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TiO2半导体薄膜的制备与气敏传感性质研究

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TiO2半导体薄膜的制备与气敏传感性质研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
ABSTRACT第5-11 页
1 绪论第11-19 页
  · 引言第11-12 页
  · TiO_2 的晶体结构及性质第12-13 页
  · 杂质掺入对TiO_2 气敏性质的影响第13-14 页
    · 掺杂金属氧化物的TiO_2 薄膜第13 页
    · 贵金属掺杂修饰的TiO_2 薄膜第13 页
    · 部分还原TiO_2 薄膜(TiO_(2-x))第13-14 页
  · 金红石型TiO_2 的薄膜表面第14-15 页
  · 锐钛矿型TiO_2 的薄膜表面第15-16 页
  · TiO_2 气敏传感器的传感原理第16-17 页
  · 本论文研究的主要内容第17-18 页
  · 本章小结第18-19 页
2 TiO_2 气敏传感薄膜的制备与特性研究第19-60 页
  · 实验方法第19-36 页
    · 反应溅射法制备TiO_2 薄膜第19-21 页
    · 化学气象沉积法制备TiO_2 薄膜第21-22 页
    · 溶胶-凝胶法制备TiO_2 薄膜第22-24 页
    · 真空蒸发镀膜第24-26 页
    · X 射线光电子能谱(XPS)分析CVD 法制备的气敏薄膜第26-29 页
    · 扫描电镜第29-31 页
    · 透射电镜第31-32 页
    · X 射线衍射分析第32-35 页
    · 气敏效应的检测装置第35-36 页
  · 反应射频溅射制备W/TiO_2 薄膜气敏效应研究第36-41 页
    · 薄膜制备第36-37 页
    · 薄膜形貌分析第37 页
    · 气敏测试与分析第37-41 页
    · 结论第41 页
  · 超声雾化热分解气相沉积法制备TiO_2 薄膜的气敏特性研究第41-45 页
    · 薄膜制备第41-43 页
    · 气敏测试第43-45 页
    · 结论第45 页
  · 火焰喷雾热分解法制备TiO_2 薄膜的气敏特性研究第45-50 页
    · 样品制备第45-47 页
    · 样品形貌分析第47 页
    · 气敏特性第47-50 页
    · 结论第50 页
  · 溶胶-凝胶和旋涂法制备TiO_2--KTaO_3 薄膜的气敏特性研究第50-55 页
    · 薄膜样品的制备第51-52 页
    · 样品结构分析第52-53 页
    · 湿敏检测系统第53-54 页
    · 样品测试第54-55 页
    · 结论第55 页
  · 电子束蒸发制备TiO_2-WO_3 复合气敏传感薄膜的性质研究第55-58 页
    · 实验方法与测试第55-57 页
    · 气敏效应测试第57-58 页
    · 结论第58 页
  · 本章小结第58-60 页
3 TiO_2 的表面性质和表面过程及杂质对TiO_2 性质的影响第60-79 页
  · 金属氧化物的表面电子性质第60-65 页
    · 表面态第60-61 页
    · 表面空间电荷层的形成第61-62 页
    · 表面空间电荷层中电场、电荷密度和电容的计算(一维处理)第62-63 页
    · 薄膜表面的气—气、气—固反应第63-64 页
    · 空间电荷层厚度和Weisz 限制第64-65 页
  · 表面的化学性质第65-69 页
    · 吸附第65-68 页
    · 表面晶格氧和吸附氧第68-69 页
  · 催化和其它表面反应过程第69-70 页
    · 均匀反应和不均匀反应第69 页
    · 氧化物的催化剂活性金属第69-70 页
    · 离子交换第70 页
  · 金属氧化物点缺陷理论化第70-74 页
    · 金属氧化物的点缺陷及其K-V 符号第70-72 页
    · 质量作用定律与点缺陷理论第72-73 页
    · K-V 图与材料电性能的关系第73-74 页
    · 金属氧化物半导体和金属氧化物固体电解质第74 页
  · TiO_2 的气敏机理第74-77 页
  · 氧敏元件的技术特性及其影响第77 页
  · 本章小结第77-79 页
4 TiO_2 气敏特性的第一性原理研究第79-131 页
  · 密度泛函理论的简述第79-92 页
    · 三个基本近似第80-84 页
    · Hohenberg-Kohn 定理第84-85 页
    · Kohn-Sham 方程第85-86 页
    · 自洽计算第86 页
    · 局域密度近似和广义梯度近似第86-88 页
    · 赝势法第88-91 页
    · CASTEP 软件包功能特点第91-92 页
  · 金红石型TiO_2 的空位缺陷研究第92-97 页
    · 计算方法第93-94 页
    · 结果分析第94-96 页
    · 结论第96-97 页
  · 锐钛矿型TiO_2 空位缺陷性质研究第97-106 页
    · 计算方法第97-98 页
    · 计算结果与分析第98-106 页
  · N、C、S 等非金属元素掺杂对锐钛矿TiO_2 晶体性质影响的理论研究第106-117 页
    · 理论模型与计算方法第106-107 页
    · 计算结果与分析第107-116 页
    · 结论第116-117 页
  · Si 掺杂对金红石TiO_2 晶体性质影响的理论研究第117-120 页
    · 计算方法第117-118 页
    · 计算结果第118-120 页
    · 结论第120 页
  · 金红石型纳米TiO_2(110)表面原子结构和电子结构第120-124 页
    · 模型构建与模拟方法第121-122 页
    · 金红石型纳米TiO_2(110)表面原子结构性质第122-123 页
    · 金红石型纳米TiO_2(110)表面电子结构性质第123-124 页
    · 结论第124 页
  · 氢气在金红石型TiO_2(110)薄膜面吸附的第一性原理研究第124-129 页
    · 计算方法第125 页
    · 计算结果第125-128 页
    · 结论第128-129 页
  · 本章小结第129-131 页
5 结论与展望第131-135 页
  · 主要结论第131-133 页
  · 展望第133-135 页
致谢第135-136 页
参考文献第136-148 页
附录第148-149 页
  A.博士期间发表的论文第148-149 页
  B.博士期间参与的科研项目第149页

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