多场作用下多晶硅定向生长的研究

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多场作用下多晶硅定向生长的研究

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多场作用下多晶硅定向生长的研究

论文目录
摘要	第1-4页
abstract	第4-9页
第1章绪论	第9-28页
1.1 研究背景	第9-11页
1.2 太阳能电池的发展	第11-15页
1.2.1 太阳能电池的分类	第11-13页
1.2.2 多晶硅太阳能电池的工作原理	第13-15页
1.3 铸造多晶硅生长技术	第15-19页
1.3.1 浇铸法	第15-16页
1.3.2 电磁铸造法	第16-17页
1.3.3 定向凝固法	第17-19页
1.4 多晶硅定向凝固技术发展现状	第19-24页
1.4.1 改良西门子法多晶硅定向生长研究现状	第19-20页
1.4.2 冶金法定向凝固生长研究现状	第20-21页
1.4.3 磁场辅助多晶硅定向凝固生长技术	第21-24页
1.5 数值模拟在多晶硅生长的应用	第24-26页
1.6 课题来源、研究目的及主要内容	第26-28页
1.6.1 课题来源	第26页
1.6.2 研究目的及主要内容	第26-28页
第2章多晶硅定向凝固生长理论简介	第28-37页
2.1 定向凝固特性	第28-30页
2.1.1 定向凝固过程的分凝现象	第28-29页
2.1.2 定向凝固过程的成分过冷	第29-30页
2.2 晶体生长过程的热量输送	第30-33页
2.2.1 同介质中的热量传输	第31页
2.2.2 与周围环境的热量交换	第31-33页
2.3 晶体生长过程中的液相流动	第33-36页
2.3.1 流体的分类与起因	第33-35页
2.3.2 流体中的速度场	第35-36页
2.4 本章小结	第36-37页
第3章坩埚厚度对多晶硅定向凝固模拟的影响	第37-49页
3.1 有限元分析的特点	第37-38页
3.2 物理模型的建立	第38-41页
3.2.1 几何结构	第38-39页
3.2.2 控制方程	第39-40页
3.2.3 网格划分	第40-41页
3.3 数值模拟结果分析	第41-48页
3.3.1 硅料的熔化	第41-43页
3.3.2 结晶过程	第43-45页
3.3.3 热应力	第45-48页
3.4 本章小结	第48-49页
第4章轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响	第49-60页
4.1 模型建立	第49-50页
4.1.1 条件假设	第50页
4.1.2 参数设置	第50页
4.2 无磁场时的模拟和实验	第50-52页
4.2.1 控制方程	第51页
4.2.2 实验结果	第51-52页
4.3 加入磁场的模拟和实验	第52-59页
4.3.1 模拟结果与分析	第54-58页
4.3.2 实验结果与分析	第58-59页
4.4 本章小结	第59-60页
第5章降温速率对冶金硅定向凝固生长的研究	第60-70页
5.1 实验过程	第60-61页
5.2 降温速率对定向凝固生长多晶硅的影响	第61-68页
5.2.1 降温速率对少子寿命的影响	第61-64页
5.2.2 降温速率对固液界面的影响	第64-66页
5.2.3 降温速率对电阻率的影响	第66-67页
5.2.4 降温速率对硅锭的晶体形貌的影响	第67-68页
5.3 本章小结	第68-70页
第6章结论与展望	第70-73页
6.1 结论	第70-71页
6.2 展望	第71-73页
致谢	第73-75页
参考文献	第75-82页
攻读学位期间的研究成果	第82页

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