SiC材料P型掺杂的第一性原理研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6
页 | | Abstract | 第6-14
页 | | 第一章 绪论 | 第14-20
页 | | · SiC材料物理特性及研究意义 | 第14-16
页 | | · SiC的物理特性 | 第14-15
页 | | · SiC的相关应用 | 第15-16
页 | | · SiC材料的应用 | 第16-17
页 | | · 国内外研究现状 | 第17-19
页 | | · 实验研究现状 | 第17-18
页 | | · 理论研究现状 | 第18-19
页 | | · 本文的主要内容 | 第19-20
页 | | · 本文的研究意义 | 第19
页 | | · 本文研究内容 | 第19-20
页 | | 第二章 第一性原理及VASP软件介绍 | 第20-35
页 | | · 引言 | 第20-21
页 | | · Born-Oppenheimer近似 | 第21
页 | | · Harteree-Fock近似 | 第21-23
页 | | · Hartree方程 | 第21-22
页 | | · Harteree-Fock方程 | 第22-23
页 | | · 密度泛函理论 | 第23-30
页 | | · Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26
页 | | · Kohn-Sham方程 | 第26-27
页 | | · 局域密度泛函近似(LDA) | 第27
页 | | · 广义梯度近似(GGA) | 第27-29
页 | | · 布洛赫定理 | 第29-30
页 | | · 赝势方法 | 第30-32
页 | | · 模守恒赝势 | 第30-31
页 | | · 超软赝势 | 第31-32
页 | | · 第一性原理软件VASP介绍 | 第32-34
页 | | · 本章小结 | 第34-35
页 | | 第三章 本征SiC几何结构及电子结构计算 | 第35-41
页 | | · 引言 | 第35
页 | | · 理论模型及计算方法 | 第35-36
页 | | · 理论模型 | 第35-36
页 | | · 计算方法 | 第36
页 | | · 计算结果及讨论 | 第36-38
页 | | · 晶体结构计算结果 | 第36
页 | | · 能带结构 | 第36-38
页 | | · 电子态密度分析 | 第38
页 | | · 4H SiC计算讨论 | 第38-40
页 | | · 本章小结 | 第40-41
页 | | 第四章 SiC材料P型掺杂的电子结构计算讨论 | 第41-53
页 | | · 引言 | 第41
页 | | · 计算方法及细节 | 第41-42
页 | | · 计算方法 | 第41-42
页 | | · 计算细节 | 第42
页 | | · 计算结果及讨论 | 第42-52
页 | | · 结构优化 | 第42
页 | | · 掺杂形成能 | 第42-43
页 | | · 能带结构分析 | 第43-46
页 | | · 电子态密度分析 | 第46-52
页 | | · 结论 | 第52-53
页 | | 第五章 SiC材料的磁性性能计算 | 第53-60
页 | | · 引言 | 第53-54
页 | | · 研究背景及意义 | 第53
页 | | · SiC基稀磁半导体的研究进展 | 第53-54
页 | | · 本文的研究意义 | 第54
页 | | · 计算方法及细节 | 第54-56
页 | | · 计算模型 | 第54-55
页 | | · 计算细节 | 第55-56
页 | | · SiC材料磁学性能的计算结果讨论 | 第56-59
页 | | · 晶体结构计算结果 | 第56-57
页 | | · Si_(1-x)V_xC,Si_(1-x)Cr_xC, Si_(1-x)Mn_xC的掺杂形成能比较 | 第57-58
页 | | · Si_(1-x)V_xC,Si_(1-x)Cr_xC, Si_(1-x)Mn_xC掺杂的磁性比较 | 第58-59
页 | | · 本章小结 | 第59-60
页 | | 参考文献 | 第60-63
页 | | 致谢 | 第63-64
页 | | 发表论文 | 第64-65
页 | | 作者简介 | 第65
页 | | 导师简介 | 第65页 |
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