半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体研究

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半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体研究

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半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体研究

论文目录
摘要	第1-8页
ABSTRACT	第8-15页
第一章绪论	第15-39页
· 引言	第15-16页
· 石墨烯的结构与性质	第16-21页
· 石墨烯的晶体结构与能带结构	第16-18页
· 石墨烯的特性	第18-21页
· 石墨烯的制备方法	第21-26页
· 微机械剥离方法	第22页
· 化学剥离方法	第22-24页
· 高温退火α-SiC 单晶方法	第24-25页
· 化学气相沉积法	第25-26页
· 石墨烯的应用	第26-29页
· 电子学器件	第26-27页
· 光电材料	第27-28页
· 储能材料	第28-29页
· 碳化硅基稀磁半导体	第29-32页
· 论文选题	第32-34页
参考文献	第34-39页
第二章样品制备及同步辐射结构表征技术和设备	第39-57页
· 引言	第39页
· 分子束外延技术及设备	第39-52页
· 分子束外延的物理过程	第39-45页
· 固源分子束外延设备	第45-49页
· 高能电子衍射	第49-52页
· 同步辐射光电子能谱	第52-53页
· X 射线吸收精细结构谱	第53-55页
· 本章小结	第55-56页
参考文献	第56-57页
第三章 6H-SIC 单晶表面石墨烯的外延生长	第57-79页
· 引言	第57页
· 碳化硅的结构	第57-61页
· 在6H-SIC(0001)表面外延石墨烯的原位SRPES 研究	第61-68页
· 样品的制备和实验过程	第61页
· 实验结果和讨论	第61-67页
· 小结	第67-68页
· 退火时间对6H-SIC(0001)面外延的石墨烯结构与形貌的影响	第68-76页
· 样品制备过程	第68-69页
· 实验结果和讨论	第69-75页
· 小结	第75-76页
· 本章小结	第76-77页
参考文献	第77-79页
第四章 SI 基衬底上石墨烯薄膜的生长	第79-103页
· 引言	第79页
· SI(111)衬底上生长石墨烯薄膜	第79-86页
· 样品制备和实验过程	第79-80页
· 实验结果和讨论	第80-85页
· 小结	第85-86页
· 衬底温度对SI 衬底上生长石墨烯薄膜的影响	第86-93页
· 样品制备和实验过程	第86页
· 实验结果和讨论	第86-93页
· 小结	第93页
· 覆盖有氧化层的SI 衬底上石墨烯薄膜的制备	第93-98页
· 样品制备和实验过程	第93-94页
· 实验结果及讨论	第94-98页
· 小结	第98页
· 本章小结	第98-100页
参考文献	第100-103页
第五章蓝宝石衬底上石墨烯薄膜的制备	第103-117页
· 引言	第103页
· 蓝宝石的结构及性质	第103-105页
· 覆盖有SIC 薄膜的蓝宝石高温退火制备石墨烯	第105-110页
· 样品制备和实验过程	第105页
· 实验结果和讨论	第105-110页
· 小结	第110页
· 蓝宝石衬底直接沉积碳原子制备石墨烯薄膜	第110-115页
· 样品制备和实验过程	第111页
· 实验结果及讨论	第111-115页
· 小结	第115页
· 本章小结	第115-116页
参考文献	第116-117页
第六章 MN 掺杂SIC 稀磁半导体的制备及结构和磁性研究	第117-135页
· 引言	第117页
· 衬底温度对MN 掺杂SIC 薄膜的影响	第117-125页
· 样品的制备和实验过程	第117-118页
· 实验结果和讨论	第118-124页
· 小结	第124-125页
· 不同杂质浓度对MN 掺杂SIC 薄膜结构与磁性的影响	第125-133页
· 样品的制备和实验过程	第125页
· 实验结果和讨论	第125-132页
· 小结	第132-133页
· 本章小结	第133-134页
参考文献	第134-135页
硕博连读期间所发表的论文	第135-136页
致谢	第136-137页

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