Ga掺杂CuInSe<sub>2</sub>电子结构和光学性质的第一性原理研究

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Ga掺杂CuInSe₂电子结构和光学性质的第一性原理研究

Ga掺杂CuInSe₂电子结构和光学性质的第一性原理研究

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
第一章引言	第7-11页
(一) 研究背景	第7-10页
1 CuInSe_2薄膜太阳能电池	第7-8页
2 Ga掺杂CuInSe_2	第8-10页
(二) 本文的主要工作	第10-11页
第二章理论基础和计算方法	第11-23页
(一) 密度泛函理论	第11-16页
1 绝热近似	第11-12页
2 Hohenberg-Kohn定理	第12-14页
3 Kohn-Sham方程	第14-15页
4 交换关联泛函	第15-16页
(二) 线性缀加平面波方法	第16-18页
(三) Wien2k软件包	第18-20页
(四) 半导体带间光跃迁	第20-23页
1 光吸收的描述	第20-21页
2 介电函数的虚部	第21-22页
3 光吸收系数	第22-23页
第三章 Ga掺杂CuInSe_2电子结构的第一性原理研究	第23-35页
(一) 晶体结构及计算细节	第23-25页
1 CuInSe_2晶体结构	第23页
2 计算细节	第23-25页
(二) 结果与讨论	第25-34页
1 电子结构	第25-32页
2 光学性质	第32-34页
(三) 总结	第34-35页
参考文献	第35-38页
致谢	第38 页

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