单片集成通信光电子器件中异质兼容问题的理论与实验研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6
页 | | ABSTRACT | 第6-13
页 | | 符号说明 | 第13-16
页 | | 第一章 绪论 | 第16-27
页 | | · 研究的背景和意义 | 第16-18
页 | | · 大失配异质外延的技术现状 | 第18-25
页 | | · 缓冲层技术 | 第19-20
页 | | · 柔性衬底技术 | 第20-24
页 | | · 横向外延技术 | 第24-25
页 | | · 论文的结构安排 | 第25-27
页 | | 第二章 新材料的理论预测 | 第27-68
页 | | · 新型材料系理论预测的意义 | 第27-29
页 | | · 总能量赝势计算原理 | 第29-41
页 | | · 引言 | 第29-30
页 | | · Born-Oppenheimer近似 | 第30-31
页 | | · Hohenberg-Kohn定理 | 第31-33
页 | | · Kohn-Sham方法 | 第33-35
页 | | · 交换相关能泛函 | 第35-38
页 | | · Kohn-Sham方程平面波表达 | 第38-40
页 | | · 电子与离子相互作用赝势近似 | 第40-41
页 | | · CASTEP仿真软件简介 | 第41-43
页 | | · 计算方法和计算过程 | 第43-45
页 | | · 计算方法的选择 | 第43-44
页 | | · 计算过程 | 第44-45
页 | | · 计算结果及分析 | 第45-66
页 | | · 闪锌矿结构BP,BAs,BSb的结构与电子属性 | 第47-54
页 | | · 三元系材料的理论预测 | 第54-59
页 | | · 含硼砷化物的四元系材料 | 第59-62
页 | | · 含硼锑化物的四元系材料 | 第62-66
页 | | · 本章小结 | 第66-68
页 | | 第三章 MOCVD生长室热场和流场的模拟与分析 | 第68-84
页 | | · 基本的反应和设备 | 第68-72
页 | | · 生长机制 | 第72-77
页 | | · 垂直式反应室热场与流场的模拟与分析 | 第77-83
页 | | · 垂直式反应室的优点 | 第78
页 | | · MOCVD生长室的模拟过程 | 第78-80
页 | | · 结果分析 | 第80-83
页 | | · 本章小结 | 第83-84
页 | | 第四章 超薄低温柔性衬底的研究 | 第84-97
页 | | · 超薄低温缓冲层法InP／GaAs异质外延 | 第84-96
页 | | · 实验与外延生长 | 第84-86
页 | | · 实验结果与讨论 | 第86-92
页 | | · 退火的影响 | 第92-96
页 | | · 本章小结 | 第96-97
页 | | 第五章 横向外延生长技术的初步探索 | 第97-108
页 | | · InP衬底的外延生长 | 第97
页 | | · 掩模层的生长和刻蚀 | 第97-98
页 | | · 横向外延生长工艺的优化 | 第98-106
页 | | · 掩模晶向对横向外延的影响 | 第98-101
页 | | · Ⅴ／Ⅲ比对于横向外延的影响 | 第101-103
页 | | · 窗口大小与掩模大小对横向外延的影响 | 第103-105
页 | | · 温度对于横向外延的影响 | 第105-106
页 | | · 本章小结 | 第106-108
页 | | 第六章 总结与未来的工作 | 第108-111
页 | | · 总结 | 第108-109
页 | | · 未来的工作 | 第109-111
页 | | 参考文献 | 第111-124
页 | | 致谢 | 第124-126
页 | | 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第126页 |
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