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基于SOI的抗辐照结构研究

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基于SOI的抗辐照结构研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-16页
  1.1 SOI技术简介第10-11页
  1.2 抗辐照技术第11-14页
    1.2.1 辐射环境第11-13页
    1.2.2 半导体辐射效应第13页
    1.2.3 抗辐照加固技术第13-14页
  1.3 本文研究意义和主要工作第14-16页
第二章 SOI器件物理及辐照效应第16-28页
  2.1 SOI器件基本特性第16-23页
    2.1.1 背栅效应第17-19页
    2.1.2 浮体效应第19-21页
    2.1.3 自加热效应第21-22页
    2.1.4 历史效应第22-23页
  2.2 SOI器件理论模型第23-24页
  2.3 SOI抗辐照基本理论第24-27页
    2.3.1 总剂量辐照效应第24-26页
    2.3.2 单粒子辐照效应第26-27页
  2.4 本章小结第27-28页
第三章 SOI总剂量效应仿真研究第28-48页
  3.1 器件结构建模第28-35页
    3.1.1 Sentaurus器件建模概述第28-29页
    3.1.2 TSMC 130nm体硅器件建模第29-32页
    3.1.3 SOI器件建模第32-35页
  3.2 器件辐射偏置第35-36页
  3.3 总剂量仿真第36-46页
    3.3.1 体硅器件和SOI器件对比第37-41页
    3.3.2 SOI器件总剂量效应对比第41-43页
    3.3.3 H栅和BTS结构仿真第43-46页
  3.4 本章小结第46-48页
第四章 SOI单粒子效应仿真研究第48-74页
  4.1 单粒子效应仿真模型第48-50页
  4.2 三维SOI器件单粒子效应仿真第50-64页
    4.2.1 器件仿真模型第50-52页
    4.2.2 仿真结果分析第52-64页
  4.3 SOI器件漏极电压瞬态特性第64-72页
  4.4 本章小节第72-74页
第五章 总结与展望第74-75页
  5.1 研究结论第74页
  5.2 后续研究展望第74-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-78页
攻读硕士学位期间取得的成果第78-79页

本篇论文共79页,点击这进入下载页面
 
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