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低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器设计

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低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器设计
论文目录
 
第1章 引言第10-24 页
  · 课题的意义第10-11 页
  · CMOS 射频LNA 研究进展第11-20 页
    · CMOS 放大器第11-12 页
    · 电感源极负反馈LNA 及其噪声优化方法第12-14 页
    · 低电压CMOS LNA第14-16 页
    · 高线性CMOS LNA第16-19 页
    · 寄生参数第19-20 页
    · 发展趋势第20 页
  · 本文的主要工作和贡献第20-22 页
  · 论文各部分的安排第22-24 页
第2章 MOSFET 器件的简化设计模型第24-42 页
  · 提要第24 页
  · 深亚微米MOSFET 器件物理第24-31 页
    · 一阶MOSFET 器件模型简述第25-27 页
    · 载流子迁移率的变化第27-28 页
    · 速度饱和效应第28-29 页
    · 沟道的分布参数效应第29-31 页
  · 简化的MOSFET 大信号和小信号模型第31-34 页
    · 深亚微米MOSFET 大信号模型第31 页
    · 深亚微米MOSFET 射频小信号模型第31-34 页
  · 简化的MOSFET 噪声模型第34-38 页
    · MOSFET 沟道热噪声电流第34-36 页
    · MOSFET 栅极感应热噪声电流第36-37 页
    · 小结第37-38 页
  · 设计模型参数的提取第38-41 页
    · 参数提取的步骤第38-39 页
    · 模型验证第39-41 页
  · 本章小结第41-42 页
第3章 CMOS LNA 的噪声及功耗优化设计第42-67 页
  · 提要第42-43 页
  · 一般LNA 的分析第43-47 页
    · 二端口网络的噪声第43-44 页
    · 几种LNA 结构性能比较第44-47 页
  · 源极电感负反馈LNA 设计第47-52 页
    · 电路结构第47-49 页
    · 电路噪声性能分析第49-52 页
  · 解析计算和仿真验证第52-59 页
    · 电路结构第52-53 页
    · 结果分析对比第53-59 页
  · 沟道电容与栅源电容第59-62 页
  · 迁移率模型参数的影响第62-64 页
  · 速度饱和与热载流子效应的影响第64-66 页
  · 本章小结第66-67 页
第4章 CMOS LNA 的非线性及线性化第67-100 页
  · 提要第67 页
  · 对接收机线性度的要求第67-69 页
  · CMOS LNA 的非线性分析第69-83 页
    · 幂级数分析第69-74 页
    · Volterra 级数分析第74-83 页
  · 非线性补偿方法比较第83-87 页
  · 低电压非线性补偿LNA 电路第87-99 页
    · 补偿电路分析第87-90 页
    · 电路和验证方法描述第90-91 页
    · 仿真结果第91-94 页
    · 流片测试结果第94-99 页
  · 本章小结第99-100 页
第5章 考虑寄生效应的 CMOS LNA 设计第100-113 页
  · 提要第100-101 页
  · 寄生效应模型第101-105 页
    · 焊盘寄生参数第101-102 页
    · ESD 保护电路的寄生参数第102-103 页
    · 封装寄生参数第103-105 页
  · 寄生效应对LNA 性能的影响第105-108 页
  · 给定寄生参数下LNA 的设计第108-110 页
    · 考虑功耗的优化第108-109 页
    · 两种方法的比较第109-110 页
  · 仿真验证结果第110-112 页
  · 本章小结第112-113 页
第6章 工作总结及建议第113-115 页
参考文献第115-124 页
致谢第124 页
声明第124-125 页
附录A 第· 节中噪声系数表达式的推导第125-131 页
附录B 第· 节中阻抗变换关系式的推导第131-134 页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第134页

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