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石墨烯/PbSe异质结的光敏特性研究

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石墨烯/PbSe异质结的光敏特性研究
论文目录
 
摘要第1-7页
abstract第7-11页
第一章 绪论第11-23页
  1.1 引言第11页
  1.2 窄禁带红外探测器概述第11-15页
    1.2.1 光电探测器的基本类型第11-13页
    1.2.2 常见的窄带隙半导体材料第13-14页
    1.2.3 窄禁带半导体红外探测器的研究现状第14-15页
  1.3 石墨烯/PbSe异质结的提出及综述第15-21页
    1.3.1 异质结的基本特性及应用第15-16页
    1.3.2 PbSe的性质及研究现状第16-19页
    1.3.3 石墨烯的性质及研究现状第19-21页
  1.4 论文的主要研究内容第21-23页
第二章 实验原理和装置介绍第23-32页
  2.1 PbSe薄膜的常用制备方法第23-26页
    2.1.1 分子束外延法简介第23-25页
    2.1.2 化学浴沉积法简介第25-26页
  2.2 石墨烯的常用制备方法第26-27页
  2.3 PbSe薄膜、石墨烯的表征和测试方法简介第27-32页
第三章 PbSe薄膜的制备和性质研究第32-38页
  3.1 PbSe薄膜的制备第32-33页
  3.2 优化工艺条件下制备的PbSe薄膜的表征分析第33-37页
  3.3 本章小结第37-38页
第四章 石墨烯的转移、表征及其晶体管的制备第38-46页
  4.1 石墨烯的转移第38-40页
  4.2 硅基底上石墨烯的表征第40-41页
    4.2.1 光学显微镜初步验证第40页
    4.2.2 石墨烯的拉曼光谱第40-41页
  4.3 石墨烯晶体管的制作第41-42页
  4.4 石墨烯晶体管性能的初步测试第42-44页
  4.5 本章小结第44-46页
第五章 石墨烯/PbSe异质结的制备和表征第46-55页
  5.1 光敏探测器的主要性能参数第47-48页
  5.2 石墨烯/PbSe异质结的制备第48-50页
  5.3 异质结的光学及电学特性表征第50-53页
  5.4 异质结光敏机制分析第53-54页
  5.5 本章小结第54-55页
第六章 CBD法制备PbSe薄膜及石墨烯/PbSe复合材料的探索第55-63页
  6.1 实验所需试剂第55-56页
  6.2 实验过程第56页
  6.3 温度对薄膜质量的影响第56-59页
  6.4 石墨烯/PbSe复合物制备第59-61页
  6.5 本章小结第61-63页
第七章 结论第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-70页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第70页

本篇论文共70页,点击这进入下载页面
 
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