阱区结构对硅衬底GaN基LED器件光电性能影响的研究

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阱区结构对硅衬底GaN基LED器件光电性能影响的研究

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阱区结构对硅衬底GaN基LED器件光电性能影响的研究

论文目录
摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
第1章绪论	第9-33页
1.1 发光二极管的发展历史	第9-11页
1.2 GaN发光材料的基本结构和性质	第11-14页
1.2.1 GaN材料的基本结构	第11-12页
1.2.2 GaN材料的基本性质	第12-14页
1.3 GaN基LED制造技术简介	第14-15页
1.4 GaN基LED的发光效率	第15-31页
1.4.1 LED器件中常用的效率表征名词	第18-19页
1.4.2 GaN基LED器件效率衰减的原因	第19-31页
1.5 本论文的研究内容和行文安排	第31-33页
第2章硅衬底GaN基LED的制造流程和表征	第33-48页
2.1 Si衬底GaN基LED的制备	第33-37页
2.1.1 发光材料的外延生长	第33-35页
2.1.2 芯片制备工艺流程	第35-37页
2.2 Si衬底GaN基LED的表征	第37-48页
2.2.1 高分辨X射线衍射仪	第37-40页
2.2.2 原子力显微镜	第40-41页
2.2.3 二次离子质谱仪	第41-42页
2.2.4 荧光显微镜	第42-43页
2.2.5 电致发光	第43-48页
第3章 Cap层厚度对硅衬底GaN基LED器件光电性能的影响	第48-59页
3.1 引言	第48-49页
3.2 实验	第49-50页
3.3 结果与讨论	第50-57页
3.3.1 外延薄膜性能分析	第50-51页
3.3.2 器件电致发光性能分析	第51-57页
3.4 本章小结	第57-59页
第4章 V-pits大小对硅衬底GaN基LED器件光电性能的影响	第59-78页
4.1 引言	第59-60页
4.2 实验	第60-61页
4.3 结果与讨论	第61-77页
4.3.1 外延薄膜的性能分析	第61-66页
4.3.2 室温电致发光性能分析	第66-72页
4.3.3 变温电致发光性能分析	第72-73页
4.3.4 器件老化性能分析	第73-77页
4.4 本章小结	第77-78页
第5章 P-AlGaN电子阻挡层厚度对含有大型V-pits硅衬底GaN基绿光LED器件光电性能的影响	第78-87页
5.1 引言	第78-79页
5.2 实验	第79-80页
5.3 结果与讨论	第80-86页
5.4 本章小结	第86-87页
第6章 P型层厚度对硅衬底GaN基蓝光LED器件光电性能的影响	第87-92页
6.1 引言	第87页
6.2 实验	第87-88页
6.3 结果与讨论	第88-91页
6.4 本章小结	第91-92页
第7章结论	第92-94页
致谢	第94-95页
参考文献	第95-101页
攻读学位期间的研究成果	第101页

本篇论文共101页，点击这进入下载页面。

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