论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5
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| ABSTRACT | 第5-13
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| 1 绪论 | 第13-31
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| · 课题来源及意义 | 第13-15
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| · 研究现状 | 第15-29
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| · High-k 纳米薄膜的探索 | 第15-22
页 |
| · Gd_2O_3、Nd_2O_3 的晶体结构与特性 | 第22-24
页 |
| · Gd_2O_3、Nd_2O_3 的研究现状 | 第24-25
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| · 薄膜生长理论 | 第25-29
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| · 论文研究的主要内容及研究手段 | 第29-31
页 |
| · 论文研究的主要内容 | 第29-30
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| · 主要研究手段 | 第30-31
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| 2 实验技术与装置 | 第31-63
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| · 分子束外延镀膜技术与实验装置（MBE） | 第31-34
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| · 分子束外延镀膜技术 | 第31-33
页 |
| · 分子束外延实验装置 | 第33-34
页 |
| · 反射式高能电子衍射（RHEED）与表面再构 | 第34-37
页 |
| · 反射式高能电子衍射（RHEED） | 第34-36
页 |
| · 表面再构 | 第36-37
页 |
| · 同步辐射光衍射 | 第37-42
页 |
| · 同步辐射光源理论 | 第37-40
页 |
| · 柏林同步辐射中心 | 第40-42
页 |
| · 高分辨率X 射线衍射（HRXRD） | 第42-53
页 |
| · 倒易空间基本理论 | 第42-43
页 |
| · X 射线衍射基本原理 | 第43-47
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| · θ-2θ扫描 | 第47-48
页 |
| · ω-2θ扫描 | 第48
页 |
| · 摇摆曲线扫描 | 第48-49
页 |
| · Φ扫描 | 第49
页 |
| · 高分辨率衍射设备 | 第49-51
页 |
| · 极射赤面投影 | 第51-53
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| · 掠角X 射线衍射技术（GIXD） | 第53-58
页 |
| · GIXD 原理 | 第53-55
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| · 临界角计算 | 第55-57
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| · 入射深度计算 | 第57-58
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| · 高分辨率透射电子显微镜（HRTEM） | 第58-60
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| · HRTEM 基本介绍 | 第58-59
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| · HRTEM 试样的制备 | 第59-60
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| · 小角度X 射线反射（XRR） | 第60-63
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| · XRR 原理 | 第60-61
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| · XRR 实验步骤 | 第61-63
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| 3 Si（100）基底外延生长Gd_2O_3 纳米薄膜 | 第63-77
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| · 引言 | 第63
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| · 两种实验生长过程 | 第63-64
页 |
| · 斜切基底台阶分析 | 第64-69
页 |
| · 斜切角分析 | 第69-70
页 |
| · 薄膜生长RHEED 原位监测 | 第70-72
页 |
| · HRXRD θ-2θ面外结构分析 | 第72-73
页 |
| · XRD Φ扫描 | 第73-75
页 |
| · 掠角面内倒易空间图（GIXD In-plane RSM） | 第75-76
页 |
| · 小结 | 第76-77
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| 4 Si（111）基底外延生长Gd_2O_3 纳米薄膜 | 第77-102
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| · 引言 | 第77
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| · 实验过程 | 第77-80
页 |
| · MBE 沉积过程 | 第77-79
页 |
| · GIXD 实验过程 | 第79-80
页 |
| · 基底表面再构分析 | 第80-82
页 |
| · 薄膜生长RHEED 原位监测 | 第82-84
页 |
| · XRR 分析 | 第84-85
页 |
| · HRXRD θ-2θ面外结构分析 | 第85-89
页 |
| · 峰位分析 | 第85-86
页 |
| · 晶格大小思考 | 第86-88
页 |
| · Pendell?sung 峰分析 | 第88-89
页 |
| · XRD Φ扫描 | 第89-93
页 |
| · 掠角面内倒易空间图（GIXD In-plane RSM） | 第93-97
页 |
| · 失配率 | 第97-99
页 |
| · 应变分析 | 第99-100
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| · 小结 | 第100-102
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| 5 Si（111）基底外延生长Nd_2O_3 纳米薄膜 | 第102-118
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| · 引言 | 第102
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| · 实验过程 | 第102-104
页 |
| · 基底表面再构分析 | 第104-105
页 |
| · 薄膜生长RHEED 原位监测 | 第105-107
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| · XRR 分析 | 第107-108
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| · HRXRD θ-2θ面外结构分析 | 第108-109
页 |
| · HRXRD 摇摆曲线 | 第109-110
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| · XRD Φ扫描 | 第110-111
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| · 掠角面内倒易空间图（GIXD In-plane RSM） | 第111-113
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| · 失配率分析 | 第113-115
页 |
| · 应变分析 | 第115-116
页 |
| · 小结 | 第116-118
页 |
| 6 Si（111）基底外延生长（GdxNd1-x）203 纳米薄膜 | 第118-138
页 |
| · 引言 | 第118
页 |
| · 实验过程 | 第118-119
页 |
| · 薄膜生长RHEED 原位监测 | 第119-120
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| · 化学成分分析 | 第120
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| · 同步辐射衍射θ-2θ面外结构分析 | 第120-123
页 |
| · 薄膜晶体结构 | 第120-122
页 |
| · Pendell?sung 峰强度分析 | 第122
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| · 薄膜厚度分析 | 第122-123
页 |
| · 掠角面内倒易空间图（GIXD In-plane RSM） | 第123-124
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| · 失配率与应变分析 | 第124-127
页 |
| · 失配率分析 | 第124-126
页 |
| · 应变分析 | 第126-127
页 |
| · HRTEM 观察和电子衍射分析 | 第127-133
页 |
| · 非晶硅表面HRTEM 观察 | 第127-128
页 |
| · GNO 表面HRTEM 观察 | 第128-129
页 |
| · GNO 横截面HRTEM 观察 | 第129-130
页 |
| · 电子衍射分析 | 第130-133
页 |
| · 快速热退火（RTA）研究 | 第133-136
页 |
| · RTA 实验过程 | 第133
页 |
| · XRR 分析 | 第133-134
页 |
| · HRXRD θ-2θ面外结构分析 | 第134-136
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| · 小结 | 第136-138
页 |
| 7 结论与展望 | 第138-141
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| · 主要结论 | 第138-140
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| · 后续研究工作的展望 | 第140-141
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| 致谢 | 第141-142
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| 参考文献 | 第142-154
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| 附录 | 第154-159
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| A. 散射因子（Dispersion factor） | 第154-158
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| （a） Gd 原子的散射因子 | 第154-155
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| （b） Nd 原子的散射因子 | 第155-156
页 |
| （c） O 原子的散射因子 | 第156-157
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| （d） Si 原子的散射因子 | 第157-158
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| B. 作者在攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第158-159页 |
