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飞秒激光制备硫系掺杂硅及其光电特性研究

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飞秒激光制备硫系掺杂硅及其光电特性研究
论文目录
 
摘要第1-7页
abstract第7-13页
第一章 绪论第13-28页
  1.1 引言第13-14页
  1.2 飞秒激光制备掺杂硅的主要机制及特点第14-16页
  1.3 飞秒激光制备掺杂硅方法的研究进展第16-22页
    1.3.1 气体环境掺杂第16-19页
    1.3.2 液体环境掺杂第19页
    1.3.3 固体膜层掺杂第19-20页
    1.3.4 离子注入掺杂第20-22页
  1.4 硫系掺杂硅应用进展第22-26页
    1.4.1 光电探测器应用进展第22-25页
    1.4.2 太阳能电池应用进展第25-26页
  1.5 论文的选题及研究内容第26-28页
第二章 基于第一性原理的硫系掺杂硅材料光电特性研究第28-38页
  2.1 MaterialsStudio软件和CASTEP模块介绍第28-29页
  2.2 模型建立与计算方法第29-30页
  2.3 计算结果分析与讨论第30-36页
    2.3.1 晶体结构与杂质形成能第30-31页
    2.3.2 电子结构特性第31-35页
    2.3.3 光学特性第35-36页
  2.4 本章小结第36-38页
第三章 基于飞秒激光的Se掺杂硅材料的制备及物性测试第38-53页
  3.1 飞秒激光制备Se掺杂硅的实验研究第38-43页
    3.1.1 Si-Se双层薄膜的制备第38-39页
    3.1.2 飞秒激光扫描装置第39-41页
    3.1.3 实验系统的调试与实验方法第41-42页
    3.1.4 实验结果分析与讨论第42-43页
  3.2 Se膜和Si膜对黑硅性能影响的研究第43-52页
    3.2.1 样品制备第44页
    3.2.2 样品的SEM表征与分析第44-45页
    3.2.3 样品的光谱测试与分析第45-47页
    3.2.4 样品的霍尔效应测试与分析第47-52页
  3.3 本章小结第52-53页
第四章 不同的加工参数对Se掺杂硅性能影响的研究第53-66页
  4.1 扫描速度对Se掺杂硅性能影响的研究第53-57页
    4.1.1 样品制备第53页
    4.1.2 扫描速度对表面形貌的影响第53-55页
    4.1.3 扫描速度对光电特性的影响第55-57页
  4.2 激光通量对Se掺杂硅性能影响的研究第57-61页
    4.2.1 样品制备第57页
    4.2.2 激光能量密度对表面形貌的影响第57-59页
    4.2.3 激光能量密度对光电特性的影响第59-61页
  4.3 背景气体压强对Se掺杂硅性能影响的研究第61-64页
    4.3.1 样品制备第61页
    4.3.2 背景气体压强对表面形貌的影响第61-62页
    4.3.3 背景气体压强对光电特性的影响第62-64页
  4.4 本章小结第64-66页
第五章 Se掺杂硅n~+-n光电二极管的近红外光电响应特性研究第66-80页
  5.1 光电二极管的工作原理第66-70页
  5.2 n~+-n型光电二极管的制作第70-73页
    5.2.1 Se掺杂硅材料的制备第70-71页
    5.2.2 电极的制备第71-72页
    5.2.3 退火对表面形貌及晶体结构的影响第72-73页
  5.3 Se掺杂硅光电二极管的光电响应特性第73-79页
    5.3.1 光电二极管的I-V特性第74页
    5.3.2 光电二极管的近红外光电响应第74-79页
  5.4 本章小结第79-80页
第六章 Se掺杂硅与Te掺杂硅特性对比研究第80-99页
  6.1 材料的制备及表面形貌对比第80-81页
  6.2 光学特性对比第81-88页
    6.2.1 退火对吸收光谱的影响第82-84页
    6.2.2 耐退火特性差异原因分析第84-88页
  6.3 光电响应特性对比第88-93页
    6.3.1 光电二极管制作第89页
    6.3.2 暗场及光照条件下的I-V特性第89-91页
    6.3.3 近红外光电响应特性第91-93页
  6.4 可能存在的杂质能级第93-97页
  6.5 本章小结第97-99页
第七章 结论与展望第99-103页
  7.1 全文总结第99-101页
  7.2 本论文的创新点第101-102页
  7.3 后续工作与展望第102-103页
致谢第103-104页
参考文献第104-115页
攻读博士学位期间取得的成果第115页

本篇论文共115页,点击这进入下载页面
 
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