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动态电应力下n型多晶硅薄膜晶体管的退化研究

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动态电应力下n型多晶硅薄膜晶体管的退化研究
论文目录
 
中文摘要第1-6 页
Abstract第6-10 页
第一章 绪论第10-29 页
  · 低温多晶硅薄膜晶体管简介第10-15 页
    · 低温多晶硅薄膜晶体管在有源矩阵液晶显示中的应用第10-12 页
    · 实验样品制备第12-15 页
  · 多晶硅薄膜晶体管可靠性研究概述第15-21 页
    · 直流应力下的多晶薄膜晶体管可靠性研究现状第15-18 页
    · 动态电应力下的多晶薄膜晶体管可靠性研究现状第18-21 页
  · 论文的研究思路、研究方法及结构安排第21-25 页
  参考文献第25-29 页
第二章 栅漏端同步脉冲应力下的器件退化与机制分析第29-51 页
  · 研究背景及电应力条件第29-31 页
  · 实验退化现象第31-43 页
    · 器件退化与脉冲占空比关系第31-33 页
    · 器件退化与脉冲频率关系第33-38 页
    · 器件退化与脉冲上升沿下降沿的关系第38-41 页
    · 器件退化与温度的关系第41-43 页
  · 器件退化模型分析第43-45 页
  · 器件退化模型验证实验第45-47 页
  · 本章结论第47-48 页
  参考文献第48-51 页
第三章 漏端动态电应力下器件退化研究与机制分析第51-69 页
  · 研究背景及电应力条件第51-53 页
  · 实验退化现象第53-60 页
    · 器件转移与输出的退化特性第53-55 页
    · 器件退化与温度的关系第55-56 页
    · 器件退化与器件沟道长度的关系第56-57 页
    · 器件退化与脉冲幅度的关系第57-58 页
    · 器件退化与脉冲频率的关系第58 页
    · 器件退化与脉冲上升沿下降沿的关系第58-60 页
  · 器件瞬态模拟分析第60-63 页
  · 器件退化模型分析第63-64 页
  · 器件退化模型验证实验第64-66 页
    · 高低温器件退化比较第64-65 页
    · 栅脉冲带来的器件退化第65-66 页
  · 本章结论第66-69 页
第四章 栅直流偏置下漏端动态电应力带来的器件退化研究与机制分析第69-77 页
  · 研究背景及电应力条件第69-70 页
  · 实验结果讨论第70-73 页
    · 器件开态电流的退化特性第70-72 页
    · 器件关态电流的退化特性第72-73 页
  · 器件瞬态模拟分析第73-75 页
  · 器件退化模型分析第75-76 页
  · 本章结论第76-77 页
第五章 总结及未来工作第77-79 页
攻读硕士学位期间发表的论文第79-81 页
致谢第81-82 页

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