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飞秒激光制备硫系掺杂硅及其光电特性研究
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飞秒激光制备硫系掺杂硅及其光电特性研究
论文目录
摘要
第1-7页
abstract
第7-13页
第一章 绪论
第13-28页
1.1 引言
第13-14页
1.2 飞秒激光制备掺杂硅的主要机制及特点
第14-16页
1.3 飞秒激光制备掺杂硅方法的研究进展
第16-22页
1.3.1 气体环境掺杂
第16-19页
1.3.2 液体环境掺杂
第19页
1.3.3 固体膜层掺杂
第19-20页
1.3.4 离子注入掺杂
第20-22页
1.4 硫系掺杂硅应用进展
第22-26页
1.4.1 光电探测器应用进展
第22-25页
1.4.2 太阳能电池应用进展
第25-26页
1.5 论文的选题及研究内容
第26-28页
第二章 基于第一性原理的硫系掺杂硅材料光电特性研究
第28-38页
2.1 MaterialsStudio软件和CASTEP模块介绍
第28-29页
2.2 模型建立与计算方法
第29-30页
2.3 计算结果分析与讨论
第30-36页
2.3.1 晶体结构与杂质形成能
第30-31页
2.3.2 电子结构特性
第31-35页
2.3.3 光学特性
第35-36页
2.4 本章小结
第36-38页
第三章 基于飞秒激光的Se掺杂硅材料的制备及物性测试
第38-53页
3.1 飞秒激光制备Se掺杂硅的实验研究
第38-43页
3.1.1 Si-Se双层薄膜的制备
第38-39页
3.1.2 飞秒激光扫描装置
第39-41页
3.1.3 实验系统的调试与实验方法
第41-42页
3.1.4 实验结果分析与讨论
第42-43页
3.2 Se膜和Si膜对黑硅性能影响的研究
第43-52页
3.2.1 样品制备
第44页
3.2.2 样品的SEM表征与分析
第44-45页
3.2.3 样品的光谱测试与分析
第45-47页
3.2.4 样品的霍尔效应测试与分析
第47-52页
3.3 本章小结
第52-53页
第四章 不同的加工参数对Se掺杂硅性能影响的研究
第53-66页
4.1 扫描速度对Se掺杂硅性能影响的研究
第53-57页
4.1.1 样品制备
第53页
4.1.2 扫描速度对表面形貌的影响
第53-55页
4.1.3 扫描速度对光电特性的影响
第55-57页
4.2 激光通量对Se掺杂硅性能影响的研究
第57-61页
4.2.1 样品制备
第57页
4.2.2 激光能量密度对表面形貌的影响
第57-59页
4.2.3 激光能量密度对光电特性的影响
第59-61页
4.3 背景气体压强对Se掺杂硅性能影响的研究
第61-64页
4.3.1 样品制备
第61页
4.3.2 背景气体压强对表面形貌的影响
第61-62页
4.3.3 背景气体压强对光电特性的影响
第62-64页
4.4 本章小结
第64-66页
第五章 Se掺杂硅n~+-n光电二极管的近红外光电响应特性研究
第66-80页
5.1 光电二极管的工作原理
第66-70页
5.2 n~+-n型光电二极管的制作
第70-73页
5.2.1 Se掺杂硅材料的制备
第70-71页
5.2.2 电极的制备
第71-72页
5.2.3 退火对表面形貌及晶体结构的影响
第72-73页
5.3 Se掺杂硅光电二极管的光电响应特性
第73-79页
5.3.1 光电二极管的I-V特性
第74页
5.3.2 光电二极管的近红外光电响应
第74-79页
5.4 本章小结
第79-80页
第六章 Se掺杂硅与Te掺杂硅特性对比研究
第80-99页
6.1 材料的制备及表面形貌对比
第80-81页
6.2 光学特性对比
第81-88页
6.2.1 退火对吸收光谱的影响
第82-84页
6.2.2 耐退火特性差异原因分析
第84-88页
6.3 光电响应特性对比
第88-93页
6.3.1 光电二极管制作
第89页
6.3.2 暗场及光照条件下的I-V特性
第89-91页
6.3.3 近红外光电响应特性
第91-93页
6.4 可能存在的杂质能级
第93-97页
6.5 本章小结
第97-99页
第七章 结论与展望
第99-103页
7.1 全文总结
第99-101页
7.2 本论文的创新点
第101-102页
7.3 后续工作与展望
第102-103页
致谢
第103-104页
参考文献
第104-115页
攻读博士学位期间取得的成果
第115页
本篇论文共
115
页,
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