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高K/GaAs MOS界面特性仿真研究

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高K/GaAs MOS界面特性仿真研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
符号对照表第11-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-23页
  1.1 研究背景及意义第17-19页
  1.2 高K/GaAs MOS界面特性研究进展第19-20页
  1.3 论文结构及安排第20-23页
第二章 高K/GaAs MOS仿真模型第23-37页
  2.1 金属栅/高K/GaAs结构中的电荷分布第23-25页
  2.2 Sentaurus TCAD简介第25-26页
  2.3 器件物理模型第26-35页
    2.3.1 陷阱模型第26-27页
    2.3.2 迁移率模型第27-30页
    2.3.3 产生复合模型第30-31页
    2.3.4 量子模型第31-34页
    2.3.5 GaAs能带模型第34-35页
  2.4 本章小节第35-37页
第三章 高K/GaAs MOS电容特性仿真第37-53页
  3.1 金属栅/高K/GaAs MOS理想C-V仿真第37-39页
  3.2 界面陷阱对栅电容的影响仿真第39-45页
    3.2.1 界面陷阱概述第39-41页
    3.2.2 不同界面陷阱密度仿真第41-42页
    3.2.3 禁带中不同位置的界面陷阱仿真第42-45页
  3.3 界面陷阱的频散效应第45-48页
  3.4 仿真与实验结果对比第48-51页
  3.5 本章小结第51-53页
第四章 高K/GaAs MOS器件特性仿真第53-65页
  4.1 高K/GaAs MOSFET短沟道效应第53-55页
  4.2 界面陷阱对电学特性的影响仿真第55-60页
    4.2.1 界面陷阱对阈值电压的影响第55-58页
    4.2.2 界面陷阱对迁移率的影响第58-59页
    4.2.3 界面陷阱对跨导的影响第59-60页
  4.3 界面陷阱对GaAs和In_(0.53)Ga_(0.47)As MOSFET影响对比第60-63页
  4.4 本章小结第63-65页
第五章 总结与展望第65-67页
  5.1 总结第65-66页
  5.2 展望第66-67页
参考文献第67-69页
致谢第69-71页
作者简介第71-72页

本篇论文共72页,点击这进入下载页面
 
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