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半导体铜布线阻挡层技术的研究
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半导体铜布线阻挡层技术的研究
论文目录
 
致谢第1-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-15页
第1章 绪论第15-27页
　　1.1 互连第15-18页
　　　　1.1.1 互连技术原理及其工艺方法第15-16页
　　　　1.1.2 互连技术的历史与发展第16-18页
　　1.2 Al互连与Cu互连第18-21页
　　　　1.2.1 Al互连第18-19页
　　　　1.2.2 Cu互连工艺及其缺陷第19-21页
　　1.3 阻挡层研究现状第21-24页
　　　　1.3.1 阻挡层的性能和作用机制第21-22页
　　　　1.3.2 阻挡层的常用材料第22-24页
　　1.4 研究动机第24-25页
　　1.5 本文研究内容和章节安排第25-27页
第2章 TiN阻挡层理论分析与表征第27-40页
　　2.1 氮化钛的性质第27-28页
　　2.2 氮化钛阻挡层第28-30页
　　　　2.2.1 氮化钛阻挡层研究进展第28-29页
　　　　2.2.2 氮化钛阻挡层制备工艺与性能表征第29-30页
　　2.3 阻挡层性能表征第30-32页
　　　　2.3.1 XRD方法第30-31页
　　　　2.3.2 电阻测试方法第31页
　　　　2.3.3 组成成分分析第31-32页
　　2.4 金属和半导体欧姆接触第32-36页
　　　　2.4.1 金属和半导体的功函数第32-33页
　　　　2.4.2 接触电阻第33-34页
　　　　2.4.3 肖特基势垒高度第34-35页
　　　　2.4.4 欧姆接触理论第35-36页
　　2.5 接触电阻测量方法第36-39页
　　　　2.5.1 四点传输线模型法第36-37页
　　　　2.5.2 圆点形传输线模型法第37-38页
　　　　2.5.3 同心圆环形传输线模型法第38-39页
　　2.6 本章小结第39-40页
第3章 磁控溅射制备Cu互连系统第40-49页
　　3.1 磁控溅射技术第40-43页
　　　　3.1.1 磁控溅射原理第40-41页
　　　　3.1.2 磁控溅射设备第41-43页
　　　　3.1.3 磁控溅射主要参数第43页
　　3.2 磁控溅射制备氮化钛流程第43-45页
　　　　3.2.1 靶材处理第44页
　　　　3.2.2 样品预处理第44-45页
　　　　3.2.3 样品制备第45页
　　3.3 三种磁控溅射方法第45-48页
　　　　3.3.1 直流反应磁控溅射氮化钛第45-46页
　　　　3.3.2 射频磁控溅射第46-48页
　　3.5 本章小结第48-49页
第4章 阻挡层性能测试第49-59页
　　4.1 互连结构及阻挡设计第49-52页
　　　　4.1.1 Ti/TiN/Ti复合阻挡层第49-50页
　　　　4.1.2 完整的互连结构第50-51页
　　　　4.1.3 热处理第51-52页
　　4.2 互连系统的实效温度第52-55页
　　　　4.2.1 互连系统样品制备及性能测试第52-53页
　　　　4.2.2 不同氮化钛制备工艺的阻挡层的失效温度第53-55页
　　4.3 氮气流量对氮化钛薄膜性能的影响第55-58页
　　　　4.3.1 氮化钛薄膜的沉积速率第56-57页
　　　　4.3.2 氮化钛薄膜的XRD图谱第57-58页
　　4.4 本章小结第58-59页
第5章 接触电阻测量第59-69页
　　5.1 样品制备第59-62页
　　5.2 接触电阻测试与结果分析第62-67页
　　　　5.2.1 p型和n型的半导体接触第62-63页
　　　　5.2.2 退火对金属和p型Si接触的影响第63-64页
　　　　5.2.3 退火对金属和n型Si接触的影响第64-67页
　　5.3 方块电阻测试与结果分析第67页
　　　　5.3.1 阻挡层方块电阻第67页
　　　　5.3.2 TiN/Cu/Ti/TiN/Ti/Si方块电阻第67页
　　5.4 本章小结第67-69页
第6章 总结与展望第69-72页
　　6.1 主要的工作内容和成果第69-70页
　　6.2 论文主要创新点第70页
　　6.3 主要存在的问题及后续可能的改进方向第70-72页
参考文献第72-78页
作者简介及在校期间取得的科研成果第78页

本篇论文共78页，点击这进入下载页面。
 
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