基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件

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基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件

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基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件

论文目录
论文创新点	第1-6页
摘要	第6-8页
Abstract	第8-13页
引言	第13-15页
第一章绪论	第15-40页
1.1 一维纳米材料的内涵和特性	第15-16页
1.1.1 小尺寸效应	第15页
1.1.2 量子尺寸效应	第15-16页
1.1.3 宏观量子隧道效应	第16页
1.1.4 表面效应	第16页
1.2 ZnO纳米材料的基本研究现状	第16-23页
1.2.1 ZnO的晶体结构	第16-19页
1.2.2 ZnO纳米结构的制备	第19-22页
1.2.2.1 气相法	第19-21页
1.2.2.2 液相法	第21-22页
1.2.3 ZnO纳米结构的特殊性质	第22-23页
1.3 ZnO纳米结构的场致电子发射	第23-31页
1.3.1 场致电子发射的基本概念	第23-27页
1.3.2 场致电子发射的应用	第27-29页
1.3.3 常见的场发射阴极材料	第29-30页
1.3.4 影响ZnO场发射性能的主要因素	第30-31页
1.4 ZnO纳米结构在其它器件方面的应用	第31-37页
1.4.1 场效应晶体管	第31-33页
1.4.2 紫外光敏探测器	第33页
1.4.3 紫外激光器	第33-35页
1.4.4 电致变色器件	第35-36页
1.4.5 压电电子器件	第36-37页
1.5 本论文的研究内容及其意义	第37-40页
第二章氧化锌准一维纳米结构的制备	第40-62页
2.1 制备与表征方法	第40-43页
2.1.1 制备方法	第40-42页
2.1.2 使用的设备及表征仪器	第42-43页
2.2 实验结果	第43-60页
2.2.1 水热法方面	第43-54页
2.2.1.1 一般的水热法	第43-47页
2.2.1.2 两步变温水热法调节ZnO纳米杆密度	第47-48页
2.2.1.3 水热法实现ZnO纳米杆的边缘选择性生长	第48-54页
2.2.2 气相法方面	第54-60页
2.2.2.1 使用高质量ZnO薄膜作缓冲层	第54-57页
2.2.2.2 使用Au作催化剂	第57-60页
2.3 本章小节	第60-62页
第三章氧化锌准一维纳米结构的场致电子发射性能	第62-105页
3.1 场发射测试平台	第62-64页
3.2 目前ZnO纳米材料在场发射方面存在的问题	第64-66页
3.3 通过减弱电场屏蔽效应提高场发射性能	第66-77页
3.3.1 两步变温水热法调节ZnO纳米杆密度	第67-69页
3.3.2 边缘选择性生长调节ZnO纳米杆密度	第69-77页
3.4 与CNT复合提高场发射性能	第77-93页
3.4.1 利用水热法边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列为模板生长CNT	第78-85页
3.4.2 利用气相法生长的ZnO纳米杆为模板生长CNT	第85-93页
3.5 ZnO纳米杆的横向场发射	第93-103页
3.6 本章小节	第103-105页
第四章光电探测器及场效应晶体管	第105-126页
4.1 使用边缘选择性生长制备紫外探测器	第105-115页
4.1.1 探测器的设计和制备	第105-109页
4.1.2 器件性能及工作机理分析	第109-115页
4.2 使用介电泳获得紫外探测器	第115-121页
4.2.1 器件的设计和制备	第115-117页
4.2.2 器件的实际性能	第117-120页
4.2.3 器件的负微分电阻特性	第120-121页
4.3 使用边缘选择性生长制备场效应晶体管	第121-124页
4.3.1 晶体管的设计和制备	第121-123页
4.3.2 晶体管的性能表征	第123-124页
4.4 本章小节	第124-126页
第五章纳米氧化锌应力传感器	第126-144页
5.1 应力传感器的设计和制备	第126-129页
5.2 实际的器件性能	第129-133页
5.3 器件工作机理的分析	第133-136页
5.4 实用范例	第136-137页
5.5 机电整合逻辑电路	第137-142页
5.6 本章小结	第142-144页
第六章结论与展望	第144-147页
参考文献	第147-171页
博士期间发表论文及申请专利	第171-176页
致谢	第176页

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