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晶体管：按性能分
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 新型SiC沟槽IGBT的模拟研究[本文78页]  高压SiC BJT在脉冲功率领域的快速驱[本文86页]  基于MATLAB编程的HBT集成电路温度分[本文73页]
 高压大容量IGBT串联动态均压技术研[本文65页]  基于广义端口特性的IGBT功率模块可[本文87页]  计及疲劳累积效应的IGBT模块焊料层[本文79页]
 IGBT机理建模及驱动问题研究[本文68页]  基于闭环控制的IGBT并联均流方法研[本文66页]  高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计[本文92页]
 脉冲功率系统中IGBT模块封装的研究[本文82页]  用于固态调制器的IGBT串并联电路研[本文69页]  IGBT驱动技术的研究[本文56页]
 IGBT器件的低开关损耗驱动技术研究[本文79页]  基于机器学习算法的IGBT模块故障预[本文95页]  压接式IGBT开关特性测试平台的设计[本文83页]
 FS结构的3300V IGBT终端设计[本文68页]  10KV 4H-SiC IGBT的分析与设计[本文70页]  基于600V的IGBT驱动电路设计[本文76页]
 集成温度采样功能的IGBT设计[本文80页]  一种开关过程优化的高压IGBT驱动电[本文72页]  高温环境下IGBT建模与结温预测方法[本文80页]
 GPNP晶体管电离/位移协同效应研究[本文75页]  双极晶体管电离缺陷演化规律及物理[本文74页]  不同温度条件下GLPNP晶体管的电离辐[本文70页]
 超低功耗FS-IGBT研究[本文71页]  高压栅驱动电路中抑制噪声技术的研[本文63页]  4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究[本文84页]
 1700V RC-IGBT的设计与仿真分析[本文66页]  一种具有电子注入的槽栅IGBT的设计[本文79页]  一种用于逆变模块的IGBT设计[本文66页]
 大功率IGBT器件的结构设计优化[本文65页]  压接式IGBT器件内部电场分析与绝缘[本文52页]  压接式IGBT封装技术研究[本文56页]
 IGBT模块热阻测试方法及其退化估测[本文79页]  IGBT模块电热特性测试试验研究[本文75页]  IGBT模块的热应力分布及其与器件寿[本文66页]
 IGBT功率模块电热参数的时间序列与[本文77页]  IGBT模块通态电热特性退化试验研究[本文75页]  550V U型沟道厚膜SOI-LIGBT器件特性[本文78页]
 基于温度自适应调节的功率器件栅驱[本文89页]  1200V SiC MOSFET与Si IGBT的短路可[本文76页]  基于组合式动态热敏电参数的功率IG[本文68页]
 高压高性能LIGBT器件新结构研究[本文121页]  基于温度梯度及统计特性的IGBT模块[本文151页]  计及低强度热载荷疲劳累积效应的IG[本文123页]
 阱复用LIGBT与矩阵式驱动电路研究[本文110页]  基于动态热敏电参数法的大容量IGBT[本文140页]  高压IGBT功率模块瞬态直通模型与关[本文115页]
 SOI基高速横向IGBT模型与新结构研究[本文110页]  RC-IGBT的理论模型与新结构研究[本文106页]  新型RC-IGBT的研究[本文112页]
 1200V SiC BJT器件仿真及实验研究[本文78页]  具有大电流关断能力的3300V IGBT的[本文68页]  基于热敏感电参数的功率器件结温预[本文51页]
 超结（Super-Junction）IGBT电力半[本文69页]  智能功率模块用550V厚膜SOI-LIGBT短[本文88页]  智能功率驱动芯片IGBT栅极控制方法[本文73页]
 550V厚膜SOI-LIGBT热载流子退化机理[本文75页]  智能功率驱动芯片用SOI-LIGBT关断特[本文84页]  纳米银焊膏无压低温烧结连接方法的[本文118页]
 SiGe HBT性能增强的技术研究[本文105页]  IGBT驱动策略与仿真研究[本文68页]  IGBT并联电流均衡模型和神经网络控[本文116页]
 大功率逆导型IGBT应用特性研究与专[本文99页]  碳化硅BJT的PSpice建模与实验验证[本文95页]  基于结构函数的IGBT热疲劳寿命预测[本文75页]
 IGBT疲劳老化失效剩余使用寿命预测[本文70页]  IGBT电力电子系统多时间尺度动态性[本文76页]  大功率IGBT模块健康状态信息提取方[本文90页]
 压接型IGBT开关特性测试平台的设计[本文73页]  压接式IGBT器件内部芯片电流测量的[本文94页]  基于瞬态热阻的IGBT模块寿命评估方[本文80页]
 基于端口电特性的IGBT模块可靠性研[本文96页]  IGBT的新型实时结温监测方法及其在[本文72页]  ELDRS效应加速实验方法的数值模拟[本文63页]
 漂移区多沟槽耐压的SOI高压器件特性[本文78页]  高功率IGBT芯片的瞬时低温烧结互连[本文61页]  大功率IPM模块的结构设计与仿真[本文73页]
 基于Saber的IGBT模块电热联合仿真的[本文87页]  功率模块在线工作温热失效的预测模[本文54页]  IGBT功率模块热传导与退化研究[本文87页]
 SOI SA-LIGBT中负阻效应的机理和新[本文60页]  3300V/400A SiC混合模块设计与热应[本文76页]  电力系统用3300V-50A IGBT芯片设计[本文73页]
 IGBT专用驱动芯片中的BUCK型DC-DC转[本文83页]  4500V/900A IGBT模块驱动保护电路设[本文67页]  大功率IPM驱动保护芯片设计[本文87页]
 低功耗无回跳逆导型IGBT的结构设计[本文72页]  IGBT驱动及过压保护研究[本文83页]  基于IGBT控制的高速直流断路器设计[本文79页]
 高性能IGBT驱动板的设计[本文71页]  基于TCAD的SJ-IGBT特性设计与分析[本文75页]  IGBT的寿命评估方法研究[本文79页]
 采用IGBT逆变焊接电源模块的设计[本文74页]  大功率IGBT驱动模块的设计与研究[本文87页]  栅控功率器件过渡区可靠性的研究[本文65页]
 高压4H-SiC BJT功率器件特性研究[本文73页]  6500V IGBT设计及动态特性研究[本文67页]  一种高性能IGBT驱动电路设计[本文71页]
 基于光纤通信与电源供电的IGBT光驱[本文85页]  一种高压IGBT半桥驱动芯片设计[本文70页]  1200V RC Trench IGBT的设计[本文63页]
 IGBT模块电—热—力耦合与失效分析[本文68页]  基于结构函数的IGBT芯片焊接质量分[本文70页]  基于变开关频率的IGBT功率模块结温[本文69页]
 毫米波亚毫米波段InP HBT特性及模型[本文76页]  大功率压接式IGBT内部芯片并联均流[本文79页]  大电流IGBT模块开关不良特性分析与[本文64页]
 压接型IGBT串联技术研究[本文69页]  高压大功率压接型IGBT器件并联芯片[本文136页]  基于IGBT寄生参数的门极驱动技术[本文63页]
 一种基于Pspice的IGBT模型的研究与[本文53页]  IGBT功率模块封装可靠性研究[本文135页]  功率晶体管建模及射频与微波功率放[本文147页]
 大容量IGBT模块应用工况复现平台的[本文91页]  一种新型IGBT多阶段驱动方法[本文78页]  场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改[本文49页]
 IGBT智能功率模块的驱动保护研究[本文67页]  重复过流冲击下IGBT退化的在线监测[本文68页]  大电流IGBT芯片的研究[本文72页]
 新型可集成横向功率器件以及分立纵[本文115页]  干扰信号下IGBT的动态电磁特性研究[本文78页]  电动汽车1200V/75A IGBT芯片设计与[本文105页]
 基于IGBT的软启动器研究[本文71页]  550V厚膜SOI-LIGBT器件可靠性研究[本文135页]  低LIGBT衬底漏电流新结构研究[本文65页]
 高速高压FS-IGBT新结构研究[本文78页]  高压IGBT短路关断中芯片温升仿真研[本文58页]  3300V/1200A焊接型IGBT器件的建模及[本文62页]
 压接型IGBT模块内部并联芯片支路电[本文66页]  绝缘栅双极型晶体管的失效分析和可[本文45页]  IGBT直接串联均压技术的研究[本文77页]
 新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计[本文106页]  大功率IGBT散热装置的设计及优化研[本文75页]  高性能4H-SiC BJT器件设计及制备技[本文143页]
 典型SiGe HBTs的总剂量辐射效应研究[本文79页]  IGBT驱动技术研究[本文65页]  IGBT封装模块散热特性的研究[本文46页]
 二极管钳位IGBT串联均压技术研究[本文93页]  虚拟衬底应变Si/SiGe HBT击穿电压及[本文79页]  小功率通用变频器绝缘栅双极型晶体[本文61页]
 IGBT功率模块结温探测和寿命预测[本文54页]  非平稳工况变流器IGBT模块结温平滑[本文136页]  IGBT功率模块的失效研究与键合线状[本文58页]
 风电变流器IGBT模块结温计算及功率[本文79页]  铁路客车电源IGBT模块的驱动与保护[本文74页]  InP HBT器件模型及电路研究[本文88页]
 IGBT器件热可靠性的研究[本文93页]  低谐波型多可调光源发生执行系统的[本文59页]  IGBT功率模块并联技术研究[本文76页]
 大功率IGBT模块高可靠驱动及通信技[本文77页]  IGBT失效分析技术[本文69页]  基于FEM的功率IGBT模块功率循环可靠[本文80页]
 SiGe HBT小信号建模技术研究[本文65页]  MMC子模块数字驱动电路及子模块仿真[本文73页]  IGBT模块封装热应力研究[本文61页]
 IGBT热特性的电学法测试系统研制[本文75页]  大功率IGBT串并联技术研究[本文70页]  考虑IGBT寄生参数的PWM整流器传导干[本文53页]
 功率器件的故障诊断及疲劳寿命预测[本文50页]  InP基含锑（Sb）基区DHBT器件性能研[本文78页]  基于PSPICE的IGBT宽频等效电路模型[本文58页]
 风电变流器IGBT器件实时温热状态无[本文67页]  高压IGBT的设计与实现及功率器件可[本文145页]  铝基金刚石IGBT散热基板的制备和性[本文73页]
 新型双面冷却功率电子模块封装研究[本文92页]  关于1700V/2400AIPM驱动与保护电路[本文52页]  基于虚拟仪器的IGBT老化电参量自动[本文79页]
 一种IGBT模块失效机理分析[本文69页]  IGBT热阻热谱和热瞬态过程的研究[本文78页]  IGBT半桥模块寄生电感的研究与优化[本文64页]
 碳化硅双极型晶体管的建模及特性研究[本文65页]  异质结双极型晶体管的制备与研究[本文46页]  高压大容量IGBT测试技术及测试平台[本文70页]
 SiGe HBT器件及其在LNA电路中的应用[本文115页]  1200V NPT-IGBT的研制[本文83页]  基于ITC技术的600V超结IGBT的仿真研[本文76页]
 功率模块IGBT状态监测及可靠性评估[本文114页]  双极晶体管辐射损伤效应及深能级缺[本文167页]  绝缘栅双极型晶体管结温测量方法的[本文67页]
 集成稳压器中双极晶体管抗电离辐照[本文82页]  铝碳化硅IGBT基板压铸成形技术的研[本文89页]  IGBT驱动器的设计与实现[本文80页]
 InP HBT器件大信号模型研究[本文62页]  高压IGBT关断状态失效的机理研究[本文76页]  4500V FS IGBT终端设计[本文69页]
 具有FS结构的3300VIGBT元胞设计[本文62页]  基于600V BCD工艺平台的IGBT驱动芯[本文75页]  具有空穴阻挡层IGBT的设计[本文67页]
 一种强抗闩锁IGBT的设计[本文66页]  3300V NPT-IGBT动态特性研究[本文73页]  1200V TRENCH-FS型IGBT的设计[本文61页]
 IGBT近场电磁骚扰特征的研究[本文62页]  双极晶体管微波损伤效应与机理研究[本文147页]  SiGe HBT基于物理的Scalable模型及[本文82页]
 高压功率器件并联设计及工艺研究[本文65页]  一种高可靠性的1200V IGBT的设计[本文90页]  IGBT功耗优化的研究[本文60页]
 中高压功率IGBT模块开关特性测试及[本文141页]  4H-SiC BJT功率器件结构和特性研究[本文65页]  基于高速光纤环路通讯的高功率IGBT[本文68页]
 3300 VPlanar IGBT的仿真分析与设计[本文74页]  SOI SiGe HBT性能与结构设计研究[本文154页]  4H-SiC双外延基区双极晶体管模型与[本文125页]
 兼容纵向PNP，纵向NPN双极型晶体管[本文40页]  InP基HBT的数值仿真研究[本文59页]  基于近似熵分析和小波变换的IGBT模[本文62页]
 基于饱和压降测量的IGBT功率模块状[本文68页]  绝缘栅双极型晶体管串联电压均衡技[本文84页]  绝缘栅双极型晶体管结温仿真模型及[本文76页]
 IGBT功率模块寿命预测技术研究[本文64页]  SOI SiGe HBT结构与集电区模型研究[本文71页]  4H-SiC功率BJT的实验研究[本文59页]
 多发射指异质结双极型晶体管的热稳[本文76页]  GaInP/GaAs异质结晶体管的无条件稳[本文83页]  高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）设计[本文62页]
 基于SiGe HBT的高频增益模块[本文75页]  增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分[本文73页]  高速LIGBT电势控制理论与新结构[本文146页]
 射频微波SiGe HBT建模与参数提取技[本文158页]  智能功率模块测试系统的设计及其若[本文67页]  InP基HBT的理论研究以及光接收机前[本文116页]
 SiGeC HBT特性分析与建模仿真[本文63页]  异质结双极晶体管HBT单边增益研究[本文61页]  绝缘栅双极晶体管技术研究[本文49页]
 有机静电感应晶体管工作特性的研究[本文82页]  GaN基HEMT耐压结构的研究与设计[本文58页]  GaN HEMT器件等效电路宏模型与测试[本文58页]
 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的测试[本文63页]  带温度保护电路的SiGe功率晶体管设[本文70页]  IGCT器件的应用研究[本文66页]
 基于L-Edit设计及MINITAB、JMP分析[本文64页]  穿通结构三极管BV_（CEO）仿真分析[本文76页]  微波功率SiGe HBT关键技术研究[本文164页]
 GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[本文127页]  4H-SiC npn双极晶体管特性研究[本文54页]  双极结型晶体管发射结正向I-V特性曲[本文61页]
 用于MMIC硅基双极型高频微波晶体管[本文65页]  4H-SiC金属—半导体双极晶体管的模[本文60页]  5GHz硅双极晶体管的研制[本文66页]
 双极晶体管电磁脉冲损伤机理研究[本文68页]  4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管研究[本文64页]  双极晶体管总剂量辐射效应及其表征[本文69页]
 4H-SiC隧道双极晶体管的模拟研究[本文60页]  超高频SiGe异质结双极晶体管的可制[本文76页]  基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成[本文78页]
 复合势垒高电子迁移率晶体管的研制[本文81页]  InP基HBT的数值仿真研究[本文59页]  高性能SiGe HBT结构设计与制造技术[本文99页]
 具有高响应率宽响应范围的硅光电晶[本文60页]  兼容纵向PNP，纵向NPN双极型晶体管[本文40页]  SiGe HBT及其单片集成电路的研究[本文80页]
 InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的[本文114页]  中大功率IGBT驱动及串并联特性应用[本文74页]  功率IGBT的若干失效问题研究[本文64页]
 硅磁敏三极管开关集成电路设计[本文58页]  纳米CMOS工艺中高性能BJT研究与建模[本文72页]  射频功率HBT自热补偿方法研究[本文71页]
 与HBT工艺兼容的四类新型三端负阻器[本文114页]  新型器件SiGe HBT和GaN HEMT Scala[本文84页]  星用双极型器件带电粒子辐照效应及[本文164页]
 微波功率SiGe HBT与基于虚衬底的Si[本文151页]  双向充电高频磁刺激电路的研制[本文68页]  大功率应用条件下绝缘栅双极型晶体[本文66页]
 绝缘栅双极晶体管在大功率固态调制[本文64页]  InP基HBT及单片集成光接收机前端的[本文141页]  InP基HBT的理论研究以及光接收机前[本文116页]
 HBT模型参数提取方法及InP基单片集[本文143页]  InP基HBT的理论研究及其在光接收机[本文95页]  InP基HBT频率性能分析、参数提取及[本文118页]
 
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