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SiO2/SiC界面过渡区及其等离子体钝化工艺研究

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SiO2/SiC界面过渡区及其等离子体钝化工艺研究
论文目录
 
摘要第1-8页
Abstract第8-14页
图表目录第14-17页
主要符号表第17-18页
1 绪论第18-35页
  1.1 研究背景第18-24页
  1.2 SiO_2/SiC界面缺陷及钝化工艺的研究现状第24-33页
  1.3 研究思想及研究内容第33-35页
2 SiO_2/SiC界面过渡区组成及结构研究第35-65页
  2.1 引言第35-36页
  2.2 SiO_2/SiC界面制作及测试第36-42页
    2.2.1 SiO_2/SiC界面制作工艺第36-39页
    2.2.2 SiO_2/SiC界面测试方法第39-42页
  2.3 SiO_2/SiC界面过渡区组成的XPS分析第42-48页
  2.4 SiO_2/SiC界面过渡区结构的ADXPS分析第48-56页
  2.5 SiO_2/SiC界面过渡区结构模型的理论计算及验证第56-64页
  2.6 本章小结第64-65页
3 SiO_2/SiC界面氮等离子体钝化研究第65-99页
  3.1 引言第65-66页
  3.2 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺及测试第66-79页
    3.2.1 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺第66-70页
    3.2.2 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面测试方法第70-79页
  3.3 氮等离子体钝化SiC MOS电容的电学特性第79-91页
    3.3.1 栅氧化膜绝缘特性第79-80页
    3.3.2 SiO_2/SiC界面电学特性第80-87页
    3.3.3 SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果第87-91页
  3.4 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面的组成及结构第91-97页
  3.5 氮等离子体改善SiO_2/SiC界面电学特性的微观机理第97页
  3.6 本章小结第97-99页
4 SiO_2/SiC界面氮氢混合等离子体钝化研究第99-111页
  4.1 引言第99-100页
  4.2 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺及测试第100-102页
    4.2.1 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺第100-101页
    4.2.2 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面测试方法第101-102页
  4.3 氮氢混合等离子体钝化SiC MOS电容的电学特性第102-106页
    4.3.1 栅氧化膜绝缘特性第102页
    4.3.2 SiO_2/SiC界面电学特性第102-105页
    4.3.3 SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果第105-106页
  4.4 氮氢混合等离子体钝化工艺中氮和氢各自的作用第106-107页
  4.5 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面的组成及结构第107-109页
  4.6 氮氢混合等离子体改善SiO_2/SiC界面电学特性的微观机理第109页
  4.7 本章小结第109-111页
5 SiO_2/SiC界面湿氧二次氧化退火研究第111-119页
  5.1 引言第111页
  5.2 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面工艺及测试第111-113页
    5.2.1 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面工艺第111-113页
    5.2.2 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面测试方法第113页
  5.3 湿氧二次氧化退火SiC MOS电容的电学特性第113-116页
    5.3.1 栅氧化膜绝缘特性第113-114页
    5.3.2 SiO_2/SiC界面电学特性第114-115页
    5.3.3 SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果第115-116页
  5.4 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面的组成及结构第116-118页
  5.5 湿氧二次氧化退火改善SiO_2/SiC界面电学特性的微观机理第118页
  5.6 本章小结第118-119页
6 结论与展望第119-122页
  6.1 结论第119-121页
  6.2 创新点摘要第121页
  6.3 展望第121-122页
参考文献第122-131页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第131-133页
致谢第133-134页
作者简介第134-135页

本篇论文共135页,点击这进入下载页面
 
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