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异质结类文章270篇，页次：1/1页 【第一页‖ 上一页 ‖ 下一页 ‖最后页】 转到   页
 基于gan异质结hemt器件的金半接触新结[本文80页]  在碳化硅衬底上制备si/sic异质结[本文53页]  zno/gan异质结led的制备及光电性质研[本文41页]
 pld方法制备n-zno/i-zno/p-gan异质结[本文43页]  极化效应对algan/gan异质结pin光探测[本文68页]  应变sige/si异质结cmos关键技术研究[本文94页]
 p-n异质结biocl/bivo_4催化剂的制备、[本文68页]  异质结n-zao/p-金刚石薄膜电致发光性[本文60页]  zno/gan异质结led的制备与特性研究[本文64页]
 模板法制备具有p-n异质结co_3o_4复合[本文75页]  mgzno紫外光探测器电路模型及mgzno/z[本文84页]  la_(0.8)sr_(0.2)mno_3薄膜与异质p-n[本文65页]
 类水滑石基负载型tio_2纳米颗粒的构筑[本文74页]  vo_2/nb:srtio_3异质结的电学性质及纳[本文88页]  gaas纳米线轴向异质结构的研究[本文67页]
 钛酸锶钡基上生长铁性薄膜的多铁性及[本文73页]  zn_(1-x)mg_xo薄膜和zno：al/si异质结[本文81页]  金属、半导体同质结/异质结纳米材料的[本文143页]
 基于fesi_2薄膜的异质结的制备与特性[本文106页]  钨酸铋基异质结型催化剂的制备及其光[本文124页]  含硅量子点sin_x薄膜特性及其在太阳电[本文119页]
 p-znmgo：as薄膜的mocvd生长及其发光[本文73页]  应变si/sige/si异质结材料的生长研究[本文58页]  单层石墨和拓扑绝缘体隧道结中的量子[本文107页]
 负载cu_2o型tio_2纳米管的制备表征及[本文83页]  在tio_2表面间断脉冲沉积cu_2o颗粒及[本文69页]  金纳米材料的可控合成及微纳结构制备[本文88页]
 基于algan/gan hemt微悬臂梁器件力电[本文63页]  水溶液法制备zno纳米线/p+-si异质结光[本文63页]  纳米硅薄制备与纳米硅/单晶硅异质结特[本文60页]
 硅衬底上a-si:h(p)/c-si(n)异质结的制[本文51页]  具有多孔结构和等离子共振效应的tio_[本文117页]  低维半导体纳米材料及其异质结构的第[本文121页]
 znse/si异质结纳米线的研究[本文63页]  ⅲa族元素掺杂zno透明导电薄膜的研究[本文136页]  电沉积制备cu_2o 薄膜及其光电性能研[本文61页]
 有机电致发光蓝光器件的结构设计与性[本文70页]  硅基zno系薄膜的波长可调的电抽运随机[本文144页]  钙钛矿锰氧化物薄膜及异质结的电致电[本文55页]
 磁控溅射法制备立方氮化硼薄膜及原位[本文81页]  碳纳米管薄膜—硅异质结太阳电池[本文125页]  la_（0.8）sr_（0.2）mno_3外延薄膜及[本文67页]
 钙钛矿结构锰氧化物薄膜和异质结输运[本文135页]  bifeo_3薄膜及器件的制备与性能研究[本文87页]  一维半导体纳米材料及其电子和光电子[本文110页]
 立方氮化硼薄膜的制备和电学性质研究[本文136页]  高质量立方氮化硼薄膜的制备和光电特[本文82页]  直流溅射法制备zno/si异质结的光电转[本文114页]
 异质结型光催化剂的制备及光催化性能[本文84页]  热电应力下si/sige/si异质结双极晶体[本文70页]  gesi/si异质结双极晶体管（hbt）可靠[本文56页]
 两步法高质量立方氮化硼薄膜的制备和[本文70页]  sige微波异质结双极晶体管中基区杂质[本文60页]  znmgo薄膜与znmgo/zno异质结的制备及[本文86页]
 光子晶体理论、制备及其光学特性研究[本文125页]  周期性多发光层有机电致发光器件及稀[本文52页]  半导体/金属微纳结构的设计、制备和光[本文92页]
 高质量aln材料分子束外延生长机理及相[本文105页]  磁性光子晶体异质结及二维光子晶体局[本文47页]  光子晶体中的反常色散和传导模[本文68页]
 zno薄膜的制备及其特性研究[本文93页]  半导体氧化物膜材料光催化性能及机理[本文66页]  半导体氮化硼薄膜的制备及其异质结特[本文58页]
 碳纳米管及其异构体的制备和小能隙单[本文58页]  贵金属纳米材料的可控合成及其表征[本文68页]  zno/cuscn异质结的制备及性能研究[本文55页]
 zno/si异质结的制备与特性研究[本文139页]  a-si：h/c-si异质结界面特性的理论研[本文125页]  半导体金属氧化物修饰碳纳米管的制备[本文123页]
 rubrene/c_(60)太阳能电池的性能改善[本文51页]  铁电/氧化物异质结的集成及器件研究[本文58页]  ti-al缓冲层对pb（zr，ti）o_3异质结[本文55页]
 钛酸铋铁电薄膜的掺杂改性研究[本文52页]  pbzr_（0.4）ti_（0.6）o_3铁电电容器[本文60页]  含ni-al薄膜的硅基铁电电容器研究[本文48页]
 三维zno纳米结构的可控合成及其物性研[本文63页]  微结构光学器件功能与特性研究[本文156页]  基于光子晶体相似的二维声子晶体特性[本文111页]
 bivo_4异质结光催化剂的制备及可见光[本文71页]  碳改性tio_2及其块体结构的制备与可见[本文144页]  sic衬底外延生长gan界面结构的第一性[本文60页]
 cu_2o/cu纳米复合材料的控制合成及其[本文124页]  碳纳米管异型结构以及生长机理的理论[本文102页]  硅和氧化锌纳米线的制备及光致发光特[本文45页]
 表面氟修饰改性对半导体光催化降解有[本文99页]  基于导电聚合物的可见光催化剂的制备[本文120页]  功能性半导体纳米晶组装体系的制备及[本文126页]
 zno薄膜的制备及其晶体管性能研究[本文143页]  zno/batio_3异质结的液相法（csd）制[本文72页]  太阳电池透明电极与质子辐照三结太阳[本文111页]
 微区中分子束外延生长sige/si异质结构[本文93页]  sige异质结薄膜特性的研究[本文63页]  1.3μmgesi/si异质结光波导耦合器的设[本文63页]
 压力对mosfet跨导调制的研究[本文63页]  内建电场对纳结构半导体材料功函数调[本文73页]  sic基一维纳米材料的结构调控及性能研[本文85页]
 tio_2光生载流子迁移过程的功效应及在[本文151页]  磷铝吸杂及hit晶硅太阳电池高转换效率[本文65页]  硅太阳能电池关键技术研究[本文85页]
 sigec/si异质结快速软恢复功率二极管[本文153页]  p-si/n-sic异质结及其光电特性[本文42页]  碳化硅基光控器件可行性研究[本文52页]
 sigec/si功率二极管新结构的研究与特[本文60页]  sicge/sic异质结光控达林顿晶体管设计[本文131页]  sicge/sic异质结光电二极管的数值模拟[本文50页]
 快速软恢复sige异质结功率二极管的分[本文61页]  光控sic器件的计算机模拟[本文57页]  两种sige/si快速开关功率二极管新结构[本文76页]
 sige快速开关功率二极管的器件模拟与[本文76页]  薄膜型wo_3/cu_2o复合光催化剂的制备[本文88页]  基于gan、zno材料异质结发光器件的制[本文57页]
 gan/zno基异质结发光器件的制备与研究[本文53页]  核壳型有序异质结光催化剂的制备及其[本文123页]  功能性纳米异质结的制备、光电转换能[本文147页]
 氧化物超导/铁磁异质结的近邻效应和涡[本文151页]  氧化物超导准多层的磁通钉扎和超导/铁[本文111页]  新型硅基sinp异质面蓝紫光电池及sis异[本文220页]
 一维zno纳米结构制备及其异质结光电性[本文56页]  用脉冲激光沉积制备srtio_3/nb：srti[本文119页]  基于掺硼金刚石（bdd）膜电极的cod测[本文128页]
 非晶硅／晶硅异质结太阳能电池制备技[本文81页]  硅衬底上algan/gan异质结材料的生长研[本文72页]  石墨烯纳米器件的量子输运研究[本文93页]
 硅衬底上gan外延层和algan/gan异质结[本文121页]  纳米zno和zno-ag异质结的制备及抗菌性[本文59页]  紫外激发zno-tio_2纳米复合材料气敏性[本文67页]
 纳米氧化锌的形貌控制及性能研究[本文136页]  algan/gan hemt的模拟及研究[本文76页]  （la_（0.83）sr_（0.17）mno_3）_（[本文43页]
 一维zno纳米结构压电式纳米发电器件的[本文133页]  有机小分子半导体薄膜的制备与光电性[本文188页]  高质量单晶立方相mgzno薄膜的生长制备[本文109页]
 电化学自组装金属氧化物及其复合结构[本文129页]  gan/al_2o_3（0001）大晶格失配异质结[本文71页]  硅基inn单晶薄膜的rf-mbe生长及其特性[本文66页]
 cua1o_2与zno纳米结构制备及其光电化[本文106页]  热壁外延法制备高取向pbte薄膜及其结[本文64页]  硼和氮掺杂cvd金刚石膜的生长及特性研[本文64页]
 p型zno薄膜生长及其结特性的研究[本文66页]  zno基气敏传感器阵列的制备及稳定性的[本文70页]  缺氧la_（0.6）ca_（0.4）mno_（3-δ[本文51页]
 微波辅助法合成碳化硅一维纳米材料及[本文123页]  新型结构异质结太阳能电池的研究[本文134页]  mgzno薄膜的mocvd法生长及其特性的研[本文67页]
 压力下光学声子对应变纤锌矿aln/gan异[本文31页]  半导体异质结中的电子迁移率及其压力[本文72页]  gan/ga_xin_（1-x）n应变异质结中电子[本文28页]
 半导体异质结中极化子回旋共振及其压[本文31页]  构筑高效可见光驱动agcl:ag表面等离子[本文83页]  钯掺杂非晶碳膜/二氧化硅/硅异质结的[本文62页]
 纳米氧化锌的制备及其气敏、光催化性[本文135页]  as掺杂p型zno薄膜的生长及zno/gaas异[本文65页]  纳米碳/硅异质结的制备及其气敏性研究[本文70页]
 zno纳米复合薄膜的制备及其结构和电学[本文63页]  用磁控溅射方法制备非晶碳膜/硅异质结[本文59页]  尖晶石型cum_2o_4（m=fe，co，cr）的[本文76页]
 电化学沉积制备zno纳米晶薄膜及其性能[本文74页]  异质结型复合光催化剂的制备及模拟太[本文90页]  铅盐窄带半导体异质结构的制备与研究[本文50页]
 用于新型相变存储器的锗锑碲薄膜的结[本文67页]  gan材料的缺陷分布及工艺设计对器件性[本文87页]  有机/无机异质结光生电荷迁移行为研究[本文144页]
 p型衬底a-si：h/c-si异质结太阳能电池[本文69页]  全氧化物异质结homno_3/nb-srtio_3的[本文51页]  复合型光子晶体贴片天线物理特性研究[本文71页]
 掺钇锆酸锶—二氧化钛异质结光催化剂[本文64页]  介质型光子晶体贴片天线的研究[本文66页]  hit电池表面钝化技术及zno透明导电膜[本文61页]
 对含有拓扑缺陷碳纳米管电学性能的研[本文63页]  zn_(0.98)co_(0.02)o/pbzr_(0.52)ti_[本文58页]  algan/gan异质结的c-v特性研究[本文53页]
 异质结构tio_2光催化剂的研究[本文76页]  聚氧化乙烯表面修饰对zno光学性质的改[本文45页]  锗基磁性半导体及其异质结构的磁性与[本文120页]
 介观体系中的电子自旋输运及隧穿磁阻[本文56页]  氧化物铁磁性半导体电子输运特性的研[本文137页]  基于密度泛函的sic异质结研究[本文63页]
 gan基impatt二极管太赫兹研究[本文75页]  基于高温ain成核层的gan基异质结构材[本文120页]  超高频sige异质结双极晶体管的可制造[本文76页]
 gan基材料热退火与湿法腐蚀的研究[本文87页]  gan基异质结缓冲层漏电研究[本文76页]  纳米管异质结电子输运特性研究[本文125页]
 4h-sic npn双极晶体管特性研究[本文54页]  多晶硅源漏sic n-mosfet关键技术研究[本文53页]  6h-sic异质结源漏mosfet的研究[本文51页]
 algan/gan高电子迁移率晶体管的模型研[本文115页]  纳米功能材料的组装与性能研究[本文218页]  heusler合金co_2mnsi/gaas异质结构的[本文56页]
 纳米金属氧化物的制备及其性能研究[本文65页]  多孔硅电致发光特性研究[本文60页]  掺杂zno薄膜的制备及其异质结紫外光特[本文75页]
 介质调制algan/gan增强型器件模拟研究[本文70页]  铁电/半导体异质结二维电子气的特性研[本文93页]  gan-bto异质结电子特性的第一性原理研[本文75页]
 聚对苯撑乙炔（ppv）衍生物的光伏性质[本文57页]  srtio_3-gaas（gap）异质结的结构和电[本文82页]  氮掺杂p型zno薄膜的生长及理论研究[本文71页]
 表面声波单电子输运中的库仑阻塞研究[本文61页]  znse基异质结纳米线的制备和表征[本文80页]  准一维系统中电子输运电电流问题的研[本文53页]
 二维电子气深度对一维电子通道中声电[本文45页]  znse/ge异质结纳米线的制备和表征[本文77页]  多孔碳球负载bivo_4及其改性和光催化[本文68页]
 si/sige异质结器件研究[本文133页]  硅基薄膜太阳电池的数值模拟[本文65页]  新型无机半导体纳米材料的制备及在太[本文66页]
 nio/zno基半导体异质结及mgnio固溶体[本文93页]  tio_2/p~+-si异质结的电致发光[本文78页]  纳米氧化锌和硫化锌的气相沉积法制备[本文58页]
 有机基太阳能电池中有序结构材料及其[本文142页]  cdte/cds多晶薄膜及其异质结界面的研[本文71页]  iv-vi族半导体外延生长及其特性研究[本文120页]
 硅基zno（mgzno）薄膜及发光器件[本文154页]  硅基纳米金刚石膜生长及其发光器件[本文219页]  p型导电zno：（al，n，h）薄膜的制备[本文77页]
 tio_2电极上可控沉积异质结及光电转化[本文104页]  一维系统中的热传导模型及相关动力学[本文98页]  al-n共掺杂实现p型zno的机理及其相关[本文166页]
 钙钛矿结构锰氧化物薄膜和异质结输运[本文135页]  bifeo_3薄膜及器件的制备与性能研究[本文87页]  钙钛矿锡酸盐外延薄膜及相关异质结制[本文122页]
 直流溅射法制备zno/si异质结的光电转[本文114页]  zno纳米棒/meh-ppv异质结近紫外电致发[本文53页]  杂质、缺陷及边缘修饰对锯齿型石墨烯[本文111页]
 钙钛矿锰氧化物自旋轨道有序及相分离[本文68页]  钙钛矿锰氧化物基异质结的制备及磁电[本文67页]  磷酸银及其异质结高效可见光催化剂的[本文130页]
 溶胶—凝胶法制备si基zno薄膜的微结构[本文96页]  四脚状纳米zno太阳能电池研究[本文81页]  aⅱnn/gan异质结的制备及其性质研究[本文72页]
 gainp/gaas异质结晶体管的无条件稳定[本文83页]  pentacene/c_(60)异质结有机小分子太[本文80页]  单相磁电薄膜的pld制备及其电学性质研[本文54页]
 znmgal类水滑石及其改性材料的制备和[本文89页]  gan基impatt二极管太赫兹研究[本文75页]  ge/si异质结及其光电探测器特性研究[本文118页]
 新型无机半导体纳米材料的制备及在太[本文66页]  zno、mgzno异质结紫外光发射器件的研[本文95页]  algan/gan高电子迁移率晶体管tcad仿真[本文74页]
 基于碳基分子体系电荷输运的量子调控[本文155页]  al-sn掺杂的zno薄膜与azo/p-si异质结[本文85页]  超声喷雾热解法太阳能电池用cuins_2及[本文74页]
 znse基异质结纳米线的制备和表征[本文80页]  多铁性bifeo_3薄膜和fe_3o_4/bifeo_3[本文97页]  纳米结构tio_2薄膜光催化剂的制备表征[本文41页]
 p-gan衬底zno/zns:mn核壳纳米棒阵列的[本文38页]  高al组份algan/gan半导体材料的生长方[本文136页]  高k栅介质algan/gan mos-hemt器件研究[本文129页]
 高性能algan/gan异质结材料的mocvd生[本文118页]  多孔硅基复合薄膜气敏传感器的研究[本文122页]  硫属半导体异质结/聚砜纤维复合材料的[本文68页]
 硫属半导体/（psu/pvdf/sma）电纺纤维[本文76页]  pt修饰强化sno_2/tio_2异质结光催化矿[本文69页]  p-n型cuo/tio_2异质结纳米管可见光催[本文56页]
 柱撑四钛酸复合材料的制备、表征及光[本文81页]  基于溶液法制备zno/cds/cu_2znsns_4p[本文65页]  新型光催化剂降解盐酸莫西沙星及灭活[本文120页]
 氧化锌薄膜及其与钙钛矿氧化物异质结[本文91页]  二氧化钛纳米管阵列复合结构的制备及[本文109页]  掺杂/异质型zno光催化剂的制备及其光[本文93页]
 tio_2-cu_2o异质结太阳能电池的制备与[本文49页]  bi_2wo_6和bi_2wo_6/tio_2异质结的制[本文88页]  钒酸铋和二氧化钛多孔材料：微结构的[本文112页]
 ga体系光催化材料制备及其光催化还原[本文61页]  sno_2基纳米纤维的氢气传感研究与温差[本文157页]  纳米半导体材料对新型薄膜太阳能电池[本文212页]
 sic及其纳米复合材料的制备和表征以及[本文78页]  新型卟啉聚合物及其杂化纳米材料的制[本文93页]  表面光伏测试系统的建立及利用其研究[本文113页]
 
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