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应用于锗硅集成光电芯片的波导垂直耦合结构的研究

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应用于锗硅集成光电芯片的波导垂直耦合结构的研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-17页
  1.1 研究背景及意义第9-12页
  1.2 国内外研究现状第12-15页
  1.3 本文主要研究内容第15-17页
2 层间耦合结构的基本理论及性能仿真第17-25页
  2.1 层间耦合结构的建模理论第17-19页
  2.2 层间耦合结构的数值仿真第19-24页
  2.3 本章小结第24-25页
3 Ge-SOI层间耦合结构的设计第25-38页
  3.1 Ge-SOI层间耦合结构中的模式分析第25-27页
  3.2 Ge-SOI层间耦合结构的设计第27-30页
  3.3 Ge-SOI层间耦合结构的仿真第30-31页
  3.4 Ge-SOI层间耦合结构的实验第31-37页
  3.5 本章小结第37-38页
4 基于SiGe材料偏振无关的层间耦合结构的设计第38-52页
  4.1 引言第38页
  4.2 基于SiGe材料层间耦合结构的模式分析第38-40页
  4.3 基于SiGe材料层间耦合结构的设计第40-44页
  4.4 基于SiGe材料层间耦合结构的性能仿真第44-46页
  4.5 基于SiGe材料层间耦合结构的容差分析第46-51页
  4.6 本章小结第51-52页
5 总结与展望第52-54页
  5.1 总结第52-53页
  5.2 展望第53-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-59页
附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录第59页

本篇论文共59页,点击这进入下载页面
 
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