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应用于MEMS器件的光刻胶剥离技术关键工艺研究
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应用于MEMS器件的光刻胶剥离技术关键工艺研究
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 引言第9-15页
　　1.1 半导体产业介绍第9-10页
　　　　1.1.1 什么是半导体第9页
　　　　1.1.2 半导体产业的发展第9-10页
　　1.2 半导体工艺流程第10-13页
　　　　1.2.1 设计第11页
　　　　1.2.2 光刻版制作第11-12页
　　　　1.2.3 硅片制造第12页
　　　　1.2.4 晶片制作第12-13页
　　　　1.2.5 测试与封装第13页
　　1.3 本文主要工作第13-15页
第二章 光刻版工艺第15-27页
　　2.1 光刻版的分类第15-18页
　　　　2.1.1 按照光刻版尺寸及厚度分第15页
　　　　2.1.2 按光刻版图案缩放比例分第15页
　　　　2.1.3 按光刻版遮光层金属类型分第15-16页
　　　　2.1.4 按光刻版基底原材料分第16-17页
　　　　2.1.5 按光刻版有无保护膜分第17-18页
　　2.2 光刻版的制作工艺第18-27页
　　　　2.2.1 客户数据接收第19-20页
　　　　2.2.2 客户数据处理第20-22页
　　　　2.2.3 光刻版曝光第22页
　　　　2.2.4 光刻版化学制程第22-23页
　　　　2.2.5 光刻版尺寸量测第23页
　　　　2.2.6 光刻版缺陷检查第23-25页
　　　　2.2.7 光刻版缺陷修补第25-26页
　　　　2.2.8 清洗包装第26-27页
第三章 硅片制造工艺第27-35页
　　3.1 提炼半导体级硅（SGS）第27-28页
　　3.2 制作单晶硅锭第28-31页
　　　　3.2.1 直拉法（CZ：Czochralski）第29-30页
　　　　3.2.2 区熔法（FZ：Float Zone）第30-31页
　　　　3.2.3 直拉法和区熔法的比较第31页
　　3.3 硅片制备第31-35页
　　　　3.3.1 整形处理第31-32页
　　　　3.3.2 切片第32页
　　　　3.3.3 磨片和倒角第32-33页
　　　　3.3.4 刻蚀第33页
　　　　3.3.5 抛光第33-34页
　　　　3.3.6 清洗第34页
　　　　3.3.7 硅片评估第34页
　　　　3.3.8 包装和运输第34-35页
第四章 光刻工艺第35-62页
　　4.1 光刻的概念第35页
　　4.2 光刻的基本过程第35-46页
　　　　4.2.1 表面预处理第35-37页
　　　　4.2.2 匀胶第37-41页
　　　　4.2.3 匀胶后烘第41-42页
　　　　4.2.4 对准和曝光第42页
　　　　4.2.5 曝光后烘培第42-44页
　　　　4.2.6 显影第44-45页
　　　　4.2.7 显影后检查第45-46页
　　　　4.2.8 坚膜烘培第46页
　　4.3 光刻胶介绍第46-52页
　　　　4.3.1 光刻胶的成分第47-48页
　　　　4.3.2 光刻胶的特性第48-49页
　　　　4.3.3 光刻胶的光反应原理第49-52页
　　4.4 曝光工艺第52-62页
　　　　4.4.1 曝光工艺的关键参数第52-54页
　　　　4.4.2 曝光光源的选择第54-57页
　　　　4.4.3 光刻设备的发展第57-59页
　　　　4.4.4 光刻分辨率提高技术第59-62页
第五章 刻蚀工艺第62-69页
　　5.1 刻蚀工艺的关键参数第62-65页
　　　　5.1.1 刻蚀速率第62页
　　　　5.1.2 刻蚀均匀性第62-63页
　　　　5.1.3 刻蚀剖面第63-64页
　　　　5.1.4 刻蚀偏差第64-65页
　　　　5.1.5 选择比第65页
　　5.2 干法刻蚀第65-66页
　　5.3 湿法刻蚀第66-67页
　　5.4 去除光刻胶第67-69页
　　　　5.4.1 湿法去胶第67-68页
　　　　5.4.2 干法去胶第68-69页
第六章 金属化工艺第69-73页
　　6.1 蒸发第69-70页
　　6.2 溅射第70页
　　6.3 金属CVD第70-71页
　　6.4 电镀第71-73页
第七章 氧化工艺第73-77页
　　7.1 氧化层的用途第73页
　　7.2 氧化层的生长方式第73-74页
　　7.3 氧化层的生长阶段第74页
　　7.4 影响氧化物生长的因素第74-75页
　　　　7.4.1 掺杂效应第74-75页
　　　　7.4.2 晶向第75页
　　　　7.4.3 压力效应第75页
　　　　7.4.4 等离子增强第75页
　　7.5 高温炉设备第75-76页
　　7.6 氧化工艺第76-77页
第八章 光刻胶剥离工艺第77-81页
　　8.1 光刻胶剥离工艺流程第77-80页
　　　　8.1.1 氯苯浸泡法第78页
　　　　8.1.2 图像反转法第78-79页
　　　　8.1.3 负性光刻胶法第79页
　　　　8.1.4 多层掩膜剥离法第79-80页
　　8.2 光刻胶剥离工艺的常见缺陷第80-81页
第九章 负性光刻胶剥离工艺优化第81-96页
　　9.1 实验背景第81-82页
　　9.2 当前光刻胶剥离工艺存在的缺陷第82-84页
　　　　9.2.1 硅片边缘光刻胶剥离残留第82页
　　　　9.2.2 硅片边缘红色印记第82-83页
　　　　9.2.3 硅片图案中间剥离残留第83页
　　　　9.2.4 硅片表面反沾第83-84页
　　　　9.2.5 图案边缘金丝残留第84页
　　9.3 剥离工艺优化第84-95页
　　　　9.3.1 调整涂胶工艺，解决硅片边缘剥离异常第84-86页
　　　　9.3.2 调整清洗流程，解决红色印记第86页
　　　　9.3.3 规范并优化超声工艺，解决图案中间剥离残留第86-88页
　　　　9.3.4 增加水枪冲洗，去除反沾缺陷第88-89页
　　　　9.3.5 优化光刻工艺，调整光刻胶形貌第89-92页
　　　　9.3.6 优化溅射工艺，调整溅射角度第92-94页
　　　　9.3.7 优化光刻烘烤工艺，解决金丝残留缺陷第94-95页
　　9.4 总结第95-96页
第十章 总结与展望第96-97页
　　10.1 全文总结第96页
　　10.2 工作展望第96-97页
参考文献第97-100页
致谢第100-101页

本篇论文共101页，点击这进入下载页面。
 
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