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元素半导体
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元素半导体类文章380篇，页次：1/2页 【第一页‖ 上一页 ‖ 下一页‖最后页】 转到   页
 基于分子动力学模拟的硅纳米线谐振[本文58页]  直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂[本文72页]  宽光谱响应微纳结构硅材料制备及光[本文75页]
 Si(100)和Si(110)表层二阶非线性光[本文64页]  硅晶体薄膜热传导性质的计算机模拟[本文87页]  溶液法制备硅纳米线研究[本文48页]
 掺杂纳米晶硅液晶光阀光敏层性能研究[本文74页]  多晶硅提纯与冷坩埚定向凝固过程的[本文91页]  基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成[本文71页]
 基于悬浮纳米薄膜的应变锗LED研究[本文74页]  多晶硅定向凝固的热场模拟与静态磁[本文77页]  硅晶体生长各向异性的分子动力学模[本文73页]
 硅片低温直接键合方法研究[本文59页]  大直径直拉式单晶炉等径控制系统的[本文88页]  硅量子面表面键合的实验与计算研究[本文61页]
 温度对单晶硅水下微观磨损的影响[本文82页]  温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻[本文67页]  飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性[本文70页]
 多场作用下多晶硅定向生长的研究[本文82页]  半导体硅中的90°部分位错[本文74页]  多晶硅厚膜制备及磷、硼快速扩散[本文61页]
 表面微加工多晶硅薄膜热学特性及力[本文65页]  炼硅煤质还原剂性能表征及制备流程[本文99页]  熔盐电解制备锗基和硅基材料[本文174页]
 半导体芯片用多晶硅材料提纯新工艺[本文26页]  减薄硅片变形的测量方法与技术[本文146页]  冷压制备工业硅生产用碳质还原剂球[本文157页]
 用碳化稻壳电热冶金法制备超冶金级[本文139页]  流化床内硅烷裂解制备粒状多晶硅过[本文139页]  热还原—真空挥发富集提取锗研究[本文169页]
 改进的锗浓缩技术及其生物传感器件[本文108页]  单晶硅材料超精密磨削机理研究[本文133页]  Si-Al(-Sn)合金凝固精炼过程中硼杂[本文140页]
 单晶硅纳米结构的TEM内原位拉伸实验[本文107页]  硅、锗半导体材料电子特性的力学调[本文121页]  微纳结构硅材料的制备及光电性能研究[本文68页]
 Ⅵ族元素掺杂硅材料的制备及其性能[本文74页]  高效多晶硅铸锭工艺优化研究[本文60页]  基于导电性变化的单晶硅表面机械损[本文66页]
 单晶硅纳米切削实验及表面完整性研究[本文69页]  硬脆材料加工表层力学性能研究及其[本文75页]  应用于生物传感器的硅基有序多孔硅[本文64页]
 单晶硅直径测量技术的研究与实现[本文64页]  基于表面等离激元的硅基微结构材料[本文138页]  黑硅材料的制备及其热退火工艺研究[本文64页]
 硅片检测运动平台动力学建模与分析[本文71页]  硅片检测平台的结构设计与误差测试[本文55页]  飞秒激光制备硫系掺杂硅及其光电特[本文115页]
 多晶硅生产工艺安全评价研究[本文68页]  单晶硅表面氢钝化时效性及其对摩擦[本文72页]  基于HF溶液选择性刻蚀的单晶硅亚表[本文63页]
 金刚线切多晶黑硅的制备及性能研究[本文78页]  多晶硅清洗工艺的优化[本文70页]  多晶硅生产中氯硅烷高效提纯技术及[本文80页]
 硅单晶等径阶段直径模型辨识与控制[本文61页]  工业硅冶炼煤基还原剂制备新工艺研究[本文90页]  硅晶体电火花线切割伺服控制与工艺[本文79页]
 硅表面S钝化机理与特性研究[本文58页]  水平超导磁场下CZ硅单晶固液界面氧[本文67页]  单晶炉液位检测的曲面镜拟合方法研究[本文62页]
 高拉速低能耗Φ200mm直拉硅单晶用热[本文71页]  60对棒多晶硅还原电气系统研究与设[本文56页]  铜阳极泥卡尔多炉处理工艺中碲化铜[本文68页]
 组合脉冲激光致单晶硅热力作用的数[本文56页]  单晶锗纳米切削机理和切削极限的研究[本文162页]  锗单晶切割片中缺陷的表面腐蚀研究[本文64页]
 基于黑硅材料的Si-APD功能仿真研究[本文68页]  氢化非晶/纳米晶硅薄膜的PECVD法制[本文70页]  黑硅材料的制备及器件研究[本文75页]
 基于第一性原理的非晶硅建模仿真研究[本文76页]  新型二维材料黑磷的非线性光学吸收[本文57页]  氧化亚铁硫杆菌对原生碲矿的浸出工[本文66页]
 冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计[本文65页]  基于中压等离子体技术的多晶硅薄膜[本文73页]  半导体硅和锗的磁电阻性能研究和应用[本文122页]
 金刚石线切割机装配过程可视化的研究[本文75页]  长脉冲激光与单晶硅相互作用的热应[本文56页]  高重频皮秒脉冲激光辐照多晶硅的损[本文45页]
 热毛细效应下熔融硅水平流动及凝固[本文73页]  直拉单晶硅磁场生长工艺及氧的掺入[本文50页]  冶金法多晶硅的晶体缺陷演变及电学[本文82页]
 工业硅中杂质P的强化析出及湿法去除[本文101页]  单晶锗微纳米切削脆塑转变机理研究[本文92页]  微波强化焙烧含锗中浸渣回收锗的工[本文86页]
 基于热力学模型的硅液中杂质组元活[本文111页]  冶金级硅熔渣精炼深度除硼研究[本文110页]  单晶硅超精密切削刀具磨损及其抑制[本文72页]
 碲纳米材料的可控制备及其光电响应[本文109页]  黑磷的电学性能调控及其逻辑器件的[本文90页]  大直径硅单晶的制备与数值分析[本文147页]
 高能劳厄单色器晶体压弯机构的优化[本文91页]  水分子诱导氢终止硅的老化及荧光光[本文127页]  基于分子动力学模拟和显微表征的聚[本文141页]
 基于PECVD中SiF_4/H_2/Ar混合气体的[本文73页]  基于分形几何的多晶硅陷光结构超声[本文65页]  外电场下金属辅助制备单晶硅纳米结[本文59页]
 基于压力悬浮法的单晶硅密度差值精[本文74页]  多晶硅片酸蒸气刻蚀制绒技术研究[本文132页]  四氯化硅氢化制备三氯氢硅生产工艺[本文85页]
 带有热管的新型CVD反应器的设计和研[本文75页]  碲锌镉中碲的提取研究[本文65页]  氢化铝钠反应釜机械密封技术的改进[本文54页]
 低缺陷密度大单晶比例太阳能级类单[本文117页]  多晶黑硅纳米绒面结构的调控技术研究[本文64页]  单晶硅表面微结构的制备及应用[本文65页]
 定向凝固多晶铸锭的影响因素[本文37页]  硅微通道阵列高温氧化及整形技术研究[本文50页]  氯硅烷歧化反应的研究[本文79页]
 锂离子电池硅负极材料的制备及其电[本文64页]  冰粒型固结磨料研抛单晶锗片的机理[本文70页]  自支撑多孔硅及其复合材料的制备与[本文80页]
 面向硅锭电火花多线切割的均衡放电[本文91页]  基于直线电机的半导体材料电火花线[本文92页]  镍钼矿冶炼烟尘中提取硒、砷的工艺[本文84页]
 单晶硅表面减反射微结构的制备和表征[本文63页]  介电微球诱导激光—化学复合法制备[本文58页]  飞秒激光硅表面微纳结构制备及其光[本文42页]
 空心激光与硅材料作用产生温度场的[本文48页]  高分辨率硅微通道板基体制备技术[本文52页]  Ge表面氧化和氢化的光电子计量谱学[本文56页]
 N235提取锗新工艺[本文74页]  模糊PID在铸锭炉温控系统中的应用研[本文69页]  硅基多孔不变形镜的研制[本文96页]
 单晶硅表面修饰及其纳米力学行为研究[本文83页]  组合激光对单晶硅热作用的数值分析[本文59页]  大面积图形化超薄单晶硅的制备及光[本文72页]
 冶金硅渣氧化行为及其多孔材料的制[本文71页]  超声椭圆振动辅助抛光硅片表面形貌[本文49页]  单晶硅片的表面织构化与应用[本文40页]
 多晶硅铸锭内嵌杂质引发热致应力的[本文45页]  300mm直拉单晶硅生长过程中熔体—坩[本文49页]  感应加热制备太阳能级铸造准单晶硅[本文57页]
 高硅铝合金中初晶硅的细化研究[本文83页]  基于双重预测PI的单晶硅直径控制系[本文75页]  长脉冲激光辐照单晶硅的损伤特性研究[本文64页]
 大直径区熔硅单晶的研究与制备[本文58页]  基于多孔硅一维光子晶体微阵列器件[本文54页]  基于多孔硅光子器件量子点荧光增强[本文52页]
 基于多孔硅/纳米金光子器件荧光增强[本文49页]  基于KOH腐蚀的单晶硅表面非周期性微[本文60页]  单晶硅表面减反射微结构的优化研究[本文66页]
 超声波强化浸出含锗渣中锗的实验研究[本文69页]  工业硅冶炼炉的多场耦合模拟和硅冶[本文87页]  硅包氧化精炼过程气液两相流动行为[本文84页]
 硅熔体中Al、Ca组元热力学性质的模[本文81页]  冶金级硅炉外吹气—熔渣联合精炼除[本文81页]  Al-Si合金熔渣精炼制备太阳能级硅的[本文81页]
 西门子反应器中传热和多晶硅化学气[本文161页]  基于纳米压印技术硅表面抗反射纳米[本文67页]  沉金后液中硒碲的回收及热力学分析[本文82页]
 粉煤灰回收硅铝后的稀散金属提取研究[本文72页]  过共晶铝硅合金熔体电磁定向凝固过[本文95页]  冶金法多晶硅真空定向凝固过程的数[本文172页]
 几种典型材料表面的双向反射特性建[本文82页]  金刚石飞切硅片微槽表面创成机理研究[本文82页]  电子束熔炼去除硅中氧、碳及其化合[本文120页]
 单晶硅生产排产算法的研究与应用[本文82页]  化学辅助皮秒激光可控制备晶硅高效[本文71页]  基于自适应滤波的降阶在线系统辨识[本文60页]
 无味卡尔曼滤波在直拉法单晶硅直径[本文48页]  压力场中锗光学性质的第一性原理计[本文62页]  基于宏孔硅的三维光子晶体制备技术[本文54页]
 硅微通道板电化学腐蚀过程中空穴的[本文49页]  亚微米结构的激光制备及特性研究[本文62页]  微尺度下单晶硅疲劳失效机理的分子[本文128页]
 超声波雾化施液技术抛光硅片的表层[本文77页]  硅基底表面特性对微通道界面滑移的[本文62页]  多晶硅铸锭炉温度场可视化分析及其[本文68页]
 区熔单晶硅气相掺杂技术研究[本文67页]  直拉硅中氧相关缺陷的研究[本文153页]  基于模糊FMEA方法的改进西门子生产[本文60页]
 基于太阳电池应用的黑硅材料湿法化[本文61页]  Ge填埋层应力诱导晶化多晶Si薄膜晶[本文59页]  有序多孔硅基氧化钨薄膜复合结构气[本文64页]
 微纳双重结构黑硅的制备及光电特性[本文123页]  单槽法制备多孔硅及其发光性能研究[本文56页]  局域表面等离激元增强a-SiNx:O薄膜[本文64页]
 高质量氢化非晶碳化硅膜及纳米硅量[本文66页]  激光晶化制备纳米硅基电致发光材料[本文58页]  金属/锗固相反应及接触特性研究[本文73页]
 从高浓度硫酸溶液中萃取回收镓、锗[本文75页]  多孔硅热致超声发射的建模研究[本文102页]  新型阳极析氧催化剂耦合半导体Si的[本文81页]
 SAXS Channel-cut分光晶体加工与检[本文81页]  从铅阳极泥苏打渣中回收碲的机理研究[本文73页]  从难浸分铜渣中浸出碲的工艺优化研究[本文71页]
 织构化硅片表面的摩擦学行为研究[本文93页]  飞秒激光改性硅材料的物理机理及其[本文126页]  氢化微晶硅锗薄膜的微结构及光电特[本文134页]
 微氮直拉硅单晶的机械性能研究[本文72页]  直拉单晶硅内吸杂研究[本文79页]  三丝绞合电镀金刚石线锯切割晶体硅[本文70页]
 工业硅生产过程的热力学优化分析及[本文101页]  锗单晶超精密加工各向异性的影响研究[本文82页]  UMG-Si制备过程中湿法冶金除B分子动[本文114页]
 冶金级硅造渣精炼除硼动力学研究[本文96页]  提纯工业硅除磷研究[本文75页]  硅片切割粉制备金属硅的基础研究[本文83页]
 超声振动辅助固结磨粒研磨硅片轨迹[本文55页]  掺铒富硅氧化硅薄膜光学性能研究[本文133页]  本征和掺硼硅纳米晶的制备、性能及[本文134页]
 硅片超精密磨削减薄工艺基础研究[本文164页]  图像处理在单晶硅直径检测中的实际[本文67页]  冶金法制备太阳能级硅工艺中湿法提[本文168页]
 脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒空间分[本文54页]  飞秒激光制备单晶硅表面微结构研究[本文61页]  应变锗应变张量模型及导带能级结构[本文76页]
 应变Ge载流子迁移率散射机制及模型[本文66页]  掺杂稀土元素的纳米晶硅薄膜的发光[本文83页]  硅的化学刻蚀及其在光伏中的应用[本文74页]
 化学法制备黑硅薄膜及性能研究[本文50页]  用霍尔效应测试研究直拉单晶硅的电[本文77页]  高温退火对直拉硅抛光片表面质量及[本文80页]
 低维硅材料表面效应的密度泛函研究[本文143页]  直拉单晶硅中杂质和缺陷的行为：重[本文149页]  微波焙烧含锗氧化锌烟尘回收锗的研究[本文152页]
 基于金属粒子催化腐蚀法制备硅多孔[本文56页]  铜阳极泥提取硒、碲的实验研究[本文90页]  硅纳米材料的制备、模拟与发光性能[本文134页]
 太阳能级多晶硅冶金法提纯研究[本文71页]  微秒脉冲激光制备黑硅材料的研究[本文92页]  铸造准单晶硅中主要杂质与缺陷的研究[本文61页]
 多晶硅双体铸锭炉加热电源的研究[本文72页]  脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的成核[本文115页]  单晶硅微裂纹的扫描电镜原位观察与[本文57页]
 低品位碲矿浸矿微生物选育及其浸出[本文59页]  用四探针法测试硅片微区薄层电阻的[本文50页]  薄层硅外延材料的研究[本文52页]
 快中子辐照直拉硅辐照缺陷的研究[本文56页]  电子辐照直拉硅辐照效应的研究[本文60页]  氮离子注入单晶硅的性能研究[本文60页]
 电子辐照直拉硅中氧相关缺陷的研究[本文57页]  高能粒子辐照单晶硅辐照效应的研究[本文126页]  元素半导体硅和锗材料的熔体结构研究[本文60页]
 电子辐照直拉硅单晶中空位相关缺陷[本文58页]  飞秒激光加工硅的分子动力学模拟[本文60页]  阶段平衡法提取硅的工艺研究及装置[本文81页]
 离子液体电沉积法构筑硅锗有序大孔[本文128页]  硅中shuffle型60°位错演化的分子模[本文142页]  改良西门子法多晶硅生产过程的模拟[本文70页]
 氯化物熔盐去除冶金级硅中杂质硼的[本文85页]  熔盐电解制备高纯硅及硅合金[本文76页]  真空定向凝固提纯硅中杂质铝钙分布[本文75页]
 大直径区熔硅单晶生长设备电磁场及[本文99页]  黑硅的制备和性能研究[本文73页]  黑硅材料的金半接触及电学特性[本文72页]
 应力对体硅和硅纳米线特性影响的第[本文75页]  金属源漏多晶硅TFT及非晶IGZO TFT的[本文60页]  物理法提纯冶金级硅及其机理研究[本文52页]
 多孔硅制备法及其发光性能研究[本文50页]  硅纳米线的制备及光学性能研究[本文64页]  金属催化化学刻蚀多晶黑硅材料及其[本文79页]
 掺锗对直拉硅单晶材料及器件抗快中[本文70页]  直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀[本文74页]  快速热处理对单晶硅机械性能的影响[本文80页]
 单晶硅晶体特性的压痕仿真与试验研究[本文70页]  多晶硅提纯设备DPS650的壳体设计分[本文67页]  电子束熔炼与定向凝固技术耦合去除[本文66页]
 电子束熔炼提纯多晶硅中热量传输和[本文67页]  合金法提纯多晶硅的研究[本文64页]  冶金法制备高纯硅工艺研究[本文68页]
 利用DLTS技术研究黑硅的钝化和表面[本文63页]  硅铝合金中锡的添加对初晶硅回收的[本文70页]  低成本高效晶体硅材料及太阳电池研究[本文150页]
 冶金法去除多晶硅中B杂质的研究[本文128页]  黑硅制备工艺与光电特性研究[本文66页]  杂质对直拉硅单晶力学性能的影响[本文150页]
 直拉单晶硅的内吸杂效应及铜沉淀行为[本文94页]  掺锗直拉硅单晶中缺陷的研究[本文69页]  RPCVD生长应变Si/应变SiGe薄膜的研[本文66页]
 
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