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基于EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计
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基于EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计
论文目录
 
摘要第1-4 页
Abstract第4-6 页
目录第6-8 页
图表索引第8-9 页
第一章 引言第9-14 页
　　· 研究背景第9-10 页
　　· 研究目标第10-11 页
　　· 研究意义第11 页
　　· 本文的主要工作第11-12 页
　　· 论文结构第12-14 页
第二章 几种流行的模拟IC低压低功耗设计技术第14-23 页
　　· 模拟IC中的低压低功耗设计第14 页
　　· 工艺技术的改进第14 页
　　· MOSFET建模的改进第14-16 页
　　· 降低功耗的约束的电路策略第16-23 页
　　　　· 弱反型＼亚阈值电路第16-17 页
　　　　· 衬底驱动MOSFETs第17-18 页
　　　　· 浮动栅极MOSFETs第18-20 页
　　　　· Self-Cascode MOSFETs第20 页
　　　　· 电流模电路第20-22 页
　　　　· 电平移位技术第22-23 页
第三章 MOSFETs模型第23-35 页
　　· MOSFETs基本特性第23-24 页
　　· UDSM短沟道效应第24-25 页
　　· 建模的发展过程第25-26 页
　　· 建模方法第26-28 页
　　　　· 基于电荷的分段模型第26-27 页
　　　　· 基于表面电势模型第27-28 页
　　　　· 基于电导的混合方法第28 页
　　· BSIM3、SP2001和EKV模型比较第28-34 页
　　　　· BSIM3模型第28-29 页
　　　　· SP2001模型第29-30 页
　　　　· EKV模型第30-31 页
　　　　· 模型的比较第31-34 页
　　· 结论第34-35 页
第四章 EKV模型介绍第35-45 页
　　· EKV模型的概述第35-36 页
　　· 对称特性的使用第36-37 页
　　· 大信号模型公式化第37-43 页
　　　　· 强反型区的反型电荷和夹断电压的定义第37-41 页
　　　　· 弱反型的反型电荷第41-42 页
　　　　· 漏极电流的通常表达式第42-43 页
　　· 参求解方法第43-45 页
第五章 衬底驱动MOSFET的特性分析第45-51 页
　　· 衬底驱动MOSFET工作原理及低压特性分析第45-49 页
　　· 衬底驱动MOSFET的频率特性分析第49-50 页
　　· 衬底驱动MOSFET的噪声特性第50 页
　　· 基于衬底驱动MOSFET的超低压运算放大器设计第50-51 页
第六章 运算跨导放大器的设计和实现第51-57 页
　　· 运算放大器的设计方法第51-55 页
　　· 两级运算放大器设计第55-56 页
　　· 运放的模拟和测量第56-57 页
第七章 EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计实现和仿真分析第57-64 页
　　· EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计实现第57-61 页
　　　　· 设计环境第57-59 页
　　　　· 设计实现第59-61 页
　　· EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器仿真分析第61-62 页
　　　　· 仿真目的第61 页
　　　　· 仿真方案第61 页
　　　　· 仿真环境第61-62 页
　　　　· 仿真结果第62 页
　　· 结果的对比分析第62-64 页
第八章 结束语第64-66 页
　　· 工作总结第64-65 页
　　· 今后工作的展望第65-66 页
参考文献第66-70 页
作者在攻读学位期间完成的工作第70-71 页
　　·完成的课题第70 页
　　·国内刊物上发表的论文第70 页
　　·其他工作第70-71 页
致谢第71页

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