论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 GDP薄膜 | 第12-14页 |
| 1.1.1 GDP薄膜的结构特点 | 第12-14页 |
| 1.1.2 GDP薄膜的材料性能 | 第14页 |
| 1.2 GDP薄膜在激光聚变靶丸中的应用 | 第14-20页 |
| 1.2.1 激光惯性约束聚变的研究背景与意义 | 第14-15页 |
| 1.2.2 GDP薄膜在激光聚变靶丸结构中的地位 | 第15-17页 |
| 1.2.3 几种候选烧蚀层材料的对比 | 第17-18页 |
| 1.2.4 激光惯性约束聚变对GDP靶丸的要求 | 第18-20页 |
| 1.3 GDP薄膜的研究进展 | 第20-31页 |
| 1.3.1 国外GDP薄膜的研究现状 | 第21-27页 |
| 1.3.2 国内GDP薄膜的研究现状 | 第27-31页 |
| 1.4 本论文的选题背景与意义 | 第31-32页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 GDP薄膜的制备与表征 | 第34-47页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 本实验所采用的GDP薄膜的制备方法与装置 | 第34-35页 |
| 2.3 等离子体状态的诊断方法 | 第35-45页 |
| 2.3.1 等离子体质谱诊断技术 | 第35-39页 |
| 2.3.2 郎缪尔探针诊断技术 | 第39-45页 |
| 2.4 GDP薄膜的结构与性能表征方法 | 第45-46页 |
| 2.4.1 表面轮廓仪 | 第45页 |
| 2.4.2 傅里叶变换红外光谱 | 第45-46页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第46页 |
| 2.4.4 白光干涉仪 | 第46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 不同工艺参数下的辉光放电等离子体状态研究 | 第47-74页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 不同射频功率下的等离子体状态分析 | 第47-56页 |
| 3.2.1 实验方法与表征 | 第47-48页 |
| 3.2.2 不同射频功率下的等离子体组分分析 | 第48-50页 |
| 3.2.3 不同射频功率下的离子能量分布情况 | 第50-51页 |
| 3.2.4 不同射频功率下的等离子体空间电势 | 第51-53页 |
| 3.2.5 不同射频功率下的电子能量概率函数 | 第53-54页 |
| 3.2.6 不同射频功率下的电子密度和有效电子温度 | 第54-56页 |
| 3.3 不同工作气压下的等离子体状态分析 | 第56-65页 |
| 3.3.1 实验方法与表征 | 第56页 |
| 3.3.2 不同工作气压下的等离子体组分分析 | 第56-58页 |
| 3.3.3 不同工作气压下的离子能量分布情况 | 第58-60页 |
| 3.3.4 不同工作气压下的等离子体空间电势 | 第60-61页 |
| 3.3.5 不同工作气压下的电子能量概率函数 | 第61-63页 |
| 3.3.6 不同工作气压下的电子密度和有效电子温度 | 第63-65页 |
| 3.4 不同气体流量下的等离子体状态分析 | 第65-72页 |
| 3.4.1 实验方法与表征 | 第65页 |
| 3.4.2 不同气体流量下的等离子体组分分析 | 第65-68页 |
| 3.4.3 不同气体流量下的离子能量分布情况 | 第68页 |
| 3.4.4 不同气体流量下的等离子体空间电势 | 第68-70页 |
| 3.4.5 不同气体流量下的电子能量概率函数 | 第70页 |
| 3.4.6 不同气体流量下的电子密度和有效电子温度 | 第70-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 等离子体状态对GDP薄膜生长的影响研究 | 第74-104页 |
| 4.1 引言 | 第74页 |
| 4.2 不同射频功率下的等离子体状态对GDP薄膜生长的影响 | 第74-84页 |
| 4.2.1 样品的制备与表征 | 第74-75页 |
| 4.2.2 等离子体状态对薄膜化学结构的影响 | 第75-78页 |
| 4.2.3 等离子体状态对薄膜沉积速率的影响 | 第78-80页 |
| 4.2.4 等离子体状态对薄膜表面形貌的影响 | 第80-82页 |
| 4.2.5 等离子体状态对薄膜表面粗糙度的影响 | 第82-84页 |
| 4.3 不同工作气压下的等离子体状态对GDP薄膜生长的影响 | 第84-95页 |
| 4.3.1 样品的制备与表征 | 第84-85页 |
| 4.3.2 等离子体状态对薄膜化学结构的影响 | 第85-87页 |
| 4.3.3 等离子体状态对薄膜沉积速率的影响 | 第87-90页 |
| 4.3.4 等离子体状态对薄膜表面形貌的影响 | 第90-93页 |
| 4.3.5 等离子体状态对薄膜表面粗糙度的影响 | 第93-95页 |
| 4.4 不同气体流量下的等离子体状态对GDP薄膜生长的影响 | 第95-102页 |
| 4.4.1 样品的制备与表征 | 第95-96页 |
| 4.4.2 等离子体状态对薄膜化学结构的影响 | 第96-98页 |
| 4.4.3 等离子体状态对薄膜沉积速率的影响 | 第98-99页 |
| 4.4.4 等离子体状态对薄膜表面形貌的影响 | 第99-100页 |
| 4.4.5 等离子体状态对薄膜表面粗糙度的影响 | 第100-102页 |
| 4.5 本章小结 | 第102-104页 |
| 第五章 A离子间歇性刻蚀的GDP薄膜表面粗糙度控制技术研究 | 第104-121页 |
| 5.1 引言 | 第104页 |
| 5.2 实验方法与表征手段 | 第104-106页 |
| 5.3 Ar离子刻蚀对C_4H_8/H_2等离子体状态的影响 | 第106-110页 |
| 5.3.1 C_4H_8/H_2与C_4H_8/H_2/Ar等离子体的离子能量对比分析 | 第106-107页 |
| 5.3.2 C_4H_8/H_2与C_4H_8/H_2/Ar等离子体的离子组分对比分析 | 第107-110页 |
| 5.4 Ar离子刻蚀对GDP薄膜化学结构与表面形貌及粗糙度的作用机理 | 第110-114页 |
| 5.4.1 Ar离子刻蚀前后GDP薄膜化学结构的对比分析 | 第110-111页 |
| 5.4.2 Ar离子刻蚀前后GDP薄膜表面形貌与粗糙度的对比分析 | 第111-114页 |
| 5.5 Ar离子不同间歇性刻蚀周期对GDP薄膜化学结构的影响 | 第114-116页 |
| 5.6 Ar离子不同间歇性刻蚀周期对GDP薄膜表面形貌与粗糙度的影响 | 第116-119页 |
| 5.7 本章小结 | 第119-121页 |
| 第六章 GDP薄膜表面形貌与粗糙度的演变机理研究 | 第121-134页 |
| 6.1 引言 | 第121页 |
| 6.2 GDP薄膜的成膜原理 | 第121-126页 |
| 6.2.1 等离子体与薄膜表面的相互作用过程 | 第121-123页 |
| 6.2.2 薄膜生长的三种模式的影响机制 | 第123-126页 |
| 6.3 不同工艺参数下GDP薄膜表面形貌与粗糙度的演变机理 | 第126-133页 |
| 6.3.1 不同射频功率下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理 | 第126-129页 |
| 6.3.2 不同工作气压下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理 | 第129-130页 |
| 6.3.3 不同气体流量下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理 | 第130页 |
| 6.3.4 Ar离子间歇性刻蚀下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理 | 第130-133页 |
| 6.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 第七章 结论与展望 | 第134-138页 |
| 7.1 结论 | 第134-136页 |
| 7.2 创新点 | 第136页 |
| 7.3 展望 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-154页 |
| 附录 | 第154-155页 |
