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射频磁控溅射毕业论文

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 射频磁控溅射hfo_2薄膜的电学特性及室[本文55页]  射频磁控溅射zno:al薄膜及其特性研究[本文89页]  射频磁控溅射zno薄膜及其性能的研究[本文63页]
 射频磁控溅射ta-hfn涂层的微观结构及[本文91页]  新型透明导电cualo_2薄膜的制备及其性[本文65页]  vo_2/nb:srtio_3异质结的电学性质及纳[本文88页]
 si_(83)ge_(17)/si基底上hfo_2薄膜的[本文80页]  锌铁氧体薄膜的制备及其电磁特性研究[本文44页]  p型zno:al-n薄膜的制备及物性研究[本文70页]
 磁控溅射法制备zno:sb薄膜的拉曼光谱[本文61页]  硫化镉纳米棒阵列及其光电池的制备和[本文72页]  非平衡状态下薄膜表面形貌及相关函数[本文78页]
 高频声表面波基片(100)aln/diamon的[本文49页]  掺杂linbo_3薄膜制备及铁电铁磁性能研[本文89页]  适用高频saw器件的aln(100)制备及性[本文55页]
 硅化钛纳米线电极对pst薄膜形成与介电[本文85页]  基于泰伯效应的二维六角光分束器[本文56页]  sic薄膜及其缓冲层的制备与性能研究[本文92页]
 掺氮氧化锌薄膜的制备和p型转变研究[本文65页]  zno薄膜的制备与性能研究[本文71页]  zno/aln双层膜的制备与性能研究[本文70页]
 射频反应磁控溅射法制备al_2o_3薄膜结[本文88页]  射频磁控溅射制备锰掺杂二氧化钛薄膜[本文77页]  znmgo薄膜与znmgo/zno异质结的制备及[本文86页]
 pedot-pss在zno上的肖特基结[本文48页]  mn-n共掺p型zno薄膜的制备及特性研究[本文72页]  n-in共掺p型zno薄膜及p-n结的特性研究[本文59页]
 in-n共掺杂zno薄膜的制备及特性研究[本文71页]  zno薄膜p型掺杂及其相关问题研究[本文66页]  含纳米硅氧化硅薄膜的制备及发光特性[本文61页]
 铝掺杂氧化锌透明薄膜之制备及其在氮[本文134页]  ga掺杂zno透明导电薄膜的制备与光电性[本文71页]  in掺杂zno透明导电薄膜的制备与光电性[本文60页]
 表面修饰多孔硅的形貌和光致发光特性[本文64页]  磁控溅射制备zno及ag掺杂zno纳米薄膜[本文60页]  au/(ge/sio_2)/p-si结构的电流输运[本文63页]
 氮化硅薄膜的光吸收及光致发光性质研[本文55页]  al-zr共掺杂zno透明导电薄膜制备及性[本文58页]  高频用ni-zn铁氧体薄膜的结构与磁性[本文106页]
 au/(si/sio_2)/p-si结构中载流子输[本文60页]  纳米复合掺杂氧化硅薄膜的光电特性及[本文57页]  sp和tgs型气敏传感器阻-温特性及硅基[本文64页]
 p型znmgo:in-n薄膜的制备及物性研究[本文63页]  sb掺杂zno薄膜的制备及光学性能研究[本文67页]  掺杂铁酸镍陶瓷和复合薄膜的制备以及[本文63页]
 二氧化钛薄膜的制备及其碳掺杂改性研[本文56页]  射频磁控溅射氧化锌薄膜的制备、改性[本文70页]  抗凝血纳米功能薄膜材料的研制及抗凝[本文151页]
 linbo_3压电薄膜的制备及在足底压力检[本文71页]  单相ag_2o光存储和磁光存储薄膜的射频[本文52页]  工艺参数对tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜[本文71页]
 磁控溅射tio_2复合薄膜的光催化及杀菌[本文72页]  azo薄膜的制备和性能研究及其在cigs太[本文55页]  双受主施主掺杂zno薄膜的组织结构与性[本文83页]
 射频磁控溅射大尺寸zno:al薄膜生长工[本文70页]  pbmg_(1/3)nb_(2/3)o_3-pbtio_3铁[本文136页]  基于氧化镍薄膜的电阻开关特性研究[本文75页]
 非致冷红外探测器用氧化钒薄膜工艺研[本文72页]  rf磁控溅射及lsmcd法制备铁电薄膜的研[本文128页]  fenin薄膜结构和磁性的研究[本文76页]
 二硫化钨(ws_2)薄膜的制备及其摩擦[本文73页]  利用表面改型si衬底制备氧化物薄膜及[本文110页]  掺杂linbo_3薄膜的制备及磁性研究[本文75页]
 linbo_3/sio_2/si多层薄膜光致发光性[本文64页]  适合saw器件的bn/diamond多层膜的制备[本文76页]  射频磁控溅射制备zno基稀磁半导体薄膜[本文52页]
 适用于高频saw器件的h-bn/diamond多层[本文62页]  si/sio_2/linbo_3(:fe/mn)薄膜制备及[本文83页]  “c-bn/金刚石”多层膜的制备及压电特[本文52页]
 掺杂zno薄膜的生长及其储锂性能研究[本文76页]  磁控溅射法制备的al-mg-b薄膜的研究[本文57页]  磁控溅射法制备氮化硅薄膜及其性能研[本文75页]
 半导体/sio_2纳米颗粒镶嵌薄膜结构与[本文77页]  阳极键合高压(脉冲)电源设计及键合[本文73页]  阳极负载it-sofc电解质薄膜的制备及性[本文83页]
 射频磁控溅射法制备ceo_2-tio_2/sno_[本文82页]  玻璃基sno_2:sb透明导电薄膜的射频磁[本文89页]  磁控溅射法制备tio_2薄膜及其性质研究[本文64页]
 羟基磷灰石/β-磷酸三钙复合涂层的制[本文59页]  射频磁控溅射法制备tio_2,zno薄膜及[本文57页]  含氟羟基磷灰石涂层的制备及其性能研[本文60页]
 b-c-n薄膜的制备及其表征[本文57页]  氧化锌纳米结构与薄膜的制备及光学特[本文54页]  磁控溅射制备nio薄膜光电特性研究[本文47页]
 磁控溅射法制备mg_xzn_(1-x)o薄膜及性[本文53页]  zno薄膜的制备和紫外探测器的研究[本文47页]  zno基透明氧化物薄膜制备和性质研究[本文51页]
 nio薄膜制备及特性研究[本文46页]  二氧化钒薄膜的制备及其光学特性研究[本文46页]  ⅲ-ⅴ族非晶态探测器材料研究[本文144页]
 硼碳氮薄膜的制备及其光透过性质研究[本文133页]  相变存储薄膜ge_2sb_2te_5的微观结构[本文79页]  plt热释电薄膜材料的研究[本文68页]
 pzt热释电薄膜材料的研究[本文83页]  钛酸锶钡非线性铁电薄膜的尺寸效应研[本文59页]  lsco/pzt/lsco集成铁铁薄膜生长长性能[本文58页]
 射频磁控溅射制备tib_2超硬薄膜及其显[本文134页]  azo透明导电薄膜载流子输运机制及特性[本文121页]  bifeo_3靶材及薄膜的制备与性能研究[本文74页]
 al掺杂zno透明导电薄膜的制备及性能研[本文81页]  bifeo3靶材及薄膜的制备与性能研究[本文74页]  bst薄膜的射频溅射沉积及性能研究[本文51页]
 铁酸铋系列多铁材料的制备及电性能研[本文119页]  铁电移相材料ba_(1-x-y)pb_xsr_yti[本文179页]  钛酸铋系铁电薄膜材料改性研究[本文152页]
 纳米硅薄膜太阳电池本征层的制备及性[本文64页]  低压zno薄膜晶体管研制[本文69页]  全透明ingazno_4薄膜晶体管[本文67页]
 锂硫电池用改性固态电解质隔膜研究[本文164页]  界面对pzt铁电薄膜性能的影响[本文70页]  基于bst的多层薄膜及其可调器件的研究[本文76页]
 氧化锌薄膜晶体管的制备与研究[本文85页]  tio_2薄膜的制备与掺杂特性研究[本文68页]  obn薄膜的制备及bn膜对生物接种丝的表[本文65页]
 沉积气压对zno薄膜的结构与光学性能影[本文75页]  脉冲激光沉积pr~(3+)掺杂srtio_3和ca[本文76页]  氧化锌材料的制备及相关电、光和磁性[本文101页]
 zno薄膜和纳米结构的制备及其特性研究[本文89页]  cr掺杂zno薄膜的结构和性质研究[本文69页]  硅基发光材料的光致发光和电致发光研[本文39页]
 ge-sio_2薄膜的光致发光和电致发光及[本文45页]  mgzno合金薄膜材料的制备、结构及性能[本文79页]  退火处理对laalo_3薄膜结构和发光特性[本文68页]
 玻璃基底上tio_2纳米管电极的制备、表[本文66页]  纳米tio_2薄膜的制备及其性质的研究[本文88页]  niti/zno复合智能薄膜的制备及性能研[本文82页]
 硼碳氮薄膜的制备及性质研究[本文174页]  ti-al系(金属间)化合物薄膜的制备和[本文63页]  射频磁控溅射法制备zrw_2o_8薄膜及其[本文72页]
 钢基表面射频磁控溅射法制备bn薄膜[本文63页]  钢基表面氧化铝薄膜制备的研究[本文75页]  二硫化钼复合固体润滑薄膜研究[本文64页]
 cuo/sio_2纳米复合薄膜的制备和特性研[本文54页]  si基磁控溅射ga_2o_3/al膜制备gan一维[本文68页]  sic/sio_2纳米复合薄膜和低维zno纳米[本文83页]
 硅基sic中间层辅助法合成gan薄膜和纳[本文84页]  zno薄膜的制备及氨化ga_2o_3/zno薄膜[本文74页]  硅基扩镓溅射ga_2o_3反应自组装和热壁[本文85页]
 两步生长模式合成一维gan纳米结构和g[本文89页]  再生纤维素基底上氟碳膜的形貌、结构[本文74页]  高分子基底上氟碳膜的制备、结构和性[本文77页]
 高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究[本文84页]  氧化锌掺钇透明导电膜的制备及特性研[本文69页]  多层结构透明导电氧化物薄膜的制备及[本文159页]
 射频磁控溅射法制备类金刚石薄膜的研[本文75页]  zno薄膜的制备及其光学性质的研究[本文76页]  射频磁控溅射镀膜过程中离子输运和溅[本文99页]
 磁控溅射法制备氮掺杂zno薄膜及其光学[本文67页]  高质量sno_2薄膜的制备及特性研究[本文136页]  znmno薄膜的制备及性质研究[本文81页]
 纳米fe基软磁合金的制备及微结构研究[本文59页]  zno:cu薄膜的制备及其光、电性能研究[本文66页]  可调谐体声波谐振器用bst薄膜材料研究[本文68页]
 pt系铁电薄膜生长及其性能研究[本文70页]  磁控溅射法制备mnzn铁氧体薄膜技术研[本文84页]  离子束掺杂二氧化钛纳米薄膜光学性能[本文68页]
 射频磁控溅射法制备pzt薄膜工艺与结构[本文73页]  溅射法制备nizn铁氧体薄膜工艺技术研[本文75页]  bam铁氧体薄膜的制备及性能研究[本文60页]
 全频段石榴石薄膜性能及应用基础研究[本文163页]  射频磁控溅射制备tib_2/tialn纳米多层[本文63页]  磁控溅射和多弧离子镀方法合成zrb_2/[本文80页]
 铌酸锌铋bzn薄膜的制备和介电可调性能[本文62页]  磁控溅射技术设计合成zrn/wn和crn/zr[本文90页]  介质移相器用铁电薄膜性能优化研究[本文76页]
 钴铁氧体薄膜的制备及其性能的研究[本文78页]  立方烧绿石结构bzn薄膜的制备及介电可[本文69页]  氮化铝基稀磁半导体薄膜的制备及性质[本文86页]
 zno薄膜制备及声传感器结构仿真[本文77页]  cd掺杂bzn薄膜的制备和性能研究[本文62页]  plzt薄膜电学和光学性能及电光器件原[本文74页]
 pst陶瓷及薄膜材料研究[本文79页]  多工位平面磁控溅射镀膜装置及膜厚分[本文66页]  射频磁控溅射法制备fc/zno有机—无机[本文130页]
 sic薄膜及纳米线的制备与表征[本文51页]  zno:al和zno:fe薄膜的制备、结构及[本文86页]  cuo薄膜和cu/tio_x复合薄膜的制备与表[本文76页]
 nio/zno基半导体异质结及mgnio固溶体[本文93页]  zno薄膜及其光电器件的室温制备及性能[本文76页]  磁控溅射制备a1n过渡层zno薄膜及其性[本文58页]
 射频磁控溅射法制备氮掺杂氧化锌薄膜[本文52页]  mg掺杂pst陶瓷及薄膜的制备与性能研究[本文83页]  la_2mo_3o_(12)薄膜的制备和光学性[本文70页]
 zno:mn稀磁半导体及p型zno:n薄膜的[本文54页]  nio薄膜的制备及其光学特性的研究[本文53页]  基于微/纳金刚石过渡层的cbn涂层刀具[本文69页]
 zno/ps复合体系的微结构和光学特性[本文70页]  高频用ni-zn铁氧体薄膜的结构与磁性[本文106页]  射频磁控溅射法制备fc/zno有机—无机[本文130页]
 zno:al和zno:fe薄膜的制备、结构及[本文86页]  射频磁控溅射法制备cdo/cdte薄膜太阳[本文73页]  氧化锌基薄膜晶体管的制备及特性研究[本文73页]
 sn掺杂zno透明导电薄膜的制备与性能研[本文84页]  cr-si系薄膜的制备及超高压压力传感器[本文61页]  介电可调bmn薄膜及变容管制备研究[本文59页]
 zao陶瓷靶材及薄膜的制备工艺与性能研[本文71页]  掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备与性能[本文67页]  bst铁电薄膜红外探测器阵列的制备工艺[本文60页]
 射频磁控溅射生长bn薄膜及其接触特性[本文84页]  功能玻璃镜面聚焦和绒面雾化的光学研[本文75页]  稀土离子掺杂zno薄膜的制备及特性研究[本文66页]
 cu_2znsns_4薄膜太阳能电池材料的制备[本文70页]  场电子激励下zno纳晶薄膜紫外发光特性[本文74页]  m型钡铁氧体薄膜制备工艺研究[本文74页]
 zno纳米线的制备及其场发射性能的研究[本文80页]  zno纳米团簇复合薄膜的制备及光电性质[本文63页]  al/al_2o_3纳米多层膜的结构与性能研[本文94页]
 lamo_3/pd(m=fe,ni)氧化物复合薄膜[本文64页]  sic多层薄膜的制备及其性能研究[本文68页]  sn、al共掺杂zno薄膜的制备及其性能研[本文80页]
 涤纶基布表面磁控溅射纳米铜膜及性能[本文88页]  hvpe法制备gan体材料的研究[本文112页]  高效hit非晶硅/单晶硅太阳电池中透明[本文73页]
 声表面波气体传感器的研究[本文54页]  tco薄膜的性能优化[本文61页]  基于saw器件“zno/(100)aln/diamon[本文52页]
 al掺杂zno薄膜的制备及性能研究[本文85页]  基底与cu掺杂对zno微结构和光学性质的[本文71页]  a1n基稀磁半导体薄膜的生长及磁性研究[本文63页]
 zno基薄膜及其紫外光电探测器的制备和[本文60页]  sic/sin_x薄膜表面组织结构控制及性能[本文78页]  nio薄膜的制备及其掺杂技术研究[本文47页]
 射频磁控溅射法制备环形器用yig薄膜[本文70页]  磁控溅射tinicu形状记忆合金薄膜的研[本文64页]  pd/lanio_3复合薄膜电极材料在碱性溶[本文64页]
 掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备与特性[本文150页]  mgzno薄膜的制备及特性研究[本文111页]  离子注入法与射频溅射法制备光波导的[本文159页]
 氧化锡及其锑掺杂薄膜的制备、结构和[本文116页]  ti-6al-4v合金改性表面的疏水和红外发[本文80页]  c掺杂zno薄膜的结构及相关物性研究[本文62页]
 溅射法制备氧化钒薄膜的研究[本文56页]  hvpe法生长厚膜gan[本文69页]  氘在碳—钨混合材料中的滞留特性研究[本文43页]
 tio_2薄膜的制备及其光学性质研究[本文58页]  适合于声表面波器件的双晶向aln薄膜的[本文56页]  基于azo薄膜的气体传感器的制备及其性[本文63页]
 射频磁控溅射法制备al_2o_3、ti-al-o[本文69页]  真空cvd法制备高质量的zno纳米结构[本文52页]  射频磁控溅射法制备cawo_4:eu~(3+)薄[本文72页]
 wo_3薄膜电致变色器件的制备及性能研[本文87页]  施主缺陷(zn_i,c)对zno:n薄膜光电特[本文55页]  in-n共掺p型zno薄膜制备及稳定性研究[本文52页]
 过渡层对sic薄膜结构和性能的影响[本文78页]  基于非晶态掺锶锰酸镧薄膜的忆阻器研[本文173页]  nio_x薄膜电阻开关存储器制备及性能研[本文55页]
 非晶铟锡锌氧化物薄膜的制备及特性研[本文68页]  制备工艺以及退火处理对zno-tft性能的[本文76页]  硫化锌薄膜材料的制备及物性研究[本文50页]
 磁控溅射制备氮化物薄膜及其表征[本文61页]  沟道层工艺条件对izo薄膜晶体管稳定性[本文76页]  掺钨氧化铟锌薄膜晶体管的研究[本文77页]
 稀土掺杂tio_2薄膜上转换发光特性研究[本文60页]  应用于硅基薄膜太阳能电池的zno透明导[本文61页]  射频磁控溅射制备tan薄膜及其性能研究[本文66页]
 低压铟锌氧双电层晶体管研究[本文57页]  基于ppln的电光调制位相阵列光分束器[本文102页]  射频磁控溅射制备金属/crn薄膜及其特[本文95页]
 mn-co-ni-o系热敏薄膜的磁控溅射方法[本文75页]  激光退火对氧化锌薄膜压敏电阻性能影[本文72页]  氧化亚铜的制备及其光电器件的制备[本文53页]
 磁控溅射fecrconimn高熵合金薄膜及其[本文57页]  in-n共掺p型znmgo薄膜的制备及稳定性[本文63页]  非晶碳氮膜的制备及其摩擦磨损性能的[本文84页]
 igzo-tft器件的制备工艺探索及性能优[本文86页]  磁控溅射法制备nb掺杂tio_2透明导电薄[本文72页]  zno基紫外探测器的制备及其结构的优化[本文58页]
 m型钡铁氧体薄膜显微结构与性能的关系[本文144页]  nio基薄膜的磁控溅射法制备及其光电器[本文121页]  直流、射频磁控溅射制备al_2o_3薄膜工[本文83页]
 
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