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GaN基隧穿器件的制备及特性的研究
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GaN基隧穿器件的制备及特性的研究
论文目录
摘要
第1-6页
Abstract
第6-10页
第1章 绪论
第10-21页
1.1 研究的背景和意义
第10-11页
1.2 III族氮化物材料的基本性质
第11-16页
1.2.1 结构和物理特性
第11-12页
1.2.2 极化特性
第12-16页
1.3 III族氮化物材料的研究进展
第16-18页
1.3.1 GaN基材料的研究进展
第16-17页
1.3.2 极化诱导隧穿结的研究进展
第17-18页
1.4 本文的选题和研究内容
第18-21页
第2章 生长方法及测试技术
第21-33页
2.1 生长方法
第21-27页
2.1.1 MOCVD的生长原理和生长过程
第21-22页
2.1.2 MOCVD生长设备
第22-27页
2.2 测试技术
第27-33页
2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)
第27页
2.2.2 X射线衍射(XRD)
第27-29页
2.2.3 霍尔(Hall)
第29-31页
2.2.4 光致发光(PL)
第31-32页
2.2.5 电致发光(EL)
第32-33页
第3章p-GaN单晶薄膜的生长和优化
第33-44页
3.1 引言
第33页
3.2 p-GaN薄膜生长条件的简介
第33页
3.3 生长温度对p-GaN薄膜特性的影响
第33-37页
3.3.1 生长温度对p-Ga N结晶特性的影响
第34-36页
3.3.2 生长温度对p-Ga N电学特性的影响
第36-37页
3.4 Mg源流量对p-GaN薄膜特性的影响
第37-39页
3.4.1 Mg源流量对p-GaN结晶特性的影响
第37-39页
3.4.2 Mg源流量对p-GaN电学特性的影响
第39页
3.5 退火温度对p-GaN薄膜特性的影响
第39-43页
3.5.1 退火温度对p-Ga N结晶特性的影响
第40-41页
3.5.2 退火温度对p-Ga N电学特性的影响
第41-43页
3.6 本章小结
第43-44页
第4章 极化诱导隧穿结的制备与研究
第44-55页
4.1 引言
第44-49页
4.2 器件的制备流程
第49-51页
4.3 极化层厚度对PITJ特性的影响
第51-52页
4.3.1 极化层厚度对PITJ晶体结构的影响
第51-52页
4.3.2 极化层厚度对PITJ电学特性的影响
第52页
4.4 极化层组分对PITJ特性的影响
第52-54页
4.4.1 极化层组分对PITJ晶体结构的影响
第53-54页
4.4.2 极化层组分对PITJ电学特性的影响
第54页
4.5 本章小结
第54-55页
第5章 PITJ n-ZnO/p-GaN异质结LED的制备与研究
第55-63页
5.1 引言
第55页
5.2 器件的制备流程
第55-57页
5.3 n-Zn O NRs的材料特性研究
第57-58页
5.4 器件的电学特性研究
第58-62页
5.5 本章小结
第62-63页
结论
第63-64页
参考文献
第64-67页
作者简介及科研成果
第67-68页
致谢
第68页
本篇论文共
68
页,
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。
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