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零维半导体材料的电子结构研究

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零维半导体材料的电子结构研究
论文目录
 
摘要第1-7 页
ABSTRACT第7-14 页
第一章 绪论第14-36 页
  · 纳米半导体材料第14-16 页
  · 零维半导体材料的研究现状第16-26 页
    · 量子点、量子环的器件应用第16-19 页
      · 单电子器件第16-17 页
      · 量子点激光器第17 页
      · 量子点红外探测器第17-18 页
      · 量子点单光子光源第18 页
      · 量子环器件第18-19 页
    · 零维半导体异质结构的制备第19-23 页
      · 应变自组织量子点生长第19-21 页
      · 盖层对量子点形貌的影响、量子环的形成第21-22 页
      · 液滴外延生长量子点、量子环第22-23 页
    · 零维半导体材料的电子结构第23-26 页
      · 量子点、量子环的电子结构的研究意义第23-24 页
      · 量子点、量子环的电子结构的理论计算方法第24-26 页
  · 本论文结构安排第26-29 页
  参考文献第29-36 页
第二章 多带k·p微扰理论第36-62 页
  · 体材料的多带k·p微扰理论第37-47 页
    · k·p微扰的一般理论第37-39 页
    · 多带k·p微扰的Kane模型第39-43 页
      · Kane模型的基函数和哈密顿量第40-41 页
      · Kane模型哈密顿量的本征值和本征函数第41-43 页
    · 多带k·p微扰的Luttinger-Kohn模型第43-46 页
      · Luttinger-Kohn模型的基函数第43-44 页
      · Luttinger-Kohn模型哈密顿量第44-46 页
    · 远带的影响第46-47 页
  · 半导体材料的电子和空穴有效质量第47-51 页
    · 电子的有效质量第47 页
    · 空穴的有效质量第47-51 页
  · 零维半导体材料的多带k·p微扰理论第51-60 页
    · 量子点的八带k·p哈密顿量第51-53 页
    · 平面波展开法第53-57 页
    · 傅立叶变换方法计算哈密顿量矩阵元第57-60 页
  参考文献第60-62 页
第三章 InAs/GaAs量子环和GaAs/AlGaAs同心双量子环的电子结构第62-75 页
  · InAs/GaAs量子环的价带能级第62-69 页
    · k·p微扰理论计算量子环的价带能级——解析积分和傅立叶变换方法的结果比较第62-67 页
    · k·p微扰理论计算量子环的价带能级——四带、六带和八带哈密顿量的结果比较第67-69 页
  · GaAs/AlGaAs同心双量子环的电子结构第69-74 页
    · GaAs/AlGaAs同心双量子环的导带能级第69-71 页
    · GaAs/AlGaAs同心双量子环的基态能级受磁场的影响第71-74 页
  参考文献第74-75 页
第四章 有限元方法计算量子环的电子结构第75-94 页
  · 量子点的弹性应变场第75-80 页
    · 量子点应力应变基本理论第75-77 页
    · 应变对量子点k·p哈密顿量的影响第77-80 页
      · 应变半导体材料的Pikus-Bir哈密顿量第77-79 页
      · 应变对异质结构半导体能带带边的修正第79-80 页
  · 有限元方法简介第80-83 页
    · 有限元方法基本思想第80 页
    · 有限元分析第80-83 页
      · 有限元方法的数学实现第80-81 页
      · 有限元方法处理应力应变问题第81-82 页
      · 有限元方法的软件实现第82-83 页
  · GaSb/GaAs量子环的应变分布和空穴能态第83-87 页
  · InAs/GaAs量子环分子的应变分布和电子能级第87-92 页
  参考文献第92-94 页
第五章 电场、磁场对量子点、量子环电子结构的影响第94-106 页
  · 纵向电场对InAs/GaAs量子环分子的电子能级和波函数的影响第94-97 页
  · 横向电场对非垂直对准InAs/GaAs量子点分子的电子能级和波函数的影响第97-100 页
  · 磁场对GaAs/AIGaAs二维量子环的电子能级和波函数的影响第100-105 页
  参考文献第105-106 页
第六章 总结与展望第106-109 页
  · 论文总结第106-107 页
  · 今后工作展望第107-108 页
  参考文献第108-109 页
致谢第109-111 页
攻读博士学位期间发表的论文第111-113页

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