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40nm MOSFET性能波动分析与模型研究

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40nm MOSFET性能波动分析与模型研究
论文目录
 
摘要第1-9页
Abstract第9-13页
第一章 绪论第13-27页
  · 研究背景第13-14页
  · 发展动态分析第14-19页
    · 国际研究现状第14-18页
    · 国内研究现状第18-19页
  · 论文的选题与意义第19-20页
  · 本文研究内容与结构第20-21页
  本章参考文献第21-27页
第二章 深纳米MOSFET性能波动性分析第27-49页
  · 版图邻近效应第27-34页
    · 应力因素第28-32页
    · 注入散射因素第32-33页
    · 光刻邻近导致的图形偏差第33-34页
  · 版图邻近效应的分析技术第34-37页
  · 器件统计模型第37-40页
    · 工艺波动的影响研究第37-38页
    · 统计模型的分析技术第38-40页
  · PSP模型与SPICE仿真程序介绍第40-44页
  本章小结第44-45页
  本章参考文献第45-49页
第三章 40nm MOSFET的PSP直流模型提取第49-57页
  · 测试结构设计第49-50页
  · 模型提取结果第50-56页
    · C-V提取结果第51-52页
    · I-V提取结果第52-54页
    · 温度效应提取结果第54-56页
  本章小结第56页
  本章参考文献第56-57页
第四章 40nm MOSFET的版图邻近效应模型研究第57-92页
  · 版图相关性因子及基本模型参数选择分析第58-62页
    · 版图相关性因子分析第58-59页
    · 用于版图相关性建模的基本模型参数选择与分析第59-62页
  · 版图邻近效应的模型创建第62-67页
    · 栅邻近因子建模第63-64页
    · 接触孔邻近因子建模第64-65页
    · 有源区邻近因子建模第65-66页
    · 阱与有源区邻近因子建模第66-67页
    · 版图邻近因子合成第67页
  · 测试结构设计第67-72页
  · 实验数据的测试与分析第72-75页
    · 实验数据的测试第72-73页
    · 测试数据分析第73-75页
  · 模型提取与验证第75-90页
    · 栅邻近的拟合结果与分析第76-80页
    · 接触孔邻近的拟合结果与分析第80-84页
    · 有源区邻近的拟合结果与分析第84-87页
    · 阱与有源区邻近的拟合结果与分析第87-89页
    · 模型参数值第89-90页
  本章小结第90页
  本章参考文献第90-92页
第五章 版图邻近因子的自动提取与仿真第92-105页
  · LVS规则的修改第93-100页
    · LVS文件及语法第93-94页
    · 普通MOSFET的LVS提取规则第94-95页
    · 版图相关性MOSFET的LVS提取规则第95-100页
  · 版图参数值的自动提取第100-102页
  · MOSFET性能的SPICE仿真第102-103页
  本章小结第103-104页
  本章参考文献第104-105页
第六章 40nm MOSFET的统计模型研究第105-118页
  · 统计模型建模流程分析第105-106页
  · 统计模型的创建第106-108页
  · 实验数据的测试与分析第108-110页
  · 模型提取与验证第110-116页
  本章小结第116页
  本章参考文献第116-118页
第七章 总结与展望第118-121页
  · 总结第118-119页
  · 展望第119-121页
附录A 缩略词及专业词汇描述第121-124页
附录B 版图邻近效应测试数据第124-133页
附录C 统计模型测试数据第133-137页
附录D LVS规则文件添加代码第137-143页
攻读学位期间发表论文、专利及参与项目情况第143-146页
致谢第146页

本篇论文共146页,点击这进入下载页面
 
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