论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6
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| Abstract | 第6-16
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| 第一章 序论 | 第16-20
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| · GaN 基半导体研究的根本性问题 | 第16-17
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| · 研究手段发展的基础性问题 | 第17-18
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| · 论文构架 | 第18-20
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| 第二章 晶体生长方法和表征 | 第20-38
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| · III 族氮化物生长方法 | 第20-28
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| · 金属有机物汽相外延（MOVPE） | 第20-22
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| · 侧向外延GaN 的制备 | 第22-28
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| · AlGaN/GaN 异质结构的制备 | 第28
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| · 表征方法 | 第28-38
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| · 扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30
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| · 透射电子显微镜（TEM） | 第30-32
页 |
| · 俄歇电子能谱（AES） | 第32-34
页 |
| · X 射线衍射（XRD） | 第34-35
页 |
| · 拉曼散射谱（Raman） | 第35-36
页 |
| · 阴极荧光谱（CL） | 第36-38
页 |
| 第三章 计算模拟方法 | 第38-60
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| · 密度泛函理论的电子结构计算 | 第38-49
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| · 密度泛函理论 | 第38-42
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| · 混合基赝势计算方法 | 第42-47
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| · 力与结构优化 | 第47-49
页 |
| · 计算模拟的应力模型 | 第49-53
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| · 体材料模型和表面材料模型 | 第49-52
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| · 异质结构模型 | 第52-53
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| · 应力场的构建 | 第53
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| · GaN 和AlN 材料基本性质的计算 | 第53-60
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| · GaN 和AlN 体材料的基本性质 | 第54-56
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| · GaN 和AlN 表面系统的基本性质 | 第56-60
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| 第四章 俄歇谱广义位移概念及其微纳区测量技术的建立 | 第60-83
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| · 引言 | 第60-61
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| · 俄歇电子理论 | 第61-68
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| · 俄歇电子跃迁过程和表述 | 第61-62
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| · 俄歇电子能量的表达 | 第62-63
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| · 价电子态对俄歇电子能量的影响 | 第63-64
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| · 价电子能带俄歇谱的理论表述及其简化 | 第64-66
页 |
| · 价电子能带俄歇谱中的电子信息 | 第66-68
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| · 俄歇谱广义位移概念及其微观物理意义 | 第68-73
页 |
| · 广义位移概念及其意义 | 第68-69
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| · 俄歇峰位对应微观变化实例 | 第69-71
页 |
| · 俄歇峰形对应微观变化实例 | 第71-73
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| · 纳米区域应力测量技术的建立 | 第73-77
页 |
| · 应力测量技术的发展 | 第73-74
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| · 俄歇谱位移与微观应力的对应关系 | 第74-75
页 |
| · 俄歇谱位移量的测量 | 第75-76
页 |
| · 样品和测试环境 | 第76-77
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| · 远场非接触性纳米区域电学测量技术的建立 | 第77-81
页 |
| · 电学测量技术的发展 | 第77-79
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| · 局域电荷及电场的俄歇谱信息 | 第79-80
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| · 局域电荷浓度及电场的测量 | 第80
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| · 样品和测试环境 | 第80-81
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| · 结论 | 第81-83
页 |
| 第五章 GaN 中的应力场转变及带边发光增强效应 | 第83-104
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| · 引言 | 第83-84
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| · 侧向外延GaN 中应力场的释放机制 | 第84-89
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| · 表面形貌和应力分布 | 第84-86
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| · 剖面应力演化分布的精确测量 | 第86-88
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| · 应力场释放机制 | 第88-89
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| · 位错集体有序行为及纵向应力场转变 | 第89-94
页 |
| · 侧向外延区位错的有序拐弯 | 第89-91
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| · 位错半环集体攀移及纵向应力场 | 第91-93
页 |
| · 纵向应力场与光谱蓝移 | 第93-94
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| · 带边发光增强效应 | 第94-101
页 |
| · 侧向区的高亮紫外发光 | 第94-96
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| · 纵向应力场的带边发光增强效应 | 第96-99
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| · 横向位错阵列的极化场碎断效应 | 第99-101
页 |
| · 结论 | 第101-104
页 |
| 第六章 GaN/AlGaN/GaN 异质界面的压电极化效应 | 第104-122
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| · 引言 | 第104-105
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| · III 族氮化物异质结构的压电极化效应 | 第105-110
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| · III 族氮化物的压电极化 | 第105-107
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| · AlGaN/GaN 异质结的压电极化 | 第107-109
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| · 压电极化的光学和电学效应 | 第109-110
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| · GaN/AlGaN/GaN 异质界面极化场的表征 | 第110-116
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| · 界面层的组分扩散深度 | 第110-112
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| · 界面的极化电荷薄层 | 第112-114
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| · 极化电场分布 | 第114-115
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| · 缓变界面的能带弯曲 | 第115-116
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| · GaN/AlGaN 的能带结构计算 | 第116-119
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| · GaN/AlGaN/GaN 异质结层晶的能带弯曲 | 第117-118
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| · AlGaN/GaN/AlGaN 量子阱的能带弯曲 | 第118-119
页 |
| · 结论 | 第119-122
页 |
| 第七章 应力控制下 AlGaN 体系异质界面的结构相变 | 第122-138
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| · 引言 | 第122-123
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| · AlGaN/GaN 应变异质界面的结构相变 | 第123-132
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| · 异质界面模型与结构转变能 | 第123-124
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| · AlGaN 薄膜相变的临界厚度 | 第124-127
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| · 次近邻键相互作用和Al-N 键共价化效应 | 第127-128
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| · 相变势垒 | 第128-129
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| · 相变对AlGaN/GaN 压电极化场的影响 | 第129-130
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| · AlGaN/GaN 样品异质界面相变的观测 | 第130-132
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| · AlGaN/AlN 应变异质界面的结构相变 | 第132-135
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| · AlGaN 异质界面层的结构转变 | 第133-134
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| · 相变结构稳定的应力范围 | 第134-135
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| · 结论 | 第135-138
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| 第八章 总结与展望 | 第138-142
页 |
| 参考文献 | 第142-167
页 |
| 第一章 | 第142-143
页 |
| 第二章 | 第143-148
页 |
| 第三章 | 第148-152
页 |
| 第四章 | 第152-156
页 |
| 第五章 | 第156-159
页 |
| 第六章 | 第159-163
页 |
| 第七章 | 第163-167
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| 附录 博士期间发表的论文及成果 | 第167-169
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| 致谢 | 第169页 |
