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一般性问题
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 基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面[本文102页]  超声波辅助乙酸溶液球磨制备金属氧[本文80页]  InGaAs纳米结构的制备及光电特性研[本文55页]
 掺杂对MoS_2吸附气体性能的理论研究[本文60页]  Zn-Sn氧化物薄膜溶胶凝胶法制备及光[本文160页]  窄尺寸分布的CdSe纳米晶碗状超结构[本文59页]
 花状Bi_2WO_6微球与Bi_2WO_6-Fe_2O[本文73页]  基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成[本文71页]  具有非线性电流—电压特性的CaCu_3[本文57页]
 一维氮化镓纳米材料的制备及其光催[本文83页]  盐雾环境中烧结纳米银互连材料的电[本文72页]  应变硅细—微观实验测量表征[本文78页]
 4H-SiC载流子寿命增强方法研究[本文87页]  新型SiC沟槽IGBT的模拟研究[本文78页]  4H-SiC非均匀掺杂浮结UMOSFET的模拟[本文74页]
 不同非极性与半极性Ⅲ族氮化物材料[本文80页]  中子-γ辐照对SiO_2/Si位移损伤模拟[本文91页]  常开型SiC JFET功率器件的热可靠性[本文86页]
 半绝缘4H-SiC光导开关研究[本文73页]  MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究[本文68页]  基于悬浮纳米薄膜的应变锗LED研究[本文74页]
 ZnMgO/ZnO异质结高场输运特性的Mon[本文64页]  多晶硅定向凝固的热场模拟与静态磁[本文77页]  硅晶体生长各向异性的分子动力学模[本文73页]
 GaN-MOCVD垂直喷淋式反应室的优化设[本文70页]  砷化镓近红外光致发光的核酸调控和[本文82页]  硅片低温直接键合方法研究[本文59页]
 Cu_2CdSnSe_4化合物的合成及热电性[本文68页]  在改型的p型Si衬底上制备具有非极性[本文88页]  电流辅助烧结纳米银焊膏的快速互连[本文71页]
 半导体制造中嵌套性工艺参数的统计[本文86页]  数字无掩膜光刻技术及其大面积曝光[本文82页]  光栅光刻机干涉条纹周期和波前的测[本文79页]
 基于超声的锡基钎料芯片键合界面反[本文72页]  步进—闪光式纳米压印模板之力学分析[本文73页]  晶圆厂炉管设备TEOS的产能提升研究[本文64页]
 转接板生产线关键设备综合效率的研究[本文78页]  基于嵌入式的晶圆类型测试系统研制[本文60页]  二极管检波效率测试系统设计与开发[本文67页]
 大直径直拉式单晶炉等径控制系统的[本文88页]  基于有限元分析的功率器件封装热阻[本文70页]  磷化铟纳米线及其平面阵列的制备和[本文71页]
 硅量子面表面键合的实验与计算研究[本文61页]  AlGaN超晶格界面调控及其电学特性[本文74页]  ZnO、NiO薄膜和n-ZnO/p-NiO异质结结[本文75页]
 离子注入法制备的金属纳米颗粒的同[本文51页]  二氧化硅磨粒结构对单晶硅表面微观[本文75页]  温度对单晶硅水下微观磨损的影响[本文82页]
 温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻[本文67页]  水导激光切割晶圆预对准及水束激光[本文68页]  二硫化钨及硼化钨的合成与表征[本文68页]
 氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的[本文76页]  铈掺杂氧化铜稀磁半导体材料的光学[本文52页]  钇铟共掺杂氧化锌薄膜特性的研究[本文74页]
 MOCVD方法制备氮化锌薄膜及其性质研[本文69页]  反应磁控溅射制备氮化锌及其掺杂薄[本文85页]  高压下复合半导体CdI_2(AD)的热稳定[本文67页]
 稀磁半导体(Zn,Co)O中的栅极电压调[本文67页]  GaN基薄膜阳极刻蚀及相关性质的研究[本文74页]  几种典型压电半导体结构中的力—电[本文65页]
 铟镓锌氧化物半导体器件制备与性能[本文70页]  电力半导体功率模块应用失效分析研究[本文113页]  硫化锌中硫空位的第一性原理研究[本文60页]
 溴化铊探测器晶片表面化学处理和欧[本文63页]  4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计[本文65页]  Al/Ga共掺ZnO纳米阵列光学性质的研[本文65页]
 精密运动平台减振系统设计与仿真软[本文66页]  Ga_2O_3薄膜的高温MOCVD生长与紫外[本文69页]  金属氧化物纳米半导体材料的可控制[本文59页]
 贵金属掺杂和表面修饰对氧化物半导[本文60页]  低维半导体纳米材料性能调控的理论[本文71页]  RF磁控溅射ZnO薄膜和掺钛ZnO薄膜材[本文79页]
 基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性[本文81页]  二维原子半导体的制备及其异质器件[本文84页]  Co掺杂ZnO基稀磁半导体研究[本文53页]
 有机卤化物CH_3NH_3PbX_3材料光学性[本文62页]  半导体与多种异质结构的磁性与调控[本文120页]  大功率器件用氮化钨各向异性刻蚀工[本文64页]
 半导体铜布线阻挡层技术的研究[本文78页]  基于PrAlNiCu金属玻璃薄膜的相变光[本文67页]  基于PEDOT：PSS/CH_3NH_3PbI_3柔性[本文55页]
 N掺杂p型ZnO材料的制备及其光电性能[本文71页]  飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性[本文70页]  基于SOI的抗辐照结构研究[本文79页]
 高压SiC PiN器件的研制与静动态特性[本文73页]  光载流子辐射测量的非线性初步分析[本文78页]  锁相载流子成像自动化检测系统的研制[本文91页]
 多晶硅CVD反应器中新型热管传热性能[本文78页]  ZnO金属氧化物半导体材料可控生产与[本文62页]  基于DSP的MOCVD原位监测信号采集系[本文87页]
 MOCVD原位监测系统软件设计[本文85页]  离子束辐照导致In_xGa_(1-x)N(0.32[本文56页]  载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特[本文61页]
 基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光[本文97页]  单晶碳化硅磁场辅助电化学机械研抛[本文91页]  振动辅助电化学抛光碳化硅的仿真与[本文72页]
 立方碳化硅化学机械抛光的分子动力[本文64页]  薄层二硫化钼中的激子性质研究[本文51页]  单层二硫化钼的光学性能及其调控研究[本文67页]
 增强型AlGaN/GaN HEMT结构设计与仿[本文70页]  二维压电半导体的断裂问题分析[本文94页]  多场作用下多晶硅定向生长的研究[本文82页]
 应用于MEMS器件的光刻胶剥离技术关[本文101页]  用于光刻成像的DMD图像曝光方法研究[本文96页]  浸没流场压力仿真与检测研究[本文85页]
 超纯水处理系统的研制[本文89页]  基于365nm LED光源的无掩模数字光刻[本文57页]  半导体生产线动态维护策略研究[本文87页]
 精密机械平台摩擦特性的建模和补偿[本文77页]  基于真空紫外光表面活化的硅基晶圆[本文90页]  半导体硅中的90°部分位错[本文74页]
 基于LS_SVM的旋转盘控制系统设计[本文60页]  磁控溅射制备ZnO波导层及Love波湿度[本文56页]  钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长[本文83页]
 多晶硅厚膜制备及磷、硼快速扩散[本文61页]  硅基p-n结磁电阻特性研究[本文65页]  扫描干涉光刻中干涉条纹漂移误差分[本文97页]
 硅基瞬态器件及其工艺实现的研究[本文76页]  钛离子注入对硅纳米孔柱阵列表面形[本文69页]  GaN功率器件的负压驱动电路研究与设[本文84页]
 TiO_2复合纳米膜电场条件下抗菌性能[本文65页]  图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机[本文63页]  表面微加工多晶硅薄膜热学特性及力[本文65页]
 ZnO/MgO核壳量子点制备及其发光特性[本文61页]  聚合物辅助沉积法制备纳米二硫化钼[本文75页]  激光辅助Ga滴迁移行为的研究[本文67页]
 表面等离子体共振腔超衍射极限成像[本文63页]  全包封产品的绝缘问题失效机理及改善[本文49页]  半导体晶圆制造自动物料运输系统实[本文109页]
 聚焦离子束的微结构溅射刻蚀轮廓计[本文76页]  面向半导体封装后测试的MES服务器端[本文88页]  离子束刻蚀制作中阶梯光栅研究[本文61页]
 炼硅煤质还原剂性能表征及制备流程[本文99页]  激光分子束外延生长GaN薄膜[本文70页]  基于啁啾光栅的表面等离子体超分辨[本文66页]
 石英晶体基片高效精密加工装备控制[本文75页]  亚固结磨料线锯挂浆性能研究[本文72页]  纳米金刚石薄膜PN结原型器件的制备[本文76页]
 Zn_xMg_(1-x)O三元复合薄膜光电特性[本文114页]  静电层层自组装复合磨粒及其抛光液[本文71页]  砂轮划片机关键部件对其精度的影响[本文103页]
 划片机Y轴及Z轴的设计优化与精度控[本文83页]  熔盐电解制备锗基和硅基材料[本文174页]  原子层沉积方法制备非极性面ZnO异质[本文113页]
 氧化锌基纳米复合材料及其光电探测[本文112页]  激光原位图形化诱导分子束外延生长[本文114页]  半导体表面导电分子线的生长机理与[本文92页]
 低维半导体材料电子结构和磁学特性[本文116页]  Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的掺杂制备及其[本文109页]  基于无穷刚度和零刚度复合作用的主[本文130页]
 基于表面等离子体的超分辨光刻理论[本文123页]  二硫族二维半导体材料的制备及性能[本文163页]  支化打断型共轭聚合物的傅克聚合及[本文155页]
 ZnO发光效率提升机制研究及ZnO/ZnM[本文150页]  掺杂金红石相宽禁带半导体磁性及介[本文133页]  ZnO纳米材料及PbS QDs/ZnO异质结制[本文123页]
 1111-型新型块材稀磁半导体:(La_(1[本文143页]  氧化锌微米柱阵列的缺陷及发光性质[本文106页]  质子引起纳米SRAM器件单粒子翻转研[本文115页]
 Power QFN器件封装中第二焊点脱落问[本文125页]  太阳能硅片电磨削多线切割技术基础[本文164页]  氟代酞菁铜的制备及其场效应器件的[本文133页]
 单个半导体纳米晶多激子相关性质的[本文102页]  半导体芯片用多晶硅材料提纯新工艺[本文26页]  氧化锌微米线酒精气体传感器研究[本文108页]
 二维传感器材料的合成及化学成分空[本文125页]  InGaN/GaN异质结构的侧向外延生长及[本文145页]  减薄硅片变形的测量方法与技术[本文146页]
 近红外InGaAs光电阴极材料特性仿真[本文112页]  冷压制备工业硅生产用碳质还原剂球[本文157页]  基于Petri网的多组合设备最优调度与[本文120页]
 极性可控的GaN与ZnO薄膜的MOCVD外延[本文174页]  ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究[本文156页]  HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究[本文120页]
 用碳化稻壳电热冶金法制备超冶金级[本文139页]  基于表面等离子干涉原理的周期减小[本文108页]  Al衬底上PLD外延组分可控AlGaN[本文187页]
 流化床内硅烷裂解制备粒状多晶硅过[本文139页]  新型Cu_2ZnSnS_4材料的制备及其光催[本文127页]  热还原—真空挥发富集提取锗研究[本文169页]
 强磁场调控ZnO稀磁半导体结构与性能[本文179页]  氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构界面[本文120页]  纳米级集成电路计算光刻技术研究[本文122页]
 改进的锗浓缩技术及其生物传感器件[本文108页]  氧化锌/石墨烯复合回音壁模微腔受激[本文106页]  单晶硅材料超精密磨削机理研究[本文133页]
 Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究[本文92页]  有机半导体材料中的分子结构、堆积[本文110页]  MOCVD法制备的ZnO纳米结构薄膜特性[本文226页]
 InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质[本文121页]  Si上锑化物的MOCVD成核生长特性研究[本文181页]  氧化物半导体纳米材料的合成、改性[本文115页]
 若干半导体非晶化相变的结构及化学[本文114页]  新型有机场效应晶体管半导体材料的[本文121页]  气体壁面射流冲击下的气液界面行为[本文116页]
 胶体半导体纳米晶消光系数的研究[本文118页]  微纳系统电子束光刻关键技术及相关[本文118页]  多重入复杂制造系统的多尺度建模与[本文134页]
 多自由度磁悬浮微动台的基础研究[本文145页]  多孔阳极氧化铝的“逆向工程”—刻[本文187页]  典型半导体材料电学性能的温度依赖[本文147页]
 原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族/Ge[本文142页]  基于叠栅条纹的纳米光刻对准理论与[本文148页]  SiC/SiO_2界面形成机理及界面缺陷的[本文131页]
 Si-Al(-Sn)合金凝固精炼过程中硼杂[本文140页]  应变ZnO能带结构研究[本文130页]  有机半导体材料传输机制和有机二极[本文128页]
 半导体材料的锁相载流子辐射成像[本文124页]  半导体中缺陷及电子特性的第一性原[本文98页]  新型功率半导体器件的研究及其终端[本文114页]
 周期结构的衍射模拟算法及其应用研究[本文155页]  数字光刻成像算法及其掩模优化方法[本文104页]  浸没流场缝隙控制技术研究[本文146页]
 有机半导体在有序材料表面的吸附结[本文116页]  新型稠环共轭有机半导体材料的设计[本文178页]  有机分子在金属单晶表面的吸附结构[本文120页]
 有机半导体及石墨烯在金属表面的生[本文105页]  半导体制造中组合设备的建模、优化[本文131页]  单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究[本文165页]
 几种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的合成及光[本文101页]  生物矿化启示构筑纳米半导体材料：[本文119页]  金属氧化物半导体共轴纤维及其气体[本文114页]
 高质量ZnO薄膜的MOCVD法可控生长及[本文216页]  铟基半导体纳米材料的制备及高压研究[本文116页]  纳米级电路分辨率增强技术及热点检[本文142页]
 ZnO基稀磁半导体磁性机制的实验研究[本文143页]  三族氮化物极化工程在光电器件和隧[本文149页]  石墨烯的CVD法制备及其H_2刻蚀现象[本文100页]
 石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研[本文114页]  SiO_2/SiC界面过渡区及其等离子体钝[本文135页]  TiO_2纳米半导体材料的制备及其光探[本文129页]
 Ⅲ族氮化物紫光和近紫外LED的制备与[本文131页]  Ⅲ族氮化物的极化效应及其在光电子[本文105页]  单晶硅纳米结构的TEM内原位拉伸实验[本文107页]
 面向全光信号处理的半导体集成器件[本文123页]  基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件[本文176页]  半导体纳米材料位错抑制机理与结构[本文119页]
 硅、锗半导体材料电子特性的力学调[本文121页]  异质兼容集成微系统的实现途径与技[本文115页]  锑化物半导体材料的MOCVD成核及生长[本文106页]
 飞秒激光对半导体材料和金属材料的[本文104页]  迭代学习控制方法及其在扫描光刻系[本文161页]  化合物半导体缺陷物理及表面激发态[本文117页]
 TiO_2@NaYF_4:Yb,Tm核壳结构红外光[本文105页]  ZnO微米线异质结发光器件的制备及研[本文116页]  基于四苯基硅烷的宽禁带半导体材料[本文131页]
 氮化硼的半导体特性和紫外光电探测[本文132页]  GaN单晶的HVPE生长及其应力和晶体取[本文140页]  CSP板级封装在跌落冲击载荷下的可靠[本文135页]
 集成电路用直拉单晶硅力学性能[本文108页]  晶圆制造产能规划方法与应用研究[本文71页]  有序ZnO纳米棒阵列的构筑、界面调控[本文112页]
 氧化物半导体的微观形貌调控及其传[本文79页]  铁基氧化物半导体作为锂离子电池负[本文112页]  GaN基垂直器件耐压机理及新结构研究[本文70页]
 AlGaN/GaN HEMT器件新结构与特性研[本文75页]  缓冲层对PZT/GaAs异质结的生长及光[本文69页]  一种GaN基场控能带新器件设计与制备[本文70页]
 浮空P区结构CSTBT的设计[本文65页]  石墨烯/PbSe异质结的光敏特性研究[本文70页]  增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈[本文73页]
 自旋波波导材料的高频特性表征与传[本文71页]  GaN基电力电子器件新结构研究[本文73页]  AlGaN/GaN HEMT耐压新结构及开关特[本文63页]
 TFT-LCD ARRAY光刻制程CD均一性分析[本文64页]  PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现[本文75页]  离子注入表面改性超精密加工机理及[本文113页]
 铜基二元及三元金属硫化物的可控合[本文119页]  硫化物纳米结构合成、演化及表征研究[本文110页]  金属氧化物半导体复合材料纳米结构[本文120页]
 
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