硅量子面表面键合的实验与计算研究

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硅量子面表面键合的实验与计算研究

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硅量子面表面键合的实验与计算研究

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
第一章绪论	第7-12页
1.1 引言	第7-8页
1.2 国内外研究现状及进展	第8-10页
1.2.1 表面态	第8-9页
1.2.2 纳米硅的发光机理	第9-10页
1.3 本文主要研究内容	第10-12页
第二章 PLD制备纳米硅薄膜的发光实验研究	第12-22页
2.1 脉冲激光沉积法的原理	第12-13页
2.2 PLD方法制备薄膜的优点与工艺参数	第13-14页
2.2.1 PLD方法优点	第13页
2.2.2 PLD主要工艺参数	第13-14页
2.3 实验仪器介绍	第14-16页
2.4 实验制备过程	第16页
2.5 实验分析	第16-21页
2.6 小结	第21-22页
第三章第一性原理计算	第22-31页
3.1 第一性原理	第22-23页
3.2 密度范函理论	第23-25页
3.3 Materials Studio软件及Castep模块	第25-26页
3.3.1 Materials Studio软件	第25页
3.3.2 Castep模块	第25-26页
3.4 第一性原理计算实例	第26-30页
3.4.1 硅量子点的表面键合影响	第26-28页
3.4.2 硅量子点的弯曲表面效应	第28-30页
3.5 小结	第30-31页
第四章硅量子面表面键合的构建及初步分析	第31-40页
4.1 模型构建	第31-33页
4.2 基本参数设置	第33页
4.3 计算结果分析	第33-34页
4.4 Castep参数设置分析	第34-39页
4.4.1 比较P1 symmetry与Higher symmetry	第34-36页
4.4.2 比较精度	第36-38页
4.4.3 比较GGA与LDA	第38-39页
4.5 小结	第39-40页
第五章表面键合对硅量子面电子结构的影响	第40-54页
5.1 硅量子面超晶胞对称性对电子结构的影响	第40-43页
5.2 硅(111)量子面表面键合对电子结构的影响	第43-51页
5.2.1 表面键合对带隙宽度的影响	第43-47页
5.2.2 表面键合对能带结构的影响	第47-49页
5.2.3 表面键合对态密度的影响	第49-50页
5.2.4 表面键合对结合能的影响	第50-51页
5.3 (100)与(110)面表面键合对电子结构的影响	第51页
5.4 硅量子面的弯曲表面效应	第51-52页
5.5 小结	第52-54页
第六章总结与展望	第54-56页
6.1 总结	第54-55页
6.2 展望	第55-56页
致谢	第56-57页
参考文献	第57-60页
硕士期间公开发表的论文及参加的科研项目	第60-61页

本篇论文共61页，点击这进入下载页面。

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