论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 ZnO 的基本性质 | 第11-26页 |
| 1.1.1 ZnO 晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 ZnO 能带结构 | 第12-15页 |
| 1.1.3 ZnO 电学特性 | 第15-20页 |
| 1.1.4 ZnO 光学特性 | 第20-26页 |
| 1.2 ZnO 材料的进展与应用 | 第26-32页 |
| 1.2.1 透明导电薄膜 | 第26-28页 |
| 1.2.2 气敏传感器 | 第28页 |
| 1.2.3 紫外探测器 | 第28-29页 |
| 1.2.4 发光器件 | 第29-32页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第32-35页 |
| 第二章 制备 ZnO 薄膜以及表征的方法 | 第35-57页 |
| 2.1 ZnO 薄膜的主要制备技术 | 第35-50页 |
| 2.1.1 真空蒸发镀膜（Vacuum vapor plating） | 第35-36页 |
| 2.1.2 原子层沉积（ALD） | 第36-37页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法（PLD: Pulsed Laser Deposition） | 第37-38页 |
| 2.1.4 分子束外延法（MBE: Molecule Beam Epitaxy） | 第38-40页 |
| 2.1.5 金属有机物化学气相沉积（MOCVD） | 第40-48页 |
| 2.1.6 磁控溅射方法（Magnetron-sputtering） | 第48-50页 |
| 2.2 ZnO 薄膜及器件的表征技术简介 | 第50-57页 |
| 2.2.1 X 射线衍射（XRD） | 第51-53页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第53-54页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第54-55页 |
| 2.2.4 光致发光(PL) | 第55页 |
| 2.2.5 电致发光(EL) | 第55-57页 |
| 第三章 ZnO 微米线的制备与表征 | 第57-75页 |
| 3.1 ZnO 微米线制备方法 | 第57-59页 |
| 3.1.1 水热法 | 第57-58页 |
| 3.1.2 化学气相沉积 | 第58-59页 |
| 3.2 ZnO 微米线样品形貌结构及表征 | 第59-67页 |
| 3.3 制作 ZnO 微米线发光器件实验方法 | 第67-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-75页 |
| 第四章 ZnO 微米线与 p 型 Si 异质结发光器件的制备与研究 | 第75-85页 |
| 4.1 基于 ZnO 材料与 Si 的研究意义 | 第75页 |
| 4.2 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结发光器件的制备 | 第75-77页 |
| 4.3 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结发光器件性能研究 | 第77-84页 |
| 4.3.1 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结发光器件 I-V 测试 | 第77-78页 |
| 4.3.2 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结发光器件电致发光研究 | 第78-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 ZnO 微米线/SiO2/Si 异质结发光器件的制备与研究 | 第85-93页 |
| 5.1 ZnO 材料与 Si 异质结发光器件中载流子阻挡层的研究意义 | 第85-86页 |
| 5.2 n 型 ZnO 微米线/ SiO_2/p 型 Si 异质结发光器件的制备 | 第86页 |
| 5.3 n 型 ZnO 微米线/ SiO_2/p 型 Si 异质结发光器件性能研究 | 第86-92页 |
| 5.3.1 n 型 ZnO 微米线/ SiO_2/p 型 Si 异质结发光器件 I-V 测试 | 第86-87页 |
| 5.3.2 n 型ZnO 微米线/ SiO_2/p 型Si 异质结发光器件电致发光研究 | 第87-90页 |
| 5.3.3 n 型 ZnO 微米线/ SiO_2/p 型 Si 异质结发光器件能带分析 | 第90-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 电泵浦 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结激光器的研究 | 第93-103页 |
| 6.1 电泵浦 ZnO 微米线基激光器研究的意义 | 第93页 |
| 6.2 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结激光器性能研究 | 第93-101页 |
| 6.2.1 I-V 测试 | 第93-94页 |
| 6.2.2 正向偏压下 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结电致发光特性研究 | 第94-96页 |
| 6.2.3 反向偏压下 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结电致发光特性研究 | 第96-98页 |
| 6.2.4 n 型 ZnO 微米线/p 型 Si 异质结发光器件能带分析 | 第98-101页 |
| 6.3 本章小结 | 第101-103页 |
| 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 攻读博士学位期间的论文成果 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
