻读硕士期间取得的成果第76-77页

本篇论文共77页,点击这进入下载页面
 
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