论文目录 | |
第一章 导论 | 第15-27
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§· 前言 | 第15-17
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§· 研究背景 | 第17-25
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§· 半导体量子点激光器的研究进展 | 第17-20
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§· 量子动态局域化的研究进展 | 第20-25
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§· 本论文的目标和概貌 | 第25-27
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第二章 半导体自组织量子点在量子阱结构(DWELL)的电子结构及光学性质 | 第27-39
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§· 前言 | 第27-28
页 |
§· 模型和方法 | 第28-31
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§· 结果和讨论 | 第31-37
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§· 量子阱中InAs/In_xGa_(1-x)As自组织量子点的电子结构 | 第31-34
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§· 在量子阱中自组织量子点结构GaN/Ga_xAl_(1-x)N的电子能谱 | 第34-37
页 |
§· 本章小结 | 第37-39
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第三章 双量子点分子中激子的场致动态局域化 | 第39-62
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§· 前言 | 第39-40
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§· 电子和空穴的隧穿系数相同的情况 | 第40-50
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§· 模型和方法 | 第40-44
页 |
§· 结果和讨论 | 第44-50
页 |
§· 电子和空穴具有不同隧穿系数的一般情况 | 第50-60
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§· 模型和方法 | 第50
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§· 结果和讨论 | 第50-60
页 |
§· 本章小结 | 第60-62
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第四章 在交变电场驱动下线形三量子点分子中激子的隧穿性质 | 第62-73
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§· 前言 | 第62
页 |
§· 模型和方法 | 第62-67
页 |
§· 结果和讨论 | 第67-72
页 |
§· 强场驱动下,当n=|k|/ω是偶数时,激子的动力学性质 | 第67-68
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§· 在强场驱动下,n=|k|/ω是奇数时,激子的动力学行为 | 第68-69
页 |
§· 弱场驱动下激子的动态局域化 | 第69-72
页 |
§· 本章小结 | 第72-73
页 |
第五章 交变电场驱动下线形三量子点分子中双电子的量子隧穿 | 第73-88
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§· 前言 | 第73
页 |
§· 模型和方法 | 第73-76
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§· 结果和讨论 | 第76-86
页 |
§· 在三重态子空间双电子的隧穿特性 | 第76-80
页 |
§· 在单态子空间双电子的隧穿特性 | 第80-86
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§· 本章小结 | 第86-88
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第六章 总结和展望 | 第88-90
页 |
参考文献 | 第90-94
页 |
附录一 交变电场驱动下线形三量子点分子中激子的哈密顿 | 第94-101
页 |
附录二 交变电场驱动下线形三量子点分子中双电子的哈密顿 | 第101-108
页 |
在学期间发表的论文及已完成的工作 | 第108-109
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致谢 | 第109页 |