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晶体管：按工艺分
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晶体管：按工艺分类文章311篇，页次：1/2页 【第一页‖ 上一页 ‖ 下一页‖最后页】 转到   页
 p型氧化物薄膜及晶体管的制备与性能[本文56页]  溶液法制备氧化铪介电层及其在薄膜[本文54页]  基于有机薄膜晶体管的电子纸显示器[本文65页]
 非晶硅薄膜晶体管PECVD成膜工艺的优[本文59页]  ALD氧化锌薄膜晶体管制备与稳定性研[本文90页]  垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气[本文50页]
 氧化锌薄膜晶体管的工作特性解析[本文57页]  钇铟共掺杂氧化锌薄膜特性的研究[本文74页]  磁控溅射CuO-TFT的制备工艺及性能研[本文79页]
 金属氧化物薄膜的低温溶液法制备及[本文70页]  高k金属氧化物薄膜及晶体管的制备与[本文53页]  基于水性超薄ZrO_2高κ介电层的薄膜[本文54页]
 基于电流体直写掩膜的晶体管制备与[本文73页]  MgInSnO薄膜晶体管的研制[本文49页]  基于氧化锌薄膜晶体管的透明指纹识[本文88页]
 基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管[本文65页]  非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管的制备与[本文81页]  基于HfO_x介电层有机薄膜晶体管的制[本文68页]
 基于复合绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管[本文82页]  具有温度相关性的薄膜晶体管电流模[本文67页]  柔性工艺薄膜晶体管直流栅应力可靠[本文67页]
 有机色素酞菁铅薄膜晶体管制备与光[本文59页]  有机薄膜晶体管的工作特性及载流子[本文60页]  氧化锌薄膜晶体管制备工艺及性能解析[本文56页]
 高k栅介质氧化锌薄膜晶体管的制备及[本文72页]  基于非晶氧化物薄膜晶体管的标签存[本文67页]  多晶硅薄膜晶体管电学特性与可靠性[本文96页]
 低温、高迁移率金属氧化物薄膜晶体[本文95页]  掺硅氧化锡薄膜晶体管的研究[本文80页]  基于新型半导体材料和热压烧结靶材[本文89页]
 高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用[本文117页]  基于双栅结构的非晶硅薄膜晶体管建[本文125页]  非晶铟镓锌氧薄膜晶体管在栅压应力[本文118页]
 氧化物薄膜晶体管及其有源材料的研究[本文151页]  氧化铟基薄膜晶体管的制备与性能研究[本文103页]  有机薄膜晶体管的制备及其气敏性能[本文128页]
 新型聚合物绝缘材料的设计、制备及[本文158页]  非晶硅锗/氧化铟锌薄膜性能优化及其[本文130页]  可用于柔性光电子器件的薄膜晶体管[本文157页]
 氧化物薄膜晶体管的制备与物性研究[本文130页]  背沟道刻蚀型氧化物薄膜晶体管的研究[本文102页]  非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参[本文115页]
 氧化物电子材料及其在薄膜晶体管的[本文97页]  有机半导体厚度对薄膜晶体管气体传[本文68页]  基于Al_2O_3栅介质的ZnO TFT制备与[本文64页]
 InGaZnO-TFT和InTiZnO-TFT的制备及[本文77页]  基于生物材料的有机薄膜晶体管研究[本文121页]  基于态密度模型的铟镓锌氧化物薄膜[本文62页]
 氧化物薄膜晶体管及新型有源层材料[本文145页]  薄膜晶体管的界面修饰及相关器件研究[本文128页]  基于湿法制备的有机薄膜晶体管器件[本文111页]
 LTPS TFT层间绝缘层的工艺优化及器[本文76页]  基于氧化锌薄膜晶体管的射频识别标[本文66页]  金属氧化物薄膜晶体管SPICE模型参数[本文101页]
 膦酸自组装分子（SAMs）在基于萘四[本文87页]  基于噻吩异靛蓝衍生物的共轭聚合物[本文78页]  羟醛缩合反应制备异靛蓝类共轭聚合[本文82页]
 以有机膦酸/氧化铝为绝缘层的低伏柔[本文75页]  多功能有机薄膜晶体管研究[本文72页]  基于表面势的单栅与围栅多晶硅薄膜[本文45页]
 基于MOTFT的行集成驱动电路的研究[本文66页]  应用于AMOLED显示的金属氧化物TFT行[本文65页]  海藻酸钠为栅介质低电压双电层薄膜[本文79页]
 基于表面势的非晶铟镓氧化锌薄膜晶[本文68页]  有机薄膜分子取向影响机理及其电荷[本文115页]  铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能[本文69页]
 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备和性[本文71页]  非均匀界面电荷对pMOS及TFT阈值电压[本文62页]  溶液法制备IGZO-TFT器件的性能优化[本文72页]
 阳极氧化法制备TFT绝缘层研究[本文81页]  磁控溅射法制备MgAlSnO薄膜及其特性[本文65页]  基于非晶氧化物半导体薄膜晶体管的[本文83页]
 IZO TFT参数提取与电应力退化特性研[本文72页]  金属氧化物TFT在数字集成电路中的应[本文71页]  基于异质诱导生长的红荧烯薄膜晶体[本文53页]
 有机半导体在溶液中取向生长机制及[本文79页]  基于非对称结构的有机半导体喷墨打[本文89页]  碳纳米管薄膜晶体管极性调控及柔性[本文117页]
 湿法制备的晶态金属氧化物薄膜及其[本文128页]  多元金属氧化物n型半导体薄膜制备与[本文110页]  Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管制备与研究[本文69页]
 基于SiN_x绝缘层的a-IGZO TFT性能提[本文69页]  基于C_(60)有源层的高性能N沟有机薄[本文64页]  双有源层a-IGZO薄膜晶体管的特性仿[本文55页]
 以壳聚糖/氧化石墨烯复合固态电解质[本文63页]  有机薄膜晶体管模型建立及其集成电[本文125页]  基于量子点/低维纳米碳材料的光调制[本文146页]
 非晶IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰[本文79页]  ZnSnO基薄膜晶体管的制备和性能研究[本文114页]  全旋涂工艺构建核心体系制备浮栅有[本文114页]
 溶胶凝胶法制备Hf基高k栅介质薄膜及[本文92页]  一氧化锡薄膜晶体管与类CMOS电子器[本文162页]  非晶ZnTiSnO薄膜的制备及薄膜晶体管[本文78页]
 尖晶石型复合金属氧化物的电子性能[本文68页]  有机薄膜晶体管的界面性能研究[本文117页]  非晶氧化物薄膜晶体管热稳定性的研究[本文75页]
 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管光照稳定性[本文81页]  离子凝胶栅介电层有机薄膜晶体管的[本文54页]  源漏电极对底栅底接触有机薄膜晶体[本文71页]
 金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液[本文140页]  薄膜晶体管的功能层修饰与性能关系[本文160页]  薄膜晶体管器件在动态应力下的退化[本文110页]
 氧化物薄膜晶体管和反相器的制备与[本文72页]  基于双层结构InGaZnO/InGaZnO:N薄膜[本文102页]  仿神经元突触行为的碳纳米管晶体管[本文68页]
 IGZO-TFT器件的制备工艺探索及性能[本文86页]  异质外延生长红荧烯薄膜及性质的研究[本文46页]  功能化聚噻吩材料的制备与性能研究[本文78页]
 溶液法薄膜制备工艺中微观表面梯度[本文77页]  基于IGZO的薄膜晶体管结构设计和性[本文75页]  基于活性层及介电层改性的有机薄膜[本文66页]
 基于活性层掺杂的有机薄膜晶体管制[本文49页]  基于表面势的双栅多晶硅薄膜晶体管[本文56页]  非晶铟鎵氧化锌薄膜晶体管漏电流模[本文60页]
 基于电极界面调控提高OTFT注入效应[本文58页]  非晶铟镓锌氧薄膜晶体管的器件物理[本文105页]  溶液法制备有机薄膜晶体管有源层的[本文55页]
 低电压InGaZnO双电层薄膜晶体管及其[本文74页]  InZnO双电层薄膜晶体管及其低压反相[本文80页]  类石墨烯二硫化钼的液相剥离制备及[本文85页]
 新型氧化物薄膜晶体管材料及工艺研究[本文153页]  锂氮掺杂氧化锌薄膜晶体管的制备与[本文112页]  非晶铟镓锌氧基薄膜晶体管与肖特基[本文55页]
 低压铟锌氧双电层晶体管研究[本文57页]  非晶IGZO薄膜晶体管的光照特性研究[本文69页]  KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜[本文74页]
 柔性SWNT-TFT溶液工艺及输出特性仿[本文71页]  CVD法制备石墨烯及其在有机薄膜晶体[本文81页]  聚苯乙烯分子刷绝缘修饰层对喷墨打[本文78页]
 面内转换(IPS)薄膜晶体管(TFT)液晶[本文78页]  有机薄膜晶体管中杂化绝缘层的研究[本文68页]  基于氧化锌半导体薄膜的光电器件研究[本文72页]
 低压无结IZO薄膜晶体管的研究[本文63页]  低压IZO基氧化物薄膜晶体管的研究[本文67页]  以壳聚糖为栅介质的低压氧化物薄膜[本文65页]
 酞菁氧钒有机薄膜晶体管的性能研究[本文47页]  掺钨氧化铟锌薄膜晶体管的研究[本文77页]  沟道层工艺条件对IZO薄膜晶体管稳定[本文76页]
 溶液法制备氧化物薄膜晶体管用介质[本文78页]  有机薄膜晶体管栅绝缘层的研究[本文52页]  制备工艺以及退火处理对ZnO-TFT性能[本文76页]
 非晶IGZO薄膜晶体管与基本电路研究[本文60页]  有机薄膜晶体管的模拟研究[本文60页]  氧化锌薄膜晶体管的模拟研究[本文57页]
 溶液法制备绝缘层及其性能的研究[本文48页]  有机薄膜晶体管中电流回滞现象及其[本文138页]  基于表面势的非晶氧化锌薄膜晶体管[本文57页]
 电极缓冲层对IGZO薄膜晶体管性能影[本文61页]  共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的[本文56页]  电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能改[本文75页]
 利用有机空穴传输材料提升有机薄膜[本文60页]  制备工艺对非晶铟锡锌氧化物薄膜晶[本文75页]  纳米硅薄膜晶体管压力传感器制作及[本文93页]
 纳米硅薄膜晶体管加速度传感器制作[本文81页]  纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器制作工[本文178页]  分子自组装在有机薄膜晶体管中的应用[本文72页]
 LiMgZnO薄膜晶体管的研制[本文49页]  以Al_2O_3作为栅绝缘介质的并五苯基[本文62页]  PECVD分层结构对氢化非晶硅TFT迁移[本文57页]
 a-IGZO TFT制备工艺和性能的研究[本文73页]  纵向沟道有机晶体管制备及光电特性[本文55页]  有机薄膜三极管感光阵列及其小信号[本文54页]
 基于质子导体膜栅介质的薄膜晶体管[本文117页]  非晶铟镓锌氧薄膜晶体管保护层材料[本文80页]  不同栅介质层并五苯薄膜晶体管的制[本文85页]
 非晶氧化物薄膜晶体管金属电极的研究[本文84页]  印刷碳纳米管薄膜晶体管和简单逻辑[本文70页]  低压无结铟锌氧化物双电层薄膜晶体[本文62页]
 二氧化锡沟道铁电薄膜晶体管的制备[本文55页]  ZnO/BNT/LNO/Si铁电薄膜晶体管的制[本文54页]  SnO_2和NiO薄膜晶体管的研究[本文69页]
 ZnO及In_2O_3薄膜晶体管的研究[本文73页]  等离子体处理工艺对ZnO基薄膜和纳米[本文83页]  有机薄膜晶体管的研究[本文54页]
 有机薄膜晶体管工艺及器件模型的研究[本文52页]  射频磁控溅射非晶Al_2O_3薄膜制备与[本文69页]  低电压操作的柔性有机薄膜晶体管（[本文56页]
 氧化物薄膜晶体管研究[本文145页]  新型金属氧化物薄膜晶体管的性能研[本文154页]  金属氧化物薄膜晶体管器件的稳定性[本文123页]
 高稳定性、低电压有机薄膜晶体管研究[本文76页]  氧化物半导体薄膜晶体管的若干研究[本文124页]  高性能并五苯有机薄膜晶体管的制备[本文80页]
 绝缘衬底表面修饰在喷墨打印有机薄[本文70页]  有机薄膜晶体管工作机理及制备方法[本文115页]  分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件制[本文104页]
 非晶铟镓锌氧基薄膜晶体管的输运及[本文101页]  低电压氧化物基纸张双电层薄膜晶体管[本文105页]  氧化锌基薄膜晶体管的制备与性能研究[本文51页]
 溶液法制备有机薄膜晶体管及其图案[本文69页]  基于石墨烯电极的有机薄膜晶体管的[本文68页]  有机薄膜晶体管性能的改善及其理论[本文51页]
 新型薄膜晶体管的工艺研究[本文51页]  有机薄膜晶体管的研制[本文56页]  铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄[本文70页]
 ZnO薄膜晶体管的模型与研究[本文66页]  溅射法制备氧化锌薄膜晶体管及性能[本文83页]  氧化物半导体的性能表征与电子结构[本文68页]
 多晶硅薄膜晶体管的串联电阻模型[本文63页]  Al掺杂ZnO薄膜晶体管源漏电流偏移现[本文65页]  铁电ZnO薄膜晶体管的制备及其性能研[本文60页]
 ZnO基薄膜晶体管与非晶透明导电薄膜[本文91页]  有机薄膜晶体管聚合物绝缘层材料的[本文123页]  酞菁锌修饰层对有机薄膜晶体管性能[本文53页]
 a-InZnO-TFTs的器件制备、性能和稳[本文80页]  新型ZnO基薄膜晶体管的研制及其性能[本文60页]  非晶铟镓锌氧薄膜晶体管制备工艺和[本文97页]
 新型压力传感器件及基于薄膜晶体管[本文68页]  基于聚噻吩复合材料的OTFT制备与性[本文70页]  氧化锌/石墨烯复合薄膜晶体管的制备[本文49页]
 双电层静电调制及其低电压氧化物薄[本文122页]  无机双电层栅介质及其低电压氧化物[本文109页]  并五苯有机薄膜晶体管研究[本文68页]
 氧化锌基薄膜晶体管的制备及特性研究[本文73页]  气溶胶喷印技术研究及其在有机薄膜[本文53页]  ZnO薄膜晶体管的模型与新结构研究[本文76页]
 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管TCAD仿[本文74页]  基于指数陷阱态密度的薄膜晶体管的[本文123页]  面向平板显示的P型多晶硅薄膜晶体管[本文75页]
 双层电极结构的有机薄膜晶体管及其[本文53页]  基于CuPc/C_(60)有机异质结薄膜晶体[本文52页]  低压ITO基薄膜晶体管研究[本文62页]
 基于有限元方法的有机薄膜晶体管模拟[本文67页]  氧化铪/氮氧化铪栅介质金属氧化物薄[本文128页]  低压双电荷层ITO薄膜晶体管[本文55页]
 C_（60）基有机薄膜晶体管性能改善[本文73页]  基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管[本文59页]  纳米硅薄膜晶体管磁传感器研究[本文93页]
 纳米硅薄膜晶体管制作及特性研究[本文63页]  氧化物薄膜晶体管的制造及其电学性[本文71页]  基于AM-OLED的a-Si：H TFT的设计与[本文70页]
 有机薄膜晶体管气体传感器的制备及[本文80页]  OTFT器件及气敏性能研究[本文74页]  AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型[本文115页]
 多晶硅薄膜晶体管器件模型研究[本文128页]  氧化锌基薄膜晶体管的磁控溅射法制[本文61页]  硅烷分子自组装及其在有机薄膜晶体[本文71页]
 N型有机薄膜晶体管的制备及其电学性[本文65页]  新型TFT器件的模拟研究[本文69页]  多晶硅薄膜晶体管可靠性研究及其模拟[本文67页]
 多晶硅薄膜晶体管自加热效应和KINK[本文69页]  基于喷墨印刷的OTFT的制备与性能研[本文79页]  基于喷墨印刷的有机薄膜晶体管的研制[本文60页]
 并五苯有机薄膜晶体管的研究[本文132页]  改善有机薄膜晶体管中源漏电极接触[本文83页]  高性能有机薄膜晶体管及其单元电路[本文78页]
 非晶硅薄膜晶体管有机发光显示模块[本文71页]  多晶硅薄膜晶体管开态模型[本文65页]  氢化对金属诱导横向结晶n型多晶硅T[本文57页]
 有机薄膜晶体管直流仿真模型研究[本文73页]  新型TFT结构设计与电特性研究[本文117页]  有机薄膜晶体管绝缘层材料的合成、[本文139页]
 氧化锌薄膜晶体管的制备及性能的研究[本文49页]  ZnO基薄膜晶体管的初步研究[本文60页]  p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT直流[本文61页]
 MOCVD法制备氧化锌发光器件及薄膜晶[本文135页]  有机薄膜晶体管绝缘层材料的合成及[本文67页]  动态电应力下n型多晶硅薄膜晶体管的[本文82页]
 多晶硅薄膜晶体管的衬底端表征方法[本文70页]  多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型和寄[本文61页]  非晶硅薄膜晶体管在栅漏电应力下的[本文61页]
 p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温[本文60页]  高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作[本文113页]  氧化锌薄膜晶体管的制备与研究[本文85页]
 全透明InGaZnO_4薄膜晶体管[本文67页]  低压氧化物薄膜晶体管的研究[本文55页]  低压ZnO薄膜晶体管研制[本文69页]
 低压双电层氧化物薄膜晶体管的研究[本文113页]  ITO薄膜晶体管的制备及其性能研究[本文64页]  二氧化钒薄膜晶体管开关特性研究[本文60页]
 
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