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未掺杂氧化锆薄膜的物相调控和室温铁磁性研究

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未掺杂氧化锆薄膜的物相调控和室温铁磁性研究
论文目录
 
摘要第1-4页
abstract第4-9页
第1章 绪论第9-28页
  1.1 引言第9-10页
  1.2 自旋电子学简介第10-15页
    1.2.1 自旋电子学的起源第10-12页
    1.2.2 自旋电子学的发展第12-15页
  1.3 磁性半导体介绍第15-23页
    1.3.1 磁性半导体研究的兴起第15-16页
    1.3.2 磁性半导体研究的发展第16-19页
    1.3.3 磁性半导体的铁磁性机制第19-23页
  1.4 ZrO_2基稀磁材料介绍第23-26页
    1.4.1 ZrO_2的结构和性质第23-24页
    1.4.2 ZrO_2基磁性材料的研究进展第24-26页
  1.5 本论文研究的内容和思路第26-28页
第2章 实验方法和实验设备第28-40页
  2.1 ZrO_2薄膜的制备第28-34页
    2.1.1 脉冲电子束沉积第28-29页
    2.1.2 直流磁控反应溅射第29-30页
    2.1.3 电子束蒸镀第30-32页
    2.1.4 石英管式炉退火第32-33页
    2.1.5 快速退火第33页
    2.1.6 强磁场退火系统第33-34页
  2.2 ZrO_2薄膜的结构、形貌和成分分析第34-36页
    2.2.1 X射线衍射第34页
    2.2.2 高分辨透射电子显微分析第34-35页
    2.2.3 反射光功率相变分析第35页
    2.2.4 X射线反射率第35页
    2.2.5 扫描电子显微分析第35-36页
    2.2.6 电感耦合等离子体原子发射光谱第36页
  2.3 ZrO_2薄膜的缺陷分析表征第36-38页
    2.3.1 X射线光电子能谱第36页
    2.3.2 光致发光谱第36-37页
    2.3.3 电子顺磁共振谱第37-38页
  2.4 ZrO_2薄膜的物理性能表征第38页
    2.4.1 光学性质第38页
    2.4.2 磁学性质第38页
  2.5 实验注意事项第38-40页
第3章 晶态ZrO_2薄膜的制备及物相调控第40-54页
  3.1 引言第40页
  3.2 脉冲电子束沉积第40-47页
    3.2.1 基底温度对制备ZrO_2薄膜的影响第40-43页
    3.2.2 工作气压对制备ZrO_2薄膜的影响第43-46页
    3.2.3 PED制备ZrO_2薄膜小结第46-47页
  3.3 直流磁控反应溅射第47-53页
    3.3.1 磁控溅射正交实验设计第47-49页
    3.3.2 O_2和Ar的流量比对ZrO_2薄膜晶体结构的影响第49-52页
    3.3.3 直流磁控反应溅射制备ZrO_2薄膜小结第52-53页
  3.4 本章小结第53-54页
第4章 非晶ZrO_2薄膜的晶化与相变第54-68页
  4.1 引言第54页
  4.2 非晶ZrO_2薄膜的制备第54-55页
  4.3 非晶ZrO_2薄膜的晶化第55-61页
    4.3.1 晶化温度的分析第55-58页
    4.3.2 晶化后的物相结构分析第58-61页
  4.4 非晶ZrO_2薄膜的相变第61-67页
    4.4.1 升温过程中的相变第61-64页
    4.4.2 降温过程中的相变第64-67页
  4.5 本章小结第67-68页
第5章 ZrO_2薄膜铁磁性对物相结构的依赖性第68-79页
  5.1 引言第68页
  5.2 ZrO_2薄膜的室温铁磁性第68-77页
    5.2.1 磁控反应溅射系列第68-70页
    5.2.2 脉冲电子束沉积系列第70-72页
    5.2.3 非晶ZrO_2薄膜退火系列第72-73页
    5.2.4 晶态ZrO_2薄膜退火系列第73-75页
    5.2.5 非晶ZrO_2薄膜强磁场退火系列第75-77页
    5.2.6 ZrO_2薄膜室温铁磁性的物相依赖性第77页
  5.3 本章小结第77-79页
第6章 ZrO_2薄膜铁磁性对缺陷的依赖性第79-89页
  6.1 引言第79页
  6.2 ZrO_2薄膜的缺陷和磁性分析第79-87页
    6.2.1 磁控反应溅射系列第79-82页
    6.2.2 脉冲电子束沉积系列第82-85页
    6.2.3 非晶ZrO_2薄膜强磁场退火系列第85-87页
  6.3 本章小结第87-89页
第7章 ZrO_2薄膜铁磁性的起源机制第89-99页
  7.1 引言第89页
  7.2 ZrO_2薄膜的缺陷调控第89-95页
    7.2.1 四方相未掺杂ZrO_2薄膜的缺陷调控第89-92页
    7.2.2 单斜相未掺杂ZrO_2薄膜的缺陷调控第92-95页
  7.3 ZrO_2薄膜磁性对四方相中氧空位缺陷的依赖性第95-96页
  7.4 未掺杂ZrO_2薄膜室温铁磁性的机制分析第96-97页
  7.5 本章小结第97-99页
第8章 总结与展望第99-101页
参考文献第101-113页
致谢第113-115页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第115页

本篇论文共115页,点击这进入下载页面
 
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