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有机/无机组装材料的设计、器件制备以及电存储性能研究

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有机/无机组装材料的设计、器件制备以及电存储性能研究
论文目录
 
中文摘要第1-6页
abstract第6-11页
第一章 绪论第11-48页
  1.1 有机信息存储器件的研究现状及发展趋势第11-32页
    1.1.1 有机电存储器件的器件结构及存储类型第11-20页
    1.1.2 有机电存储材料的种类第20-30页
    1.1.3 电存储材料的发展趋势第30-32页
  1.2 有机信息存储器件的性能调控策略第32-46页
    1.2.1 材料结构调控第32-34页
    1.2.2 器件界面调控第34-39页
    1.2.3 多刺激源调控第39-46页
    1.3. 本论文的目的意义及研究内容第46-48页
    1.3.1 本论文选题的目的意义第46-47页
    1.3.2 本论文的研究内容以及创新点第47-48页
第二章 通过精确调控活性层(Au@air@TiO_2-h+P3HT)中纳米粒子的含量制备Flash型电存储器件第48-64页
  2.1 引言第48-49页
  2.2 实验部分第49-51页
    2.2.1 原料及试剂第49-50页
    2.2.2 合成步骤第50页
    2.2.3 器件制备以及表征第50-51页
  2.3 结果与讨论第51-63页
  2.4 结论第63-64页
第三章 具有可逆热响应行为的三进制金属超分子聚合物存储器件的制备第64-88页
  3.1 简介第64-65页
  3.2 实验部分第65-71页
    3.2.1 试剂与药品第65页
    3.2.2 合成步骤第65-70页
    3.2.3 器件制备以及表征第70-71页
    3.2.4 材料表征第71页
  3.3 结果与讨论第71-87页
  3.4 结论第87-88页
第四章 通过调控炔金化合物器件中限制电流实现Flash型电存储行为第88-104页
  4.1 前言第88-89页
  4.2 实验部分第89-91页
    4.2.1 试剂以及药品第89页
    4.2.2 合成化合物 1 (Complex 1)步骤第89-90页
    4.2.3 器件制备与表征第90页
    4.2.4 测试手段第90页
    4.2.5 单晶结构表征第90-91页
  4.3 结果与讨论第91-103页
    4.3.1 光物理性质第92-95页
    4.3.2 器件的存储行为研究第95-98页
    4.3.3 器件存储行为机理探究第98-103页
  4.4 结论第103-104页
第五章 具有电写光擦行为的炔金化合物器件的制备以及机理探究第104-115页
  5.1 前言第104-105页
  5.2 实验部分第105-107页
    5.2.1 试剂以及药品第105页
    5.2.2 合成化合物 2 (Complex 2)步骤第105-106页
    5.2.3 器件制备与表征第106页
    5.2.4 测试手段第106-107页
  5.3 结果与讨论第107-113页
    5.3.1 器件的存储行为研究第108-110页
    5.3.2 器件存储行为机理探究第110-113页
  5.4 结论第113-115页
第六章 全文总结第115-117页
  6.1 全文总结第115页
  6.2 存在的问题以及展望第115-117页
攻读博士期间论文发表整理情况第117-118页
参考文献第118-134页
致谢第134-135页

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