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GaN基隧穿器件的制备及特性的研究
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GaN基隧穿器件的制备及特性的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-21页
　　1.1 研究的背景和意义第10-11页
　　1.2 III族氮化物材料的基本性质第11-16页
　　　　1.2.1 结构和物理特性第11-12页
　　　　1.2.2 极化特性第12-16页
　　1.3 III族氮化物材料的研究进展第16-18页
　　　　1.3.1 GaN基材料的研究进展第16-17页
　　　　1.3.2 极化诱导隧穿结的研究进展第17-18页
　　1.4 本文的选题和研究内容第18-21页
第2章 生长方法及测试技术第21-33页
　　2.1 生长方法第21-27页
　　　　2.1.1 MOCVD的生长原理和生长过程第21-22页
　　　　2.1.2 MOCVD生长设备第22-27页
　　2.2 测试技术第27-33页
　　　　2.2.1 扫描电子显微镜（SEM）第27页
　　　　2.2.2 X射线衍射（XRD）第27-29页
　　　　2.2.3 霍尔（Hall）第29-31页
　　　　2.2.4 光致发光（PL）第31-32页
　　　　2.2.5 电致发光（EL）第32-33页
第3章p-GaN单晶薄膜的生长和优化第33-44页
　　3.1 引言第33页
　　3.2 p-GaN薄膜生长条件的简介第33页
　　3.3 生长温度对p-GaN薄膜特性的影响第33-37页
　　　　3.3.1 生长温度对p-Ga N结晶特性的影响第34-36页
　　　　3.3.2 生长温度对p-Ga N电学特性的影响第36-37页
　　3.4 Mg源流量对p-GaN薄膜特性的影响第37-39页
　　　　3.4.1 Mg源流量对p-GaN结晶特性的影响第37-39页
　　　　3.4.2 Mg源流量对p-GaN电学特性的影响第39页
　　3.5 退火温度对p-GaN薄膜特性的影响第39-43页
　　　　3.5.1 退火温度对p-Ga N结晶特性的影响第40-41页
　　　　3.5.2 退火温度对p-Ga N电学特性的影响第41-43页
　　3.6 本章小结第43-44页
第4章 极化诱导隧穿结的制备与研究第44-55页
　　4.1 引言第44-49页
　　4.2 器件的制备流程第49-51页
　　4.3 极化层厚度对PITJ特性的影响第51-52页
　　　　4.3.1 极化层厚度对PITJ晶体结构的影响第51-52页
　　　　4.3.2 极化层厚度对PITJ电学特性的影响第52页
　　4.4 极化层组分对PITJ特性的影响第52-54页
　　　　4.4.1 极化层组分对PITJ晶体结构的影响第53-54页
　　　　4.4.2 极化层组分对PITJ电学特性的影响第54页
　　4.5 本章小结第54-55页
第5章 PITJ n-ZnO/p-GaN异质结LED的制备与研究第55-63页
　　5.1 引言第55页
　　5.2 器件的制备流程第55-57页
　　5.3 n-Zn O NRs的材料特性研究第57-58页
　　5.4 器件的电学特性研究第58-62页
　　5.5 本章小结第62-63页
结论第63-64页
参考文献第64-67页
作者简介及科研成果第67-68页
致谢第68页

本篇论文共68页，点击这进入下载页面。
 
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