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Ⅲ-Ⅴ族氮化物纳米孔材料的制备和应用

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Ⅲ-Ⅴ族氮化物纳米孔材料的制备和应用
论文目录
 
中文摘要第10-14页
Abstract第14-18页
符号表第18-19页
第一章 概述第19-39页
  §· GaN材料的特性和制备第19-24页
    §· GaN的材料特性第19-22页
    §· GaN的材料的制备第22-24页
  §· GaN基材料在电子器件方面应用的发展第24-27页
  §· GaN基材料在光电子器件方面应用的发展第27-29页
  §· 多孔GaN材料的发展和应用第29-32页
  §· 本论文的主要内容及其展望第32-34页
  参考文献第34-39页
第二章 硅掺杂的n-type GaN选择性横向刻蚀技术和应用第39-59页
  §· 前言第39-40页
  §· 实验第40-41页
  §· n-type GaN电化学选择性刻蚀的形貌第41-44页
  §· n-type GaN电化学选择性刻蚀的刻蚀速率、相图和机理分析第44-48页
    §· n-type GaN电化学选择性刻蚀的刻蚀速率第44-46页
    §· n-type GaN电化学选择性刻蚀的相图第46页
    §· n-type GaN电化学选择性刻蚀的机理分析第46-48页
  §· n-type GaN电化学选择性刻蚀的应用第48-56页
    §2.5. 1 n-type GaN电化学选择性刻蚀在GaN剥离方面的应用第48-50页
    §· n-type GaN电化学选择性刻蚀在光学方面的应用第50-53页
    §· n-type GaN电化学选择性刻蚀在微电机械系统(MEMS)方面的应用第53-56页
  §· 小结第56-57页
  参考文献第57-59页
第三章 电化学法制备大面积、自支撑多孔GaN薄膜第59-83页
  §· 前言第59-60页
  §· 实验第60-61页
  §· 电化学法制备多孔GaN薄膜第61-69页
    §· 外加偏压对电化学法制备多孔GaN的影响第61-63页
    §· n-GaN的硅掺杂浓度对电化学法制备多孔GaN的影响第63-66页
    §· 电化学法制备的多孔GaN的均匀性第66-67页
    §· 电化学法制备多孔GaN的机制第67-69页
  §· 电化学法制备大面积、自支撑的多孔GaN薄膜及其表征第69-77页
    §· 大面积、自支撑多孔GaN的制备第69-72页
    §· 大面积、自支撑多孔GaN的表征第72-77页
      §· 大面积、自支撑多孔GaN的结构特性第72-75页
      §· 大面积、自支撑多孔GaN的光学特性第75-77页
  §· 大面积、自支撑的多孔GaN薄膜剥离后衬底的再利用第77-80页
  §· 小结第80-81页
  参考文献第81-83页
第四章 利用多孔GaN插入层生长低缺陷密度的半极性(11-22)多孔GaN薄膜第83-111页
  §· 前言第83-84页
  §· 实验第84-85页
  §· 两步法MOCVD生长半极性(11-22)GaN薄膜第85-88页
  §· 电化学法制备半极性(11-22)多孔GaN薄膜第88-91页
  §· 利用多孔GaN插入层生长的低缺陷密度的半极性(11-22)GaN薄膜及其表征第91-106页
    §· 利用多孔GaN插入层生长的低缺陷密度的半极性(11-22)GaN薄膜的结构特性第92-96页
    §· 利用多孔GaN插入层生长的低缺陷密度的半极性(11-22)GaN薄膜的光学特性第96-99页
    §· 利用多孔GaN插入层生长低缺陷密度半极性(11-22)GaN薄膜的机制第99-100页
    §· 生长在多孔GaN插入层上的半极性(11-22)InGaN/GaN MQWs第100-105页
    §· 生长在多孔GaN插入层上的半极性(11-22)InGaN/GaN LEDs第105-106页
  §· 小结第106-108页
  参考文献第108-111页
第五章 结论和展望第111-115页
致谢第115-117页
学习/研修成果或发表文章第117-121页
Paper 1第121-132页
  References:第130-132页
Paper 2第132-141页
  References:第139-141页
学位论文评阅及答辩情况表第141 页

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