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材料类文章3168篇,页次:12/12页 【第一页上一页‖ 下一页 ‖最后页】 转到  
 基于磁控溅射技术的表面增强拉曼散[本文76页]  硅纳米材料的制备及其光学特性研究[本文85页]  一些有机半导体材料电荷传输性能的[本文50页]
 GaAs(111)面量子阱材料的生长及其[本文67页]  聚合物-纳米半导体微粒复合膜的制[本文78页]  半导体二维光子晶体增益与耦合特性[本文75页]
 应变锗材料的制备及其表征[本文79页]  ZnO中掺杂与扩散性质的第一原理研究[本文138页]  Co掺杂SnO_2稀磁半导体的制备与性能[本文81页]
 金属诱导结晶硅及其应用[本文49页]  高质量AlN材料分子束外延生长机理及[本文105页]  应变岛双稳态及拓扑绝缘体薄膜分子[本文111页]
 半导体自组织量子点系统应力应变的[本文73页]  Ⅲ-V族材料外延生长的动力学模拟仿[本文86页]  有机聚合物超微粒的制备及电致发光[本文74页]
 通信光电子半导体材料异质兼容的理[本文127页]  动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过[本文60页]  Si/InP晶片低温键合技术的理论分析[本文64页]
 横向外延技术的理论分析与两步生长[本文69页]  InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异[本文132页]  纳米级InP内包层光纤及其放大性能[本文67页]
 含硼(B)光电子材料的理论计算和实[本文77页]  GaAs/Si和含B光电子材料异质外延生[本文74页]  GaAs/InP、Si/GaAs异质外延生长技术[本文77页]
 半导体异质外延材料的应变场及量子[本文61页]  基于低温InGaP组分渐变缓冲层的InP[本文62页]  零维半导体材料的电子结构研究[本文113页]
 MOCVD设备工艺优化理论与低温InP/S[本文141页]  新型有机电荷传输材料的合成及在OP[本文53页]  一维二氧化锡纳米材料的合成、表征[本文59页]
 铋硅族氧化物BSO晶体波耦合特性的研[本文53页]  蓝色有机发光材料光电性能的理论研[本文67页]  InAlGaN材料系多量子阱结构电子学特[本文67页]
 验证聚合物发光电化学池中p-n结的电[本文59页]  氧化锌掺铁稀磁半导体的制备和性质[本文49页]  PEDOT-PSS在ZnO上的肖特基结[本文48页]
 聚酰亚胺/介孔分子筛低介电常数复合[本文76页]  含铁水滑石在较低温度下转化为尖晶[本文89页]  晶体生长超低速控制技术的研究[本文91页]
 ZnO基稀磁半导体材料的制备及性能研[本文86页]  SiC材料P型掺杂的第一性原理研究[本文65页]  CVD制备碳基宽带隙半导体材料及其特[本文93页]
 X射线运动学理论及其在半导体外延材[本文70页]  形状可控的金属VIA族半导体的γ-射[本文115页]  MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜及其[本文122页]
 PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光[本文125页]  Si基SiC薄膜和低维SiO_2的生长及其[本文111页]  宽带隙半导体SiC、ZnO的同步辐射光[本文112页]
 外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))[本文97页]  高温环境及大电流密度应力下GaN基欧[本文138页]  p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制[本文90页]
 激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体[本文57页]  一维半导体纳米材料及其电子和光电[本文110页]  低能重离子辐照GaN损伤的实验研究[本文63页]
 纳米梁结构制备工艺、检测方法和应[本文79页]  氧化物半导体自组装薄膜的气敏性能[本文147页]  GaSb电池制备和Zn在N-GaSb晶片中扩[本文69页]
 ZnO基稀磁半导体的电子结构和磁性研[本文85页]  三温区空间晶体生长炉温度系统机理[本文72页]  纳米半导体(ZnO、TiO_2、Ag@AgI)[本文67页]
 SR-MOCVD方法沉积ZnO薄膜及其性能研[本文67页]  宽带隙半导体SiC和ZnO的光电性质及[本文105页]  Gd_2O_3高K栅介质薄膜的生长及表征[本文56页]
 Zn在N-GaSb晶片中扩散机理与GaSb热[本文70页]  TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO_2和[本文78页]  准一维半导体纳米材料的制备、表征[本文65页]
 硅键合材料及二极管少子寿命测试分[本文71页]  准一维金属氧化物半导体纳米材料的[本文81页]  透明导电半导体氧化物纳米线的制备[本文64页]
 光学薄膜优化设计的实现[本文71页]  ZnO/AlN双层膜的制备与性能研究[本文70页]  脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜及其光学[本文67页]
 La_(0.70)Ca_(0.30)MnO_3薄膜微[本文63页]  氧化锌(ZnO)薄膜的制备及其性质的[本文53页]  脉冲激光沉积制备氧化锌纳米棒及其[本文78页]
 阴离子掺杂SiO_2基发光材料发光性能[本文65页]  PLD制备ZnO薄膜及非晶纳米棒的结构[本文67页]  掺杂p型Ca_3Co_4O_9及n型LaNiO_3热[本文70页]
 PLD和MOCVD方法生长的ZnO薄膜结构及[本文77页]  稀释磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO及Z[本文93页]  Mg,Co共掺杂ZnO薄膜的PLD制备工艺[本文67页]
 第一性原理方法研究空位缺陷Si与Si[本文62页]  CuInS_2薄膜的电沉积制备及其光电性[本文76页]  掺铝氧化锌透明导电膜的制备与性能[本文80页]
 高温氩退火对提高硅片质量的研究[本文67页]  300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷的[本文85页]  半导体和氧化物表面石墨烯的生长和[本文137页]
 Mn掺杂纳米ZnO稀磁半导体的磁性研究[本文58页]  硅基ZnO系薄膜的波长可调的电抽运随[本文144页]  脉冲激光沉积法生长掺杂ZnO基薄膜及[本文139页]
 Co、Fe掺杂ZnO稀磁半导体结构与磁性[本文146页]  ZnO基半导体p型、稀磁掺杂研究与纳[本文211页]  Ⅳ-Ⅵ族量子点材料的钝化对光电特性[本文75页]
 快速热处理对直拉单晶硅缺陷的调控[本文75页]  非极性/半极性ZnO基薄膜和结构的制[本文101页]  重掺硼直拉单晶硅中缺陷的研究[本文79页]
 非极性ZnO和ZnMgO薄膜的MOCVD法制备[本文82页]  硅基ZnO(CdZnO)薄膜及发光器件[本文78页]  钛化物节能薄膜的制备及其光电性能[本文82页]
 重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究[本文81页]  金属表面等离激元增强ZnMgO薄膜及Z[本文88页]  作为太阳能电池前电极的氧化锌掺铝[本文72页]
 钛酸钡基PTC陶瓷溅射金属化的研究[本文81页]  电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其应用[本文73页]  ZnS及其掺杂体系的电子结构和光学性[本文74页]
 RF-溅射制备氧化钒薄膜及其电致开关[本文63页]  ZnO光电功能薄膜材料的CMP研究[本文63页]  适合体声波器件的多层膜的制备与性[本文55页]
 相变特性氧化钒薄膜制备工艺及快速[本文74页]  基于阳极氧化法的多孔氧化钨气敏薄[本文74页]  多孔硅气敏传感器NO_2气敏性能改进[本文60页]
 不同接触尺度下单晶硅的摩擦磨损性[本文65页]  硅基材料的非线性和微纳光子学性质[本文89页]  三光束飞秒激光干涉在半导体表面诱[本文138页]
 ⅢA族元素掺杂ZnO透明导电薄膜的研[本文136页]  Zn-Mn共掺钛酸钡薄膜的化学溶液法制[本文64页]  磁性掺杂氧化物半导体薄膜的光学性质[本文70页]
 镍掺杂BST薄膜的制备及性能研究[本文62页]  NiO掺杂Cu2O基稀磁半导体的理论研究[本文62页]  稀磁半导体模型的量子蒙特卡洛研究[本文55页]
 Ca3Co409+x厚膜制备工艺及废热发电[本文68页]  等离子体增强原子层沉积技术研究[本文67页]  Si表面吸附及Si掺杂缺陷GaN磁性的研[本文81页]
 锗单晶中镍和金的行为研究[本文76页]  ZnO基稀磁半导体薄膜材料的PLD制备[本文144页]  GaN纳米结构的CVD法制备与表征[本文60页]
 磁控溅射制备PbTe薄膜及Al惨杂性能[本文59页]  β-Ga_2O_3薄膜及其复合薄膜的激光[本文59页]  GaMnN稀磁半导体材料的制备与性能研[本文63页]
 有机磁电阻效应的微观机理研究[本文73页]  宽禁带半导体材料的电子结构与性质[本文127页]  TiO_2、MgO基底氧化锡外延薄膜的结[本文122页]
 碳化硅和蓝宝石衬底二氧化锡外延薄[本文138页]  ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质[本文145页]  掺杂构型对ZnO电子结构和合金稳定性[本文128页]
 硅衬底上a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的[本文51页]  基于n-ZnO/p-聚芴异质结构的有机无[本文55页]  纳米硅薄制备与纳米硅/单晶硅异质结[本文60页]
 GaAs微探尖的液相外延生长及其剥离[本文49页]  智能激光防护材料:氧化钒薄膜的生[本文58页]  基于ECR-PEMOCVD技术的In_xGa_(1-x[本文51页]
 ZnO薄膜的欧姆接触研究[本文69页]  真空蒸发—氧化法制备CIO薄膜的研究[本文50页]  定向凝固与电子束去除多晶硅中Al、[本文61页]
 两步法在硅衬底上制备银薄膜[本文51页]  等离子体增强化学气相沉积中中性气[本文60页]  电负性与氧化物材料光电性质研究[本文51页]
 掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论[本文70页]  Cu掺杂Ga_2O_3薄膜的性质研究[本文51页]  FTO导电玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜[本文51页]
 多孔硅的制备及发光机理的研究[本文59页]  基于AlGaN/GaN HEMT微悬臂梁器件力[本文63页]  基于碱金属化合物的有机半导体的n-[本文67页]
 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的制备及在有机光[本文89页]  半导体材料非线性动力学研究[本文58页]  铁电薄膜沉积技术研究[本文59页]
 掺杂ZnO的第一性原理计算[本文42页]  高催化活性TiO_2修饰MPOF的制备及应[本文72页]  ZnO线性电阻的制备及其性能的研究[本文88页]
 两类有机半导体材料的N-、P-型掺杂[本文76页]  GaAlAs/GaAs光阴极组件材料机理研究[本文66页]  半导体应变和极化诱导能带工程及其[本文154页]
 氢化物气相外延GaN材料性质研究[本文113页]  应变Si/SiGe/Si异质结材料的生长研[本文58页]  AlN/Si异质结构材料的生长与研究[本文57页]
 铁电半导体BaTi_(1-x)Nb_xO_3阻变效[本文74页]  InGaN/GaN量子阱结构生长与分析及P[本文76页]  ZnO基异质结构及其场效应器件的制备[本文72页]
 CuMO_2体系电子结构和热电性质的第[本文44页]  稀土掺杂硫系薄膜的制备及其发光性[本文57页]  MIS结构InGaN电流传输机制及金属纳[本文57页]
 基于PL谱对GaN材料高密度激子发光机[本文65页]  MOCVD生长的InGaN/GaN薄膜光电特性[本文61页]  4H-SiC的CVD同质外延生长与表征[本文57页]
 InGaN薄膜和InN薄膜的阴极荧光研究[本文69页]  Si衬底上ZnO薄膜的p型掺杂及相关物[本文62页]  高压下InN的电输运性质研究[本文58页]
 In_2O_3纳米纤维的有序取向制备及其[本文73页]  高压下InSe的电学性质和金属化相变[本文63页]  p-ZnMgO:As薄膜的MOCVD生长及其发[本文73页]
 非极性GaN基半导体材料的MOCVD生长[本文114页]  GaN紫外探测器材料的MOCVD生长及器[本文122页]  多层半导体材料中光学声子的辅助共[本文62页]
 超小NiO/SnO_2纳米颗粒的制备及其在[本文48页]  高质量GaN基材料外延生长工艺及其光[本文112页]  原电池法制备硅纳米线的研究[本文48页]
 CuInS_2/TiO_2纳米复合阵列薄膜的制[本文68页]  基于FeSi_2薄膜的异质结的制备与特[本文106页]  Zn_(1-x)Mg_xO薄膜和ZnO:Al/Si异质[本文81页]
 P型铜铁矿结构掺杂氧化物半导体CuA[本文77页]  氮杂并五苯类有机半导体材料的合成[本文61页]  InGaNAs材料电子结构与光学性质的理[本文73页]
 不同极性GaN的分子束外延生长及掺杂[本文70页]  磁控溅射法制备ZnO:Sb薄膜的拉曼光[本文61页]  p型ZnO:Al-N薄膜的制备及物性研究[本文70页]
 N,Ag单掺杂p型ZnO薄膜的制备与特性[本文64页]  高Al组分AlGaN薄膜的分子束外延生长[本文53页]  Si_(83)Ge_(17)/Si基底上HfO_2薄膜[本文80页]
 
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