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超高压力条件半导体材料导热实验研究

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超高压力条件半导体材料导热实验研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-17页
符号说明表第17-19页
第1章 绪论第19-35页
  1.1 课题研究背景及意义第19-22页
    1.1.1 地球环境演化预测及资源开发第19-20页
    1.1.2 高压高温超导体第20-22页
    1.1.3 功能材料的高压合成及改性第22页
  1.2 课题研究的科学依据第22-25页
    1.2.1 导热的宏观描述第22-23页
    1.2.2 导热的微观描述第23-24页
    1.2.3 超高压条件导热第24-25页
  1.3 超高压导热实验研究现状第25-33页
    1.3.1 超高压力实现方法第25-26页
    1.3.2 测压方法研究现状第26-28页
    1.3.3 超高压导热研究第28-31页
    1.3.4 超高压TDTR导热研究现状第31-33页
  1.4 研究目的及研究内容第33-35页
    1.4.1 研究目的第33页
    1.4.2 研究内容第33-35页
第2章 TDTR测试原理及超高压实验系统第35-70页
  2.1 TDTR测试原理第35-50页
    2.1.1 TDTR传热模型第37-39页
    2.1.2 TDTR信号的来源与转化第39-42页
    2.1.3 TDTR测试样品的温度响应第42-47页
    2.1.4 不确定度及敏感度分析第47-50页
  2.2 超高压DAC样品的制备第50-57页
    2.2.1 DAC技术简介第50-51页
    2.2.2 超高压DAC装配第51-56页
    2.2.3 样品压力测量第56-57页
  2.3 TDTR+DAC实验系统第57-64页
    2.3.1 TDTR系统的优化第57-62页
    2.3.2 超高压样品台的设计第62-63页
    2.3.3 超高压原位成像系统的设计第63-64页
  2.4 TDTR信号的测量第64-69页
    2.4.1 TDTR超快过程信号第64-66页
    2.4.2 测试点的选择第66-67页
    2.4.3 超高压TDTR信号第67-69页
  2.5 本章小结第69-70页
第3章 超高压TDTR实验数据处理方法第70-96页
  3.1 超高压TDTR测量中DAC内部传热模型第70-75页
    3.1.1 双向传热模型的建立第71-73页
    3.1.2 双向传热模型的验证第73-75页
  3.2 超高压工况自由参数处理分析第75-81页
  3.3 布里渊信号和回声信号分析第81-83页
    3.3.1 布里渊频率信号第81-82页
    3.3.2 回声信号第82-83页
  3.4 实验数据处理方法第83-95页
    3.4.1 两步拟合法第84-87页
    3.4.2 传热模型的简化第87-95页
  3.5 本章小结第95-96页
第4章 半导体材料热导率的压力依存性研究第96-128页
  4.1 超高压单晶Si热导率的压力依存性研究第96-113页
    4.1.1 超高压下单晶Si热导率的实验测量第96-99页
    4.1.2 实验误差分析第99-108页
    4.1.3 单晶Si热导率压力依存性计算分析第108-113页
  4.2 超高压GAAS热导率的压力依存性研究第113-125页
    4.2.1 超高压下GaAs晶格结构变化第114页
    4.2.2 超高压下GaAs热导率的实验测量第114-116页
    4.2.3 实验误差分析第116-119页
    4.2.4 GaAs热导率压力依存性计算分析第119-125页
  4.3 界面热导的压力依存性研究第125-126页
  4.4 本章小结第126-128页
第5章 结论与展望第128-131页
  5.1 本文研究结论第128-129页
  5.2 本文创新点第129页
  5.3 对未来工作的展望第129-131页
参考文献第131-140页
致谢第140-141页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第141-142页

本篇论文共142页,点击这进入下载页面
 
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超高压力 TDTR DAC 压力依存性 敏感度 界面热导
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