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电子结构类文章270篇,页次:1/1页 【第一页‖ 上一页 ‖ 下一页 ‖最后页】 转到  
 tio_2多型体的稳定性、电子结构、光学[本文82页]  外场下单层和双层石墨烯的受限dirac电[本文124页]  pld制备ingazno薄膜及其物理性质研究[本文115页]
 过渡金属修饰的氧化铝和氮化铝团簇结[本文91页]  稀磁半导体zns掺杂mn薄膜的研究[本文62页]  若干有机发光分子电荷注入和迁移特性[本文61页]
 内嵌金属富勒烯的计算研究[本文61页]  co基heusler合金表面/界面特性及其掺[本文127页]  inganas材料电子结构与光学性质的理论[本文73页]
 eu~(3+)、tb~(3+)激活的几种含氧酸盐[本文148页]  类金刚石薄膜的分子动力学和第一性原[本文73页]  zno类薄膜结构及性能的第一性原理研究[本文58页]
 染料敏化太阳能电池光阳极研究[本文109页]  基于cuo、cds分子和固体化合物的第一[本文109页]  钡铟双原子填充方钴矿热电材料的电子[本文133页]
 la_3mgni_(14)电子结构及(110)面吸[本文58页]  铼、铱配合物电子结构和光谱性质的理[本文129页]  金属(cu,ag,au)掺杂mgf_2的电子结[本文57页]
 3d过渡金属纳米线封装在au(5,5)纳[本文57页]  低维锗基纳米材料掺杂改性的第一性原[本文140页]  掺杂gaas电子结构和光学性质的理论研[本文70页]
 n掺杂ga_2o_3薄膜的理论与实验研究[本文54页]  第一性原理研究过渡金属掺杂铝酸铋的[本文113页]  铋系层状化合物的结构设计、功能化组[本文174页]
 宽禁带半导体材料的电子结构与性质研[本文127页]  富硼硼氢化物的结构及稳定性研究[本文77页]  pd-ru-zr合金体系相结构及稳定性的第[本文118页]
 ceo_2表面的电子局域性质及其对co催化[本文80页]  znse/si异质结纳米线的研究[本文63页]  nmto方法对crn电子结构电性和磁性的研[本文77页]
 带状石墨烯边界调控的第一性原理研究[本文73页]  氧化锌基稀磁半导体的第一性原理研究[本文112页]  zns及其掺杂体系的电子结构和光学性质[本文74页]
 铑基氧化物热电材料的结构与性能研究[本文102页]  合金元素对镁铝锌合金中间相稳定性影[本文88页]  硅纳米晶体的卤素杂质研究[本文89页]
 be(0001)和nb(110)、nb(100)表[本文126页]  一些新型材料物性的理论研究[本文112页]  第一性原理方法研究空位缺陷si与sic的[本文62页]
 光子晶体光纤与半导体纳米团簇的结构[本文53页]  新型纳米光电子材料的第一性原理研究[本文60页]  (os_nn)~(0, ±)(n=1-6)团簇结构与[本文66页]
 sn-(bi,pb,in)合金熔体电传输性质[本文73页]  5-取代吲哚衍生物结构和性能的量子化[本文57页]  金属酞菁分子输运及吸附性质的第一性[本文50页]
 基于并苯分子的单分子结电子输运性质[本文61页]  金属/共轭聚合物表面与界面的光电子能[本文84页]  半导体量子点分子的电子结构及其动力[本文109页]
 半导体量子点电子结构的理论研究[本文96页]  碳纳米管的结构缺陷与表面修饰的理论[本文120页]  纳米及表面体系分子吸附的理论研究[本文121页]
 单分子器件电子输运特性的理论研究[本文109页]  若干表面体系的第一性原理研究[本文127页]  轻金属储氢材料的结构和电子性质的理[本文80页]
 sic材料p型掺杂的第一性原理研究[本文65页]  srtio_3空位缺陷及替位掺杂的第一性原[本文72页]  层状复合金属氢氧化物插层结构构筑的[本文145页]
 粘结层合金元素对热障涂层粘结层/tgo[本文81页]  金属有机介孔材料储氢性能的研究[本文81页]  [fe(h_2o)_m(oh)_n]~x配合物及m[本文70页]
 锌铝类水滑石的层板生长和超分子作用[本文67页]  类水滑石层板中常用金属离子配合物电[本文68页]  烷基咪唑离子液体的电子结构及其催化[本文71页]
 量子点的组分分布和电子结构计算[本文60页]  零维半导体材料的电子结构研究[本文113页]  钴基高温合金的元素占位及相分配的第[本文105页]
 碳纳米管缺陷对电子结构和输运性质影[本文111页]  金属fe/水溶液界面几何结构与电子结构[本文146页]  结构材料中杂质复合缺陷的第一原理电[本文116页]
 不同表面端基掺硼金刚石薄膜的微观结[本文138页]  位错芯区结构及杂质-位错相互作用的第[本文124页]  锂基陶瓷基态与缺陷性质的第一原理计[本文164页]
 金属硼氢化物x(bh_4)_n储氢材料的第一[本文75页]  单层氮化硼类石墨烯结构的电子结构和[本文38页]  half-heusler合金comn_(1-x)nb_xsb[本文45页]
 双钙钛矿sr_2fe_(1-x)cr_xmoo_6电子[本文57页]  双钙钛矿sr_(2-x)la_xcrreo_6电子结[本文42页]  尖晶石结构氮化物γ-gesi_2n_4的第一[本文54页]
 超硬材料si_(3-x)c_xn_4的第一性原[本文61页]  稀磁半导体al_(1-x)cr_xn和al_(1-[本文67页]  li离子嵌入和氧缺陷对v_2o_5电子结构[本文68页]
 ppp及其烷氧基衍生物的能带结构研究[本文64页]  gan基半导体异质结构中的应力相关效应[本文169页]  不完整晶体的电子结构计算[本文98页]
 高自旋极化率半金属的第一性原理研究[本文55页]  tio_2几何结构、电子结构和光学性能的[本文54页]  ⅲ族金属及ga_mn_n团簇性质的第一性原[本文65页]
 碳纳米管光学性质的研究[本文64页]  新型尖晶石结构半金属材料磁电性能的[本文121页]  金属小团簇的电子结构及磁性的第一性[本文141页]
 浓度和含量的康普顿散射测定原理[本文129页]  硫脲衍生物及其金属配合物的合成、表[本文80页]  sno_2(110)掺杂表面电子结构及其吸[本文145页]
 阳离子导向的m/i(m=ag,cu,pb)配位[本文207页]  nio固体及表面吸附反应电子结构的密度[本文109页]  钒基固溶体贮氢材料的研究[本文168页]
 锂离子电池锰系正极材料电子结构的量[本文61页]  mn_2ag基哈斯勒材料的第一性原理研究[本文42页]  铁基超导体电子结构和超精细相互作用[本文66页]
 (mgo)_n,(beo)_n和ge_6li_6团簇的第一[本文58页]  氧化镁纳米管团簇的结构和性质[本文51页]  li-n-h系金属络合物储氢材料微观结构[本文59页]
 尖晶石型钴铁氧体及磁铅石型锶铁氧体[本文159页]  mg基贮氢合金电子结构及贮氢性能的研[本文67页]  ab_2型laves相zr-mn基贮氢合金的电子[本文61页]
 la-mg基贮氢合金性能及二元合金laves[本文86页]  ab_2型laves相储氢合金吸氢机理及掺杂[本文51页]  ab型贮氢合金电子结构及电化学性能的[本文67页]
 储氢合金吸氢机理及掺杂元素作用机制[本文51页]  裸核过渡金属原子簇的电子结构与性质[本文51页]  reni_5基合金电子结构及储氢性能研究[本文50页]
 zr-mn基laves相合金及li系金属络合物[本文75页]  cr~(3+)离子掺杂对tio_2光催化降解[本文80页]  lani_5基合金及其氢化物电子结构与元[本文64页]
 lani_5贮氢合金电子结构及其表面吸氢[本文72页]  la-mg基贮氢合金性能及镁基贮氢合金电[本文72页]  贮氢合金与电极性能的化学模式识别及[本文39页]
 basi_2电子结构和光学性质的研究[本文92页]  巯基偶氮化合物光催化降解活性与分子[本文56页]  多铁bifeo_3及其掺杂的第一性原理研究[本文51页]
 纳米硅晶粒及铁电材料光学性质的第一[本文53页]  铋掺杂碳团簇、砷/铋类管状同分异构体[本文81页]  b、cu元素取代对mg_2ni型储氢合金结构[本文79页]
 掺杂laalo_3电子结构和光学性质的第一[本文35页]  取代mg对mg_2ni型储氢合金结构和性质[本文80页]  硅碳混合团簇和金笼状结构的dft计算[本文58页]
 sic多型体的第一性原理计算研究[本文66页]  δ和γ相的第一性原理研究及冷轧inco[本文72页]  闪锌矿结构半金属的第一性原理研究[本文63页]
 硼掺杂对β-sic光学性质的影响[本文66页]  镧系及5d过渡金属硼、碳、氮化合物的[本文111页]  硅纳米孔柱阵列及其硫化镉纳米复合体[本文101页]
 压力下硅、锗及其合金结构与电子性质[本文118页]  第一性原理研究ce掺杂zno、ce/n共掺杂[本文72页]  三元层状碳化物ti_3alc_2的电子结构和[本文63页]
 碳纳米管增强mosi_2基复合材料的第一[本文86页]  掺杂钛酸铅陶瓷的制备与性能研究[本文125页]  co元素对fe基块体非晶合金玻璃形成能[本文60页]
 新型me_3aln三元陶瓷的材料设计[本文75页]  第一性原理研究al_2o_3异构体的电子结[本文110页]  层状钙钛矿型氧化物热电材料的制备及[本文130页]
 硫—氮环状化合物结构稳定性和芳香性[本文94页]  bimo_3,nb_4sic_3和掺杂cr_2nb的力、[本文114页]  有序取向与a位部分替代ktn固溶体的第[本文116页]
 层状偏锑酸盐电子结构和线性光学性质[本文62页]  20crmnti稀土渗碳研究及稀土对碳扩散[本文83页]  烷基硫醇与几种不饱和脂肪烃电子传输[本文157页]
 inas/gaas自组装量子点的应变分布和电[本文122页]  铌酸锂晶体结构与光学性能的密度泛函[本文68页]  三元陶瓷电子结构和光学性质的第一性[本文48页]
 二茂铁基聚合物的电子结构与输运性能[本文64页]  尖晶石型软磁铁氧体电子结构及磁性质[本文54页]  掺杂尖晶石型limn_2o_4的第一性原理研[本文56页]
 卟啉—苝酰亚胺分子阵列的合成及其电[本文159页]  二元复合氧化物α-(al_(1-x)y_x)_2o_[本文61页]  过渡金属配合物电子激发态及光谱性质[本文84页]
 氧原子在ni(110)和ni(111)表面吸[本文72页]  铁铬尖晶石的高压相变和各相晶体密度[本文86页]  低温燃烧合成法制备纳米氧化铝的研究[本文142页]
 掺杂zro_2电解质的制备、性能及其导电[本文108页]  镁铝尖晶石等材料物性的理论研究[本文121页]  铟、锌、钛基透明导电氧化物的电子结[本文122页]
 锂离子电池sn-co合金负极材料充放电性[本文66页]  za合金微观结构电子理论及sic_p/za27[本文135页]  ceo_2及其掺杂的第一性原理研究[本文87页]
 单壁碳纳米管的电子结构理论计算与分[本文51页]  典型ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理[本文65页]  ca-co-o体系热电材料的量子化学计算[本文60页]
 有机非线性光学材料的从头算研究[本文56页]  两种红外探测材料和mg_2feh_6的电子结[本文61页]  锐钛矿型tio_2晶体掺杂的第一性原理研[本文79页]
 钴团簇,金团簇和硅纳米线的第一性原[本文129页]  过渡金属化合物的电子结构研究与调制[本文109页]  芘功能化光电材料的设计、合成与应用[本文189页]
 有机分子器件电子输运性质的第一性原[本文118页]  有机发光器件界面与器件稳定性的研究[本文98页]  金属团簇和锰掺杂稀磁半导体中几何结[本文141页]
 zno晶体的弹性模量和外压下电子结构的[本文50页]  方钴矿热电材料的电子结构和传输性能[本文62页]  锐钛矿型tio_2本征缺陷、掺杂的第一性[本文65页]
 sno_2基半导体材料的电子结构和光学性[本文76页]  填充方钴矿热电性能优化及机理的第一[本文118页]  zno电子结构与基本属性的第一性原理研[本文68页]
 tib_2系复合材料结构与性能的研究[本文52页]  新型铁基超导体laofeas的第一性原理计[本文66页]  dna分子的电子结构和输运性质的环境无[本文56页]
 新型铱金属配合物电子结构及光谱性质[本文60页]  磁黄铁矿晶体化学和可浮性研究[本文71页]  430不琇钢表面氧化皮组成与界面结合强[本文66页]
 掺杂锐钛矿相tio_2的第一性原理计算[本文91页]  基于第一性原理计算的半金属磁性材料[本文65页]  fe_xal_y系列金属陶瓷的量子化学计算[本文63页]
 发光有机金属配合物分子结构与光电性[本文140页]  含能分子材料的量子化学计算研究[本文59页]  一维及准一维无序体系电子输运性质研[本文121页]
 若干二元金属间化合物电子结构、弹性[本文143页]  新型碳基纳米材料的电子结构和输运性[本文126页]  第一性原理对富勒烯和氮化物的模拟计[本文159页]
 aln基稀磁半导体的第一性原理计算[本文74页]  磁性材料电子结构和自旋结构的第一性[本文57页]  三元层状碳化物复合材料的电子结构研[本文59页]
 mgs和mgse物性的第一原理研究[本文55页]  lab_6光学性质的第一性原理计算及实验[本文71页]  碳基纳米材料掺杂效应和化学修饰的第[本文75页]
 内包金属富勒烯结构与性能的密度泛函[本文94页]  lifepo_4系列电池材料的量子化学计算[本文56页]  tatb及tatb类炸药分子的电子结构及性[本文64页]
 m_x(m=cu,ag,au)/石墨烯的结构与[本文120页]  bi-te基材料的微观结构与能带的理论研[本文53页]  srbo_3(b=zr,hf)极化表面结构和稳[本文92页]
 钛酸铅(110)和(001)表面结构和稳[本文96页]  m@c_(20)f_(20)(m=li,na,be,[本文50页]  富勒烯衍生物纳米材料的密度泛函研究[本文140页]
 h_2@c_(60)及其二聚体的几何结构和[本文43页]  韧性稀土金属间化合物的制备、力学性[本文75页]  原子小团簇激发态性质及掺杂富勒烯密[本文110页]
 硝酸酯热安定性的理论和实验研究[本文133页]  单壁碳纳米锥与富勒烯及其衍生物物性[本文52页]  msi_n(m=sc、ti、v,n=8-16)几何结[本文46页]
 内掺金属富勒烯的几何结构和电子结构[本文54页]  [60]富勒烯—巴比妥酸及其二聚体的几[本文37页]  sio_2/sic界面悬挂键及其钝化的第一原[本文64页]
 cdhgte红外半导体材料电子结构的紧束[本文55页]  水分子对半胱氨酸电子结构的等效势[本文44页]  水溶液分子对赖氨酸和组氨酸电子结构[本文50页]
 热电材料的电子结构研究—掺杂对单晶[本文130页]  镁合金高温氧化及表面改性研究[本文175页]  密度泛函理论在闭壳层相互作用中的应[本文207页]
 数据挖掘与量化计算在钙钛矿体系qspr[本文143页]  ga掺杂cuinse_2电子结构和光学性质的[本文38页]  掺杂效应对natao_3光催化剂能带及电子[本文97页]
 掺杂zno稳定性和电子结构的第一性原理[本文123页]  新金刚石晶体结构及电子结构的第一性[本文66页]  ni-ti(ta)合金的相变和电子结构的研[本文131页]
 一维环多烯——过渡金属三明治分子线[本文46页]  有机磁性体“ni(cyclam)”“cu(tf[本文43页]  过渡金属掺杂半导体znte的磁性和电子[本文39页]
 有机磁性体[ni(cyclam)][cu(tfadt)_2[本文43页]  n/f掺杂及n-f共掺杂tio_2(101)表面特[本文107页]  掺杂zno稀磁半导体磁性的第一性原理计[本文124页]
 半导体可饱和吸收体调q的微观机理研究[本文87页]  碳—氮化硼纳米异质结构的设计与性能[本文110页]  含有缺陷的手性碳纳米管的电子结构和[本文61页]
 掺杂和缺陷对碳纳米管电子结构和光学[本文60页]  缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯电子输运[本文125页]  异质掺杂对碳纳米管电子特性和输运性[本文102页]
 半金属heusler材料第一性原理研究[本文62页]  过渡族硫化物系列材料的第一性原理研[本文66页]  mgb_2超导薄膜的量子尺寸效应[本文62页]
 高p型导电率氧化锌的设计与计算[本文121页]  锐钛矿tio_2的掺杂改性和光催化性质的[本文59页]  bavs_3材料的第一性原理研究[本文60页]
 过渡金属掺杂对tio_2电子结构影响的第[本文43页]  石墨烯人工结构中的电子输运性质研究[本文102页]  金属nb及其空位与h的相互作用的第一性[本文82页]
 b2-nial基本力学性质合金化效应计算[本文78页]  氧吸附和拓扑缺陷对碳纳米管电子输运[本文88页]  碳纳米管电子结构及输运特性的研究[本文124页]
 zno掺杂改性的第一性原理研究[本文126页]  ag掺杂zno的第一性原理研究[本文81页]  储氢材料mg_2ni及其氢化物的第一性原[本文53页]
 锂离子电池负极材料石墨嵌锂行为的第[本文45页]  锂离子电池电极材料黑磷与limn_2o_4的[本文49页]  固体氧化物燃料电池负极材料sr_(n+1)[本文54页]
 锂离子电池正极材料limpo_4(m=mn,f[本文68页]  新型锂离子电池负极材料[本文45页]  接枝和掺杂对碳纳米管电学性能的影响[本文76页]
 锂离子电池负极材料li_4ti_5o_(12)[本文51页]  pt掺杂tio_2光吸收性能的第一性原理研[本文60页]  锂离子电池正极材料lifepo_4的第一性[本文53页]
 
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