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 超声波辅助乙酸溶液球磨制备金属氧[本文80页]  InGaAs纳米结构的制备及光电特性研[本文55页]  掺杂对MoS_2吸附气体性能的理论研究[本文60页]
 Zn-Sn氧化物薄膜溶胶凝胶法制备及光[本文160页]  窄尺寸分布的CdSe纳米晶碗状超结构[本文59页]  花状Bi_2WO_6微球与Bi_2WO_6-Fe_2O[本文73页]
 基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成[本文71页]  具有非线性电流—电压特性的CaCu_3[本文57页]  一维氮化镓纳米材料的制备及其光催[本文83页]
 盐雾环境中烧结纳米银互连材料的电[本文72页]  应变硅细—微观实验测量表征[本文78页]  4H-SiC载流子寿命增强方法研究[本文87页]
 新型SiC沟槽IGBT的模拟研究[本文78页]  4H-SiC非均匀掺杂浮结UMOSFET的模拟[本文74页]  不同非极性与半极性Ⅲ族氮化物材料[本文80页]
 中子-γ辐照对SiO_2/Si位移损伤模拟[本文91页]  常开型SiC JFET功率器件的热可靠性[本文86页]  半绝缘4H-SiC光导开关研究[本文73页]
 MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究[本文68页]  基于悬浮纳米薄膜的应变锗LED研究[本文74页]  ZnMgO/ZnO异质结高场输运特性的Mon[本文64页]
 多晶硅定向凝固的热场模拟与静态磁[本文77页]  硅晶体生长各向异性的分子动力学模[本文73页]  GaN-MOCVD垂直喷淋式反应室的优化设[本文70页]
 砷化镓近红外光致发光的核酸调控和[本文82页]  硅片低温直接键合方法研究[本文59页]  Cu_2CdSnSe_4化合物的合成及热电性[本文68页]
 大直径直拉式单晶炉等径控制系统的[本文88页]  磷化铟纳米线及其平面阵列的制备和[本文71页]  硅量子面表面键合的实验与计算研究[本文61页]
 AlGaN超晶格界面调控及其电学特性[本文74页]  ZnO、NiO薄膜和n-ZnO/p-NiO异质结结[本文75页]  二氧化硅磨粒结构对单晶硅表面微观[本文75页]
 温度对单晶硅水下微观磨损的影响[本文82页]  温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻[本文67页]  二硫化钨及硼化钨的合成与表征[本文68页]
 氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的[本文76页]  铈掺杂氧化铜稀磁半导体材料的光学[本文52页]  钇铟共掺杂氧化锌薄膜特性的研究[本文74页]
 MOCVD方法制备氮化锌薄膜及其性质研[本文69页]  反应磁控溅射制备氮化锌及其掺杂薄[本文85页]  高压下复合半导体CdI_2(AD)的热稳定[本文67页]
 稀磁半导体(Zn,Co)O中的栅极电压调[本文67页]  硫化锌中硫空位的第一性原理研究[本文60页]  溴化铊探测器晶片表面化学处理和欧[本文63页]
 4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计[本文65页]  Al/Ga共掺ZnO纳米阵列光学性质的研[本文65页]  Ga_2O_3薄膜的高温MOCVD生长与紫外[本文69页]
 金属氧化物纳米半导体材料的可控制[本文59页]  贵金属掺杂和表面修饰对氧化物半导[本文60页]  低维半导体纳米材料性能调控的理论[本文71页]
 RF磁控溅射ZnO薄膜和掺钛ZnO薄膜材[本文79页]  基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性[本文81页]  二维原子半导体的制备及其异质器件[本文84页]
 Co掺杂ZnO基稀磁半导体研究[本文53页]  有机卤化物CH_3NH_3PbX_3材料光学性[本文62页]  半导体与多种异质结构的磁性与调控[本文120页]
 基于PEDOT:PSS/CH_3NH_3PbI_3柔性[本文55页]  N掺杂p型ZnO材料的制备及其光电性能[本文71页]  飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性[本文70页]
 光载流子辐射测量的非线性初步分析[本文78页]  锁相载流子成像自动化检测系统的研制[本文91页]  多晶硅CVD反应器中新型热管传热性能[本文78页]
 ZnO金属氧化物半导体材料可控生产与[本文62页]  基于DSP的MOCVD原位监测信号采集系[本文87页]  MOCVD原位监测系统软件设计[本文85页]
 离子束辐照导致In_xGa_(1-x)N(0.32[本文56页]  载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特[本文61页]  基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光[本文97页]
 单晶碳化硅磁场辅助电化学机械研抛[本文91页]  振动辅助电化学抛光碳化硅的仿真与[本文72页]  立方碳化硅化学机械抛光的分子动力[本文64页]
 薄层二硫化钼中的激子性质研究[本文51页]  单层二硫化钼的光学性能及其调控研究[本文67页]  增强型AlGaN/GaN HEMT结构设计与仿[本文70页]
 二维压电半导体的断裂问题分析[本文94页]  多场作用下多晶硅定向生长的研究[本文82页]  半导体硅中的90°部分位错[本文74页]
 基于LS_SVM的旋转盘控制系统设计[本文60页]  磁控溅射制备ZnO波导层及Love波湿度[本文56页]  钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长[本文83页]
 多晶硅厚膜制备及磷、硼快速扩散[本文61页]  硅基p-n结磁电阻特性研究[本文65页]  TiO_2复合纳米膜电场条件下抗菌性能[本文65页]
 图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机[本文63页]  表面微加工多晶硅薄膜热学特性及力[本文65页]  ZnO/MgO核壳量子点制备及其发光特性[本文61页]
 聚合物辅助沉积法制备纳米二硫化钼[本文75页]  激光辅助Ga滴迁移行为的研究[本文67页]  炼硅煤质还原剂性能表征及制备流程[本文99页]
 激光分子束外延生长GaN薄膜[本文70页]  Zn_xMg_(1-x)O三元复合薄膜光电特性[本文114页]  熔盐电解制备锗基和硅基材料[本文174页]
 原子层沉积方法制备非极性面ZnO异质[本文113页]  氧化锌基纳米复合材料及其光电探测[本文112页]  激光原位图形化诱导分子束外延生长[本文114页]
 半导体表面导电分子线的生长机理与[本文92页]  低维半导体材料电子结构和磁学特性[本文116页]  Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的掺杂制备及其[本文109页]
 二硫族二维半导体材料的制备及性能[本文163页]  支化打断型共轭聚合物的傅克聚合及[本文155页]  ZnO发光效率提升机制研究及ZnO/ZnM[本文150页]
 掺杂金红石相宽禁带半导体磁性及介[本文133页]  ZnO纳米材料及PbS QDs/ZnO异质结制[本文123页]  1111-型新型块材稀磁半导体:(La_(1[本文143页]
 氧化锌微米柱阵列的缺陷及发光性质[本文106页]  氟代酞菁铜的制备及其场效应器件的[本文133页]  单个半导体纳米晶多激子相关性质的[本文102页]
 半导体芯片用多晶硅材料提纯新工艺[本文26页]  氧化锌微米线酒精气体传感器研究[本文108页]  二维传感器材料的合成及化学成分空[本文125页]
 InGaN/GaN异质结构的侧向外延生长及[本文145页]  减薄硅片变形的测量方法与技术[本文146页]  近红外InGaAs光电阴极材料特性仿真[本文112页]
 冷压制备工业硅生产用碳质还原剂球[本文157页]  极性可控的GaN与ZnO薄膜的MOCVD外延[本文174页]  ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究[本文156页]
 HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究[本文120页]  用碳化稻壳电热冶金法制备超冶金级[本文139页]  Al衬底上PLD外延组分可控AlGaN[本文187页]
 流化床内硅烷裂解制备粒状多晶硅过[本文139页]  新型Cu_2ZnSnS_4材料的制备及其光催[本文127页]  热还原—真空挥发富集提取锗研究[本文169页]
 强磁场调控ZnO稀磁半导体结构与性能[本文179页]  氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构界面[本文120页]  改进的锗浓缩技术及其生物传感器件[本文108页]
 氧化锌/石墨烯复合回音壁模微腔受激[本文106页]  单晶硅材料超精密磨削机理研究[本文133页]  Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究[本文92页]
 有机半导体材料中的分子结构、堆积[本文110页]  MOCVD法制备的ZnO纳米结构薄膜特性[本文226页]  InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质[本文121页]
 Si上锑化物的MOCVD成核生长特性研究[本文181页]  氧化物半导体纳米材料的合成、改性[本文115页]  新型有机场效应晶体管半导体材料的[本文121页]
 胶体半导体纳米晶消光系数的研究[本文118页]  典型半导体材料电学性能的温度依赖[本文147页]  原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族/Ge[本文142页]
 SiC/SiO_2界面形成机理及界面缺陷的[本文131页]  Si-Al(-Sn)合金凝固精炼过程中硼杂[本文140页]  应变ZnO能带结构研究[本文130页]
 有机半导体材料传输机制和有机二极[本文128页]  半导体材料的锁相载流子辐射成像[本文124页]  半导体中缺陷及电子特性的第一性原[本文98页]
 有机半导体在有序材料表面的吸附结[本文116页]  新型稠环共轭有机半导体材料的设计[本文178页]  单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究[本文165页]
 几种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的合成及光[本文101页]  生物矿化启示构筑纳米半导体材料:[本文119页]  金属氧化物半导体共轴纤维及其气体[本文114页]
 高质量ZnO薄膜的MOCVD法可控生长及[本文216页]  铟基半导体纳米材料的制备及高压研究[本文116页]  ZnO基稀磁半导体磁性机制的实验研究[本文143页]
 三族氮化物极化工程在光电器件和隧[本文149页]  石墨烯的CVD法制备及其H_2刻蚀现象[本文100页]  石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研[本文114页]
 SiO_2/SiC界面过渡区及其等离子体钝[本文135页]  TiO_2纳米半导体材料的制备及其光探[本文129页]  Ⅲ族氮化物紫光和近紫外LED的制备与[本文131页]
 Ⅲ族氮化物的极化效应及其在光电子[本文105页]  单晶硅纳米结构的TEM内原位拉伸实验[本文107页]  基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件[本文176页]
 半导体纳米材料位错抑制机理与结构[本文119页]  硅、锗半导体材料电子特性的力学调[本文121页]  异质兼容集成微系统的实现途径与技[本文115页]
 锑化物半导体材料的MOCVD成核及生长[本文106页]  飞秒激光对半导体材料和金属材料的[本文104页]  化合物半导体缺陷物理及表面激发态[本文117页]
 TiO_2@NaYF_4:Yb,Tm核壳结构红外光[本文105页]  ZnO微米线异质结发光器件的制备及研[本文116页]  基于四苯基硅烷的宽禁带半导体材料[本文131页]
 氮化硼的半导体特性和紫外光电探测[本文132页]  GaN单晶的HVPE生长及其应力和晶体取[本文140页]  集成电路用直拉单晶硅力学性能[本文108页]
 有序ZnO纳米棒阵列的构筑、界面调控[本文112页]  氧化物半导体的微观形貌调控及其传[本文79页]  铁基氧化物半导体作为锂离子电池负[本文112页]
 石墨烯/PbSe异质结的光敏特性研究[本文70页]  PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现[本文75页]  铜基二元及三元金属硫化物的可控合[本文119页]
 硫化物纳米结构合成、演化及表征研究[本文110页]  金属氧化物半导体复合材料纳米结构[本文120页]  稀土氮化物及稀土掺杂AlN基稀磁半导[本文143页]
 微纳结构硅材料的制备及光电性能研究[本文68页]  Ⅵ族元素掺杂硅材料的制备及其性能[本文74页]  基于大数据的硅片形状诊断与预报[本文70页]
 碲系化合物半导体靶材制备及镀膜性[本文59页]  V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究[本文57页]  两步溶液法制备CsPbBr_3钙钛矿薄膜[本文66页]
 类金字塔状GaN基微米锥的生长调控与[本文63页]  垒层生长气氛对InGaN/GaN多量子阱结[本文67页]  高效多晶硅铸锭工艺优化研究[本文60页]
 高活性纳米α-Fe_2O_3的制备及光电[本文78页]  二维g-C_2N和XT_2半导体及异质结构[本文57页]  p-n共掺杂In_2O_3基稀磁氧化物的电[本文77页]
 基于导电性变化的单晶硅表面机械损[本文66页]  In_2Se_3纳米结构生长及性质研究[本文55页]  非极性GaN材料的MOCVD生长及表征[本文64页]
 MgO材料电子结构和光学性质研究[本文83页]  非极性与半极性GaN基氮化物的外延生[本文61页]  8英寸薄层硅外延片工艺设计与实现[本文87页]
 P型GaN基材料电学性能的研究[本文57页]  Ni掺杂SnO_2花状微结构的制备及其气[本文70页]  基于WO_3的复合半导体制备及可见光[本文86页]
 Ⅲ-Ⅴ族半导体雪崩光电二极管特性研[本文66页]  新型三维材料电子结构调控的第一性[本文69页]  适用于有机半导体薄膜器件制备的原[本文65页]
 单晶硅纳米切削实验及表面完整性研究[本文69页]  硬脆材料加工表层力学性能研究及其[本文75页]  应用于生物传感器的硅基有序多孔硅[本文64页]
 二氧化钒薄膜的制备及甲烷气敏性能[本文64页]  亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质[本文141页]  ZnO基半导体电致发光材料与器件的理[本文122页]
 超稳定有机光导材料分散体系的构建[本文71页]  太赫兹波段半导体粒子表面增强拉曼[本文55页]  Co、Mg共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜[本文76页]
 图形衬底Si基GaAs材料热应力分布[本文58页]  掺杂构型设计对InPBi电子结构的影响[本文50页]  新型二维半导体材料与器件的研究[本文101页]
 单晶硅直径测量技术的研究与实现[本文64页]  立式HVPE生长三英寸GaN三维模拟研究[本文74页]  基于芘酰亚胺衍生物的高性能n-型有[本文118页]
 SnS薄片的各向异性拉曼光谱和SnS/S[本文113页]  石墨烯与低维半导体材料复合光电探[本文134页]  非极性面ZnO/AlGaN异质结紫外LED材[本文160页]
 半导体硫化物自构型微腔中光—物质[本文119页]  二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的可控合成及其光[本文197页]  基于表面等离激元的硅基微结构材料[本文138页]
 单根氧化锌微米线基电致发光研究[本文123页]  钒补偿6H-SiC光导开关的模拟仿真[本文53页]  黑硅材料的制备及其热退火工艺研究[本文64页]
 CuFeO_2薄膜的制备及其光电催化性能[本文75页]  图形化金属基底上的石墨烯CVD生长研[本文66页]  硅片检测运动平台动力学建模与分析[本文71页]
 基于柔性基板的微应变片阵列研究[本文60页]  硅片检测平台的结构设计与误差测试[本文55页]  块状半导体材料制备过程的理论和实[本文62页]
 氧化物半导体材料生长调控与结构性质[本文139页]  飞秒激光制备硫系掺杂硅及其光电特[本文115页]  CdS/CdSSe纳米异质结构的制备及其光[本文53页]
 基于蓝磷的纳米器件电子输运机理与[本文57页]  MoS_2/Si pn结的制备及其光探测性能[本文78页]  GaN和ZnO的自组织生长行为研究及其[本文96页]
 氧化镓基宽禁带材料退火研究[本文80页]  自支撑AlN薄膜的制备及其性质研究[本文75页]  氧化石墨烯基复合空穴注入层的设计[本文91页]
 二维层状材料的宽带超快三阶非线性[本文117页]  有机半导体异质结调控及机理研究[本文134页]  Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构能谱及其调控[本文115页]
 多晶硅生产工艺安全评价研究[本文68页]  局部应变对低维半导体材料的性质调制[本文52页]  单晶硅表面氢钝化时效性及其对摩擦[本文72页]
 基于HF溶液选择性刻蚀的单晶硅亚表[本文63页]  In_2S_3薄膜的磁控溅射法制备及性能[本文78页]  ZnO纳米线合成及其等离子体改性研究[本文65页]
 金刚线切多晶黑硅的制备及性能研究[本文78页]  AlN缓冲层和p型Al_(0.55)Ga_(0.45)[本文67页]  二维GaSe_xTe_(1-x)微纳结构的制备[本文61页]
 微波制备碳化硅及其电磁屏蔽性能研究[本文83页]  有机无机杂化钙钛矿材料的光发射与[本文75页]  锑掺杂ZnO微米线的生长及热电特性研[本文53页]
 二维材料光电性质改性的第一性原理[本文73页]  膜微结构及Ni-Mo对Cr-Si高阻膜性能[本文106页]  多晶硅清洗工艺的优化[本文70页]
 多晶硅生产中氯硅烷高效提纯技术及[本文80页]  运用滴注法实现有机半导体微纳线及[本文62页]  氧化镓外延薄膜生长及特性研究[本文79页]
 Ag/ZnO纳米线肖特基势垒中氧气吸附[本文60页]  4H-SiC欧姆接触的高温电学特性研究[本文101页]  利用LPCVD法在SiC衬底上制备Ge晶须[本文54页]
 
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