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40nm MOSFET性能波动分析与模型研究
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40nm MOSFET性能波动分析与模型研究
论文目录
摘要
第1-9页
Abstract
第9-13页
第一章 绪论
第13-27页
· 研究背景
第13-14页
· 发展动态分析
第14-19页
· 国际研究现状
第14-18页
· 国内研究现状
第18-19页
· 论文的选题与意义
第19-20页
· 本文研究内容与结构
第20-21页
本章参考文献
第21-27页
第二章 深纳米MOSFET性能波动性分析
第27-49页
· 版图邻近效应
第27-34页
· 应力因素
第28-32页
· 注入散射因素
第32-33页
· 光刻邻近导致的图形偏差
第33-34页
· 版图邻近效应的分析技术
第34-37页
· 器件统计模型
第37-40页
· 工艺波动的影响研究
第37-38页
· 统计模型的分析技术
第38-40页
· PSP模型与SPICE仿真程序介绍
第40-44页
本章小结
第44-45页
本章参考文献
第45-49页
第三章 40nm MOSFET的PSP直流模型提取
第49-57页
· 测试结构设计
第49-50页
· 模型提取结果
第50-56页
· C-V提取结果
第51-52页
· I-V提取结果
第52-54页
· 温度效应提取结果
第54-56页
本章小结
第56页
本章参考文献
第56-57页
第四章 40nm MOSFET的版图邻近效应模型研究
第57-92页
· 版图相关性因子及基本模型参数选择分析
第58-62页
· 版图相关性因子分析
第58-59页
· 用于版图相关性建模的基本模型参数选择与分析
第59-62页
· 版图邻近效应的模型创建
第62-67页
· 栅邻近因子建模
第63-64页
· 接触孔邻近因子建模
第64-65页
· 有源区邻近因子建模
第65-66页
· 阱与有源区邻近因子建模
第66-67页
· 版图邻近因子合成
第67页
· 测试结构设计
第67-72页
· 实验数据的测试与分析
第72-75页
· 实验数据的测试
第72-73页
· 测试数据分析
第73-75页
· 模型提取与验证
第75-90页
· 栅邻近的拟合结果与分析
第76-80页
· 接触孔邻近的拟合结果与分析
第80-84页
· 有源区邻近的拟合结果与分析
第84-87页
· 阱与有源区邻近的拟合结果与分析
第87-89页
· 模型参数值
第89-90页
本章小结
第90页
本章参考文献
第90-92页
第五章 版图邻近因子的自动提取与仿真
第92-105页
· LVS规则的修改
第93-100页
· LVS文件及语法
第93-94页
· 普通MOSFET的LVS提取规则
第94-95页
· 版图相关性MOSFET的LVS提取规则
第95-100页
· 版图参数值的自动提取
第100-102页
· MOSFET性能的SPICE仿真
第102-103页
本章小结
第103-104页
本章参考文献
第104-105页
第六章 40nm MOSFET的统计模型研究
第105-118页
· 统计模型建模流程分析
第105-106页
· 统计模型的创建
第106-108页
· 实验数据的测试与分析
第108-110页
· 模型提取与验证
第110-116页
本章小结
第116页
本章参考文献
第116-118页
第七章 总结与展望
第118-121页
· 总结
第118-119页
· 展望
第119-121页
附录A 缩略词及专业词汇描述
第121-124页
附录B 版图邻近效应测试数据
第124-133页
附录C 统计模型测试数据
第133-137页
附录D LVS规则文件添加代码
第137-143页
攻读学位期间发表论文、专利及参与项目情况
第143-146页
致谢
第146页
本篇论文共
146
页,
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