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TFET单元库设计技术研究

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TFET单元库设计技术研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第1章 绪论第8-13页
  1.1 课题研究背景第8-9页
  1.2 国内外研究现状第9-11页
  1.3 本文研究内容第11-13页
第2章 低功耗技术分析及TFET原理概述第13-23页
  2.1 功耗产生机理分析第13-16页
    2.1.1 动态功耗第13-14页
    2.1.2 短路功耗第14-15页
    2.1.3 静态功耗第15-16页
  2.2 低功耗技术第16-20页
    2.2.1 低功耗设计第17-19页
    2.2.2 低功耗工艺及器件第19-20页
  2.3 TFET器件原理第20-22页
  2.4 本章小结第22-23页
第3章 传统工艺下的单元库生成第23-32页
  3.1 ASIC设计方法概述第23-25页
  3.2 标准单元库建库流程第25-26页
  3.3 标准单元库及库文件第26-31页
    3.3.1 库文件组成第26-28页
    3.3.2 时序库第28-30页
    3.3.3 物理库第30-31页
  3.4 本章小结第31-32页
第4章 基于TFET的数字单元电路研究第32-53页
  4.1 应用于设计的器件模型第32-34页
  4.2 单元电路设计第34-47页
    4.2.1 基本反相器设计第35-37页
    4.2.2 组合单元电路设计第37-38页
    4.2.3 时序单元电路设计第38-40页
    4.2.4 Clock电路设计第40-41页
    4.2.5 测试电路设计第41-43页
    4.2.6 TFET电路设计的特殊性第43-47页
  4.3 基于TFET器件的设计验证第47-52页
    4.3.1 参数分析第47-49页
    4.3.2 关键单元电路仿真第49-52页
  4.4 本章小结第52-53页
第5章 基于TFET的版图研究第53-66页
  5.1 标准单元设计规划第53-57页
    5.1.1 设计规范第53-55页
    5.1.2 布图优化第55-57页
  5.2 TFET版图设计第57-65页
    5.2.1 TFET工艺及版图第57-58页
    5.2.2 TFET器件检测第58-65页
  5.3 本章小结第65-66页
结论第66-67页
参考文献第67-71页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它研究成果第71-73页
致谢第73页

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