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集成电路用直拉单晶硅力学性能
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集成电路用直拉单晶硅力学性能
论文目录
 
英文摘要第1-5页
中文摘要第5-7页
目录第7-9页
第1章 文献综述第9-42页
1．1 单晶硅的力学常数及相应性能第10-11页
1．2 硅单晶的断裂第11-29页
1．3 硅单晶的塑性变形第29-38页
1．4 其它研究方法第38-40页
1．5 展望第40-42页
第2章 接触损伤第42-60页
2．1 实验样品和实验设备第42-44页
2．2 压痕及压痕裂纹特征第44-50页
2．3 硅单晶的硬度第50-57页
2．4 硅单晶断裂韧性第57-58页
2．5 小结第58-60页
第3章 单晶硅的断裂特性第60-76页
3．1 实验样品和实验设备第61-64页
3．2 室温抗弯强度及断口分析第64-72页
3．3 高温抗弯测试第72-75页
3．4 小结第75-76页
第4章 硅单晶中位错与杂质的相互作用第76-91页
4．1 样品与实验第77-78页
4．2 硅中位错滑移花样及其滑移方式第78-81页
4．3 压痕载荷对位错移动的影响第81-82页
4．4 热处理时间对位错滑移距离的影响第82-85页
4．5 温度与杂质对位错滑移的影响第85-89页
4．6 位错运动速度与位错激活能第89-90页
4．7 小结第90-91页
第5章 缺陷诱生应力分布第91-102页
5．1 样品及实验设备第92页
5．2 热处理前后直拉硅单晶氧含量和翘曲度的变化第92-96页
5．3 热处理前后硅片的应力分布第96-100页
5．4 小结第100-102页
第6章 结论第102-104页
参考文献第104-107页
附录：博士在读期间发表及待发表论文第107-108页
致谢第108页

本篇论文共108页，点击这进入下载页面。
 
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