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外场下单层和双层石墨烯的受限Dirac电子结构

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外场下单层和双层石墨烯的受限Dirac电子结构
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 绪论第9-25页
  1.1 研究背景和意义第9-10页
  1.2 单层和双层石墨烯第10-16页
    1.2.1 制备、基本性质与潜在应用第11-12页
    1.2.2 单层石墨烯的结构与有效质量模型第12-14页
    1.2.3 双层石墨烯的结构与有效质量模型第14-16页
  1.3 石墨烯体系的典型物理性质第16-21页
    1.3.1 量子霍尔效应第16-18页
    1.3.2 克莱因(Klein)效应第18-19页
    1.3.3 原子塌缩现象第19-21页
  1.4 石墨烯体系的能隙第21-22页
  1.5 石墨烯体系的受限电子结构第22-23页
  1.6 本文的整体研究思路与安排第23-25页
第2章 类氢杂质对石墨烯磁量子点的调控第25-42页
  2.1 本章引言第25-26页
    2.1.1 石墨烯量子点第25-26页
    2.1.2 石墨烯中的杂质第26页
  2.2 理论模型第26-30页
    2.2.1 模型哈密顿量第26-28页
    2.2.2 耦合分区级数解法第28-30页
  2.3 磁量子点第30-31页
  2.4 杂质效应第31-38页
    2.4.1 类氢杂质对能谱的影响第31-35页
    2.4.2 结合能与电子几率分布第35-38页
  2.5 Dirac电子的质量效应第38-41页
  2.6 本章小结第41-42页
第3章 石墨烯中的原子塌缩及其磁场调控第42-62页
  3.1 本章引言第42-43页
  3.2 模型概述与边界条件第43-49页
    3.2.1 模型哈密顿量第43-45页
    3.2.2 二维矢量型分区级数解法第45-49页
  3.3 杂质能谱的演化及其磁场调控第49-54页
    3.3.1 次临界区域的模型对比第49-50页
    3.3.2 超临界区域及磁场调控第50-54页
  3.4 朗道能级的变化第54-56页
  3.5 超临界态的电子几率分布第56-57页
  3.6 电子质量和边界的效应第57-61页
  3.7 本章小结第61-62页
第4章 双层石墨烯的磁量子点和量子环第62-85页
  4.1 本章引言第62-63页
  4.2 理论模型第63-71页
    4.2.1 模型哈密顿量及相关方程第63-67页
    4.2.2 四维矢量型分区级数解法第67-71页
  4.3 双层石墨烯朗道能级第71-74页
  4.4 双层石墨烯磁量子点第74-79页
    4.4.1 量子点的磁场效应第74-77页
    4.4.2 量子点的尺寸效应第77-79页
  4.5 双层石墨烯磁量子环第79-83页
    4.5.1 量子环的磁场效应第79-81页
    4.5.2 量子环的尺寸效应第81-83页
  4.6 本章小结第83-85页
第5章 双层石墨烯的量子电容及其磁振荡第85-96页
  5.1 本章引言第85-87页
    5.1.1 量子电容第85-86页
    5.1.2 Rashba自旋轨道耦合第86-87页
  5.2 理论模型第87-90页
    5.2.1 模型哈密顿量第87-88页
    5.2.2 朗道能级与磁电容第88-90页
  5.3 结果与讨论第90-95页
    5.3.1 电压调控量子电容第90-93页
    5.3.2 量子电容的磁振荡第93-94页
    5.3.3 温度对量子电容的影响第94-95页
  5.4 本章小结第95-96页
第6章 总结第96-98页
参考文献第98-107页
致谢第107-109页
附录A 四维矢量型分区级数解法的详细推导第109-124页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第124页

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