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 tio_2纳米管阵列的制备、改性及光电化[本文63页]  磁控溅射制备掺杂氧化锌薄膜晶体结构[本文86页]  gaas/gan双色探测薄膜结构设计与光电[本文71页]
 金属修饰二氧化钛纳米管阵列电极的制[本文80页]  若干—维纳米结构材料的制备与应用研[本文170页]  视黄醛膜蛋白的质子泵功能及其光响应[本文191页]
 基于藻胆蛋白和细菌光敏色素的生物光[本文64页]  静电纺丝法制备一维聚合物—有机小分[本文92页]  石墨烯—半导体复合材料的设计、制备[本文145页]
 cu_2o/tio_2、pani/tio_2纳米复合半导[本文74页]  金属氧化物修饰二氧化钛纳米管阵列的[本文79页]  有机器件与改性石墨烯电学性质的理论[本文99页]
 tio_2/sic复合材料光电响应和光催化研[本文83页]  zno@zifs纳米材料的合成及其光电性质[本文99页]  含吡啶基团四硫富瓦烯衍生物的合成及[本文100页]
 ccd光电参数测试方法研究及系统设计[本文82页]  bi、sb基硫属半导体纳米结构的设计合[本文107页]  氧化钒纳米材料的制备及光电性能研究[本文123页]
 铜掺杂氧化锌稀磁半导体的缺陷结构、[本文203页]  双势垒量子点ccd读出[本文40页]  氧化物纳米纤维的电纺丝法制备、器件[本文144页]
 石墨烯基金属卟啉复合材料的结构形貌[本文63页]  石墨烯薄膜的光电性能研究[本文52页]  三维结构石墨烯的可控制备及物性研究[本文167页]
 二茂铁基偶氮苯化合物及其聚合物的合[本文101页]  氮化镓（gan）表面微纳米结构在界面改[本文162页]  碲纳米材料的可控制备及其光电响应特[本文109页]
 al~(3+)掺杂浓度、粒子形貌及长度对n[本文82页]  二维光电响应材料的理论研究[本文131页]  钽铌酸钾系列材料的制备表征及其性质[本文55页]
 钨掺杂氧化钒基非制冷红外探测器的制[本文73页]  ga_2o_3材料的制备及其性能研究[本文65页]  钒氧化物光电探测器的制备及性能研究[本文103页]
 碳量子点的制备及其在光电响应、铁离[本文73页]  cds纳米材料的控制合成及其光催化性能[本文86页]  含硫共聚物、mos_2和ch_3nh_3pbbr_3一[本文133页]
 ga_2o_3紫外光电导探测及其读出电路研[本文62页]  几种ⅲ-ⅴ族半导体纳米线的合成及光、[本文101页]  inas/gasbⅱ类超晶格制备与光电性能研[本文141页]
 飞秒激光微构造硅的光电性质研究[本文55页]  溶液法制备的cu_2msns_4(m=co~(2+),n[本文69页]  ⅵ族元素掺杂黑硅材料及其性能的研究[本文76页]
 含吡啶基团镍二硫纶化合物的功能化研[本文89页]  具有光电活性的有机—无机杂化钛氧化[本文97页]  新型铜铟硫化合物的合成及湿法膜制备[本文99页]
 tio_2/pbo复合材料的光电性能及其应用[本文70页]  基于含氮芳香杂环的金属—有机配合物[本文97页]  基于zno纳米结构的自供电紫外光电探测[本文64页]
 钛酸铋基铁电材料光电特性及其应用研[本文63页]  钴基硫化物及其石墨烯复合物设计合成[本文71页]  水溶性卟啉的聚集行为及其金属配合物[本文73页]
 含三苯胺拓扑结构材料制备与光电响应[本文178页]  可见光响应型tio_2纳米管基光电极的制[本文73页]  新型可见光响应的bi_2moo_6薄膜的制备[本文65页]
 卟啉、偶氮苯与蒽衍生物的界面组装：[本文150页]  光电倍增管位置响应的标定和μ子探测[本文52页]  染料敏化/sm～（3+）掺杂的纳米tio_2[本文66页]
 高速光电探测器频率响应特性测试研究[本文117页]  可见光响应n掺杂tio_2纳米管阵列制备[本文82页]  nea光电阴极光谱响应特性研究[本文65页]
 氢化纳米硅薄膜硅量子点光电流响应调[本文78页]  碲镉汞红外探测器光电响应特性的机理[本文116页]  具有光电响应的锌、汞离子化学传感器[本文63页]
 光响应分子的设计、性质研究及其光电[本文99页]  不锈钢钝化膜光电流响应波形的解析[本文48页]  不锈钢表面氧化膜暂态光电流响应分析[本文123页]
 gaas光电探测器电极设计及非线性光响[本文71页]  单元光电探测器在连续激光辐照下的响[本文115页]  双层结构钝化膜的光电流响应分析[本文49页]
 可见光响应型tio_(2-x)/半导体异质（[本文102页]  氢对不锈钢光电流响应的影响[本文53页]  可见光响应氮（氧）化物光催化/光电化[本文74页]
 非晶态镁和镁基合金薄膜的快速氢致光[本文73页]  宽光谱响应tio_2纳米材料的制备及光电[本文79页]  可见光响应tio_2异质结构的可控合成及[本文61页]
 基于cmv300的cmos相机光电响应特性研[本文62页]  光电材料中相干非线性响应的研究[本文121页]  电刺激响应型磷光铱配合物的设计、合[本文142页]
 智能响应型磷光过渡金属配合物的设计[本文63页]  金属氧化物pn异质结对光电响应与气体[本文112页]  钙钛矿氧化物外延薄膜的量子调控及光[本文58页]
 纳米结构氧化锌光电响应与弛豫特征的[本文201页]  基于azo籽晶层生长zno纳米棒阵列异质[本文64页]  低维层状纳米材料的制备及光电流响应[本文120页]
 ag修饰c掺杂tio_2光电响应及光催化性[本文56页]  宽光谱响应的氧氮型钙钛矿材料的制备[本文83页]  sic弱修饰的si二维纳米结构光电流响应[本文54页]
 黄素辅酶在氧化锌纳米棒光电极上的光[本文84页]  基于单电子转移活性自由基聚合技术的[本文68页]  基于硅纳米线阵列的光电化学响应改性[本文74页]
 量子点/石墨烯纳米复合材料的制备及其[本文89页]  基于p3ht:pc_(70)bm体系的有机光电倍[本文74页]  几种基于光电化学响应的生物传感器的[本文114页]
 基于tio_2纳米棒阵列异质结光电响应特[本文63页]  基于p3ht：pc_（71）bm体系光电倍增型[本文65页]  宽光谱响应微纳结构硅材料制备及光电[本文75页]
 可见光响应型lataon_2光阳极及其光电[本文70页]  sio_2/si衬底上ge量子点/石墨烯复合结[本文69页]  基于可见光响应er~(3+):yalo_3/rgo/t[本文56页]
 用于dwdm系统的集成解复用接收器件的[本文61页]  pt修饰tio_2纳米管阵列薄膜的制备及其[本文72页]  利用液晶相变调控金纳米粒子薄膜的表[本文76页]
 带前放si-apd探测器的动态特性研究[本文46页]  蓝紫光敏感硅光电探测器的设计与制作[本文61页]  氧化锌—石墨烯复合材料的制备及光响[本文63页]
 直流溅射法制备zno/si异质结的光电转[本文114页]  tio_2纳米材料及其复合体系在光电化学[本文124页]  数字便携式诊断x射线剂量检测仪的研制[本文59页]
 透明导电薄膜cdin_2o_4的研究和高速光[本文116页]  tio_2薄膜的制备及其紫外光电导性能的[本文77页]  tio_2介孔薄膜的制备及其光电性质研究[本文61页]
 聚偏氟乙烯中空纤维膜表面改性研究[本文56页]  微通道板光电倍增管性能研究[本文43页]  gaas光电阴极自动激活技术研究[本文61页]
 微光像增强器光谱响应测试系统研究[本文70页]  像增强器宽光谱响应测试系统研究[本文83页]  nea光电阴极多信息量测控技术研究[本文70页]
 光电探测器关键性能参数测试研究[本文62页]  新型硅基sinp异质面蓝紫光电池及sis异[本文220页]  zno：al薄膜光禁带的调控性研究[本文65页]
 inp/ingaas单行载流子光电二极管的研[本文67页]  钛基催化剂的制备、表征及其光催化制[本文64页]  bso基光寻址空间光调制器的特性研究[本文150页]
 半导体光电探测器中载流子输运过程研[本文136页]  nea gan光电阴极的量子效率研究[本文62页]  nea gan光电阴极制备以及激活方法研究[本文62页]
 反射式nea gan光电阴极激活与评估研究[本文114页]  微胶囊电泳显示电子墨水构成与性能关[本文145页]  具有高响应率宽响应范围的硅光电晶体[本文60页]
 纳米二氧化钛薄膜的制备及其光电性能[本文79页]  高性能gaas光电阴极研究[本文146页]  nea光电阴极激活及性能测试技术研究[本文84页]
 基于单片机与pc的光电靶测试系统研究[本文62页]  磁控溅射法制备zno薄膜及光电导探测器[本文67页]  高增益光电探测器物理特性和等效电路[本文64页]
 新型微纳光电探测器模型及其特性分析[本文73页]  氧化锌薄膜的制备及其紫外探测特性研[本文56页]  zno基薄膜的制备及其紫外光电导特性研[本文59页]
 光学薄膜激光诱导损伤图像分析与参数[本文81页]  液晶显示器响应时间测量方法和系统的[本文81页]  直流溅射法制备zno/si异质结的光电转[本文114页]
 花状纳米氧化锌光电气敏性质的研究[本文89页]  高温水中zn离子抑制镍合金腐蚀机理半[本文118页]  bi_2o_3@bi_2s_3和cdo@cds核—壳结构[本文76页]
 bi_2o_3@bi_2s_3和cdo@cds核—壳结构[本文76页]  红外火焰探测器性能综合测试平台的设[本文74页]  有机绝缘介电层在有机光电器件中的应[本文55页]
 强激光辐照光电探测器非线性性能研究[本文77页]  新型含吡啶环不对称二芳烯分子的合成[本文107页]  机载光电稳定平台减振技术应用研究[本文54页]
 cu_2s、cuins_2纳米结构的合成及其光[本文65页]  光电探测器综合特性测试系统的研究与[本文84页]  nea gan光电阴极光电发射特性研究[本文58页]
 新型穿通增强型硅光电晶体管的研究与[本文60页]  镉硫属元素簇电荷转移化合物的合成及[本文161页]  基于蓝宝石单晶光纤的黑体腔瞬态高温[本文77页]
 长波长wdm解复用光接收集成器件及其微[本文128页]  基于pin光电二极管的光功率计设计[本文60页]  直接辐射日照时数的测量方法研究[本文61页]
 固态体积立体显示体的制备及性能研究[本文76页]  硅光电管光谱特性测试系统的研究[本文63页]  基于féry棱镜分光的太阳光谱仪研究[本文153页]
 二维纳米材料与气体相互作用的原位研[本文53页]  基于金属交叉电极耦合谐振腔增强结构[本文113页]  快响应inp/ingaas/inp红外光电阴极的[本文63页]
 nea-gaas光阴极直流高压注入器物理特[本文144页]  透射式变掺杂gaas光电阴极及其在微光[本文125页]  微纳双重结构黑硅的制备及光电特性研[本文123页]
 细菌视紫红质—稀土上转换纳米粒子生[本文62页]  基于纳米粒子的界面组装制备刺激响应[本文142页]  硅基阻挡杂质带红外探测器研制及其光[本文102页]
 g-c_3n_4基纳米复合材料的制备及其可[本文84页]  gaas基微纳米线阵列光电发射理论与实[本文65页]  强度调制的光电化学扫描频谱仪的研究[本文67页]
 多旋翼无人机用单载荷光电稳定平台结[本文80页]  电性件塑闪阵列探测器的研制[本文71页]  模板法制备有机半导体纳米线及其场效[本文68页]
 毫秒激光对硅及硅基光电探测器损伤机[本文125页]  超临界co_2辅助石墨烯和石墨烯/二硫化[本文80页]  二维层状材料mos_2的制备及其光电特性[本文76页]
 β、x、γ射线电子个人剂量仪的设计与[本文57页]  碘化铅纳米线制备及其光电性能研究[本文76页]  基于量子点/低维纳米碳材料的光调制薄[本文146页]
 金属硫族化合物超薄纳米结构的控制合[本文89页]  基于新型二维材料及异质结光电探测器[本文165页]  单层ws_(2x)se_(2-2x)化学气相沉积[本文104页]
 基于rof系统的高功率光电探测器研究[本文83页]  znmgo_bst/sto双色响应薄膜的制备及其[本文66页]  基于响应曲面法的太阳能膜蒸馏优化实[本文77页]
 毫秒脉冲激光致硅基pin光电二极管电学[本文58页]  石墨烯和ch_3nh_3pbi_xcl_(3-x)光电探[本文64页]  基于黑硅材料的si-apd功能仿真研究[本文68页]
 基于cupc/c60异质结的红光有机光电探[本文68页]  4h-sic雪崩紫外探测器的光谱响应的研[本文79页]  gesn pin光电探测器研究[本文85页]
 石墨烯基复合材料光电探测器研究[本文96页]  半导体锗光纤的制备及其在高速光电探[本文69页]  可见光响应n型半导体纳米结构构筑及光[本文140页]
 碳材料修饰的纳米半导体制备及其光/电[本文138页]  含n,n’-二（3-吡啶基）丁二酰胺配位[本文149页]  基于场效应晶体管结构的纳米复合薄膜[本文119页]
 有机/纳米复合物场效应光电探测器研究[本文116页]  pbs胶体量子点的合成及应用[本文60页]  飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性的[本文70页]
 离子注入重掺杂硅的能级调控及近红外[本文61页]  二硫化锡层状材料的取向控制及其光电[本文88页]  星间激光测距系统中光电探测器的研究[本文87页]
 电纺氧化锌纳米纤维的制备及其光电流[本文76页]  基于光导材料的液晶聚合物快速响应光[本文60页]  具有光电功能的ttf羧酸电荷转移化合物[本文114页]
 基于二维纳米材料的高效光电探测器的[本文74页]  一款应用于便携式设备的数字环境光感[本文76页]  ccd图像传感器模型仿真研究[本文65页]
 具有光电功能的四吡啶卟啉电荷转移化[本文91页]  sam型algan日盲雪崩光电二极管的模拟[本文54页]  硅基锗金属—半导体—金属光电探测器[本文90页]
 一种光伏阵列模拟器的研究和设计[本文62页]  公司治理下的内部控制与审计[共8114字]  计算机网络系统安全维护策略初探[共2853字]
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