论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-26页 |
| · 透明氧化物半导体简介 | 第14-16页 |
| · 透明氧化物半导体研究现状 | 第15页 |
| · 透明氧化物半导体应用 | 第15-16页 |
| · InGaZnO 薄膜的研究现状 | 第16-20页 |
| · InGaZnO 简介 | 第16页 |
| · InGaZnO 的电子输运特性 | 第16-17页 |
| · InGaZnO 薄膜以及 TFT 研究进展 | 第17-20页 |
| · 氧化物半导体薄膜制备技术 | 第20-24页 |
| · 分子束外延 | 第21-22页 |
| · 磁控溅射 | 第22页 |
| · 化学气相沉积 | 第22-23页 |
| · 溶胶-凝胶法 | 第23页 |
| · 脉冲激光沉积 | 第23-24页 |
| · 本课题研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 透明氧化物半导体材料的理论分析 | 第26-48页 |
| · 引言 | 第26页 |
| · 密度泛函理论 | 第26-31页 |
| · 薛定谔方程 | 第27-28页 |
| · 绝热近似（Bom-Oppenheimer)方法 | 第28页 |
| · Hohenberg-Kohn 定理 | 第28-29页 |
| · Kohn-Sham 方程 | 第29-30页 |
| · 交换-关联能函数近似 | 第30-31页 |
| · 计算模拟软件介绍 | 第31-33页 |
| · Material Studio 软件 | 第31-32页 |
| · CASTEP 软件 | 第32-33页 |
| · 理想 ZnO 电子结构和性质的理论计算 | 第33-37页 |
| · 理想 ZnO 的模型构建与计算方法 | 第33-34页 |
| · 理想 ZnO 电子结构计算 | 第34-37页 |
| · 氧空位对于 ZnO 电子结构的影响 | 第37-39页 |
| · 模型构建与计算方法 | 第37-38页 |
| · 能带结构和态密度 | 第38-39页 |
| · 分波态密度 | 第39页 |
| · InGaZnO 电子结构的理论计算与分析 | 第39-46页 |
| · InGaZnO_4电子结构计算 | 第40-43页 |
| · 虚拟晶体近似法计算InGaZnO_4电子结构 | 第43-46页 |
| · 本章小结 | 第46-48页 |
| 第3章 实验设备及表征方法 | 第48-62页 |
| · InGaZnO 陶瓷靶材制备 | 第48-51页 |
| · 固相反应烧结法基本原理 | 第48页 |
| · 靶材制备设备 | 第48-50页 |
| · InGaZnO 靶材制备的实验流程 | 第50-51页 |
| · InGaZnO 薄膜制备 | 第51-55页 |
| · 脉冲激光沉积法基本原理 | 第51-53页 |
| · 脉冲激光沉积系统 | 第53-55页 |
| · InGaZnO 薄膜制备的实验流程 | 第55页 |
| · 表征方法及原理 | 第55-60页 |
| · 薄膜厚度测试 | 第55-56页 |
| · X 射线衍射测试 | 第56-57页 |
| · 表面形貌测试 | 第57-58页 |
| · 透射光谱测试 | 第58页 |
| · 电学性质测试 | 第58页 |
| · X 射线光电子能谱分析 | 第58-59页 |
| · 拉曼光谱测试 | 第59-60页 |
| · 荧光光谱测试 | 第60页 |
| · 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 InGaZnO 陶瓷靶材的制备及表征 | 第62-70页 |
| · 引言 | 第62页 |
| · InGaZnO 陶瓷靶材制备 | 第62-64页 |
| · InGaZnO 陶瓷靶材性能表征 | 第64-69页 |
| · 径向收缩率测试 | 第64-65页 |
| · XRD 测试 | 第65-67页 |
| · 拉曼光谱分析 | 第67-68页 |
| · 光致发光光谱分析 | 第68-69页 |
| · 本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 沉积参数对 InGaZnO 薄膜物理性质的影响 | 第70-95页 |
| · 引言 | 第70页 |
| · 氧分压对沉积 InGaZnO 薄膜物理性质的影响 | 第70-82页 |
| · 采用(Ga_2O_3)_(0.1)(In_2O_3)_(0.1)(ZnO)_(0.8)靶材进行薄膜沉积 | 第70-77页 |
| · 采用(Ga_2O_3)_(0.1)(In_2O_3)_(0.8)(ZnO)_(0.1)靶材进行薄膜沉积 | 第77-82页 |
| · 基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜物理性质的影响 | 第82-93页 |
| · 低基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜的影响 | 第83-88页 |
| · 高基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜的影响 | 第88-93页 |
| · 本章小结 | 第93-95页 |
| 结论 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-110页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 个人简历 | 第114-115页 |
