论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-47页 |
| · 引言 | 第15-16页 |
| · 低维功能固体的电声结构与机敏特性的关系 | 第16-24页 |
| · 主要受到电子结构影响的机敏特性 | 第16-18页 |
| · 主要受到声子结构影响的机敏特性 | 第18-20页 |
| · 受到电声结构共同影响的机敏特性 | 第20-21页 |
| · 低维固体电声结构的特殊性 | 第21-24页 |
| · 低维功能固体的电子结构调制策略 | 第24-36页 |
| · 电子能带结构调控 | 第24-29页 |
| · 电子自旋行为调控 | 第29-36页 |
| · 低维功能固体的声子结构调制策略 | 第36-39页 |
| · 本论文的选题背景和研究内容 | 第39-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 第2章 金属元素掺杂实现新物相锐钛矿VTiO_4结构的自旋-声子耦合获得室温磁-介电响应 | 第47-63页 |
| · 引言 | 第47-48页 |
| · 实验部分 | 第48-50页 |
| · 材料制备 | 第48-49页 |
| · 表征手段和磁介电效应的测试方法 | 第49页 |
| · 理论计算细节 | 第49-50页 |
| · 分析与讨论 | 第50-57页 |
| · 新物相锐钛矿结构VTiO_4纳米晶的表征 | 第50-54页 |
| · 锐钛矿结构V_(0.4)Ti_(1.6)O_4和V_(0.2)Ti_(1.8)O_4纳米晶的表征 | 第54-57页 |
| · 锐钛矿结构VTiO_4纳米晶的介电性质研究 | 第57-59页 |
| · 变温介电测试 | 第57-58页 |
| · 介电损失测试 | 第58-59页 |
| · 锐钛矿结构VTiO_4纳米晶的磁介电耦合效应研究 | 第59-60页 |
| · 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第3章 氢修饰实现单斜相VO_2(M)结构的电声去耦合调控获得优化的热电性能 | 第63-81页 |
| · 引言 | 第63-64页 |
| · 实验部分 | 第64-66页 |
| · 材料制备 | 第64-65页 |
| · 表征手段和热电效应的测试方法 | 第65页 |
| · 理论计算细节 | 第65-66页 |
| · 分析与讨论 | 第66-71页 |
| · 氢化次铁钒矿相H_xVO_2结构的表征 | 第66页 |
| · 氢化VO_2结构的表征 | 第66-70页 |
| · 氢修饰对VO_2电子结构调制的理论计算分析 | 第70-71页 |
| · 氢化VO_2结构相转变性质的研究 | 第71-74页 |
| · 热学行为分析 | 第71-72页 |
| · 磁学行为分析 | 第72-73页 |
| · 电学行为分析 | 第73-74页 |
| · 氢化VO_2结构的热电性质研究 | 第74-76页 |
| · 塞贝克系数分析 | 第74-75页 |
| · 热导率分析 | 第75-76页 |
| · 热电优值分析 | 第76页 |
| · 本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第4章 维度控制增强二维ZrNCl结构的电声相互作用获得高效的紫外光热效应 | 第81-105页 |
| · 引言 | 第81-83页 |
| · 实验部分 | 第83-86页 |
| · 材料制备 | 第83-84页 |
| · 表征手段和光热效应的测试 | 第84-85页 |
| · 理论计算细节 | 第85-86页 |
| · 分析与讨论 | 第86-89页 |
| · 块材ZrNCl的表征 | 第86页 |
| · 二维ZrNCl纳米片的表征 | 第86-89页 |
| · 二维ZrNCl纳米片紫外光热效应的研究 | 第89-97页 |
| · 二维ZrNCl纳米片光热流的测量以及光热转换效率的计算 | 第90-92页 |
| · 热扩散对紫外光热效应的影响 | 第92-94页 |
| · 光稳定性实验 | 第94页 |
| · 对比实验 | 第94-96页 |
| · 光源的波长和强度对光热效应的影响 | 第94-95页 |
| · 其他宽带隙半导体材料的紫外光热效应 | 第95-96页 |
| · 热成像实验 | 第96页 |
| · 紫外光热效应在温差发电中的应用 | 第96-97页 |
| · 二维ZrNCl纳米片中紫外光热效应的机理研究 | 第97-101页 |
| · 紫外拉曼结果的分析与讨论 | 第97-99页 |
| · 缺陷的表征及探究 | 第99-101页 |
| · 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第5章 缺陷调控二维ZrNCl纳米片的电子结构获得提升的光电催化反应性能 | 第105-119页 |
| · 引言 | 第105-107页 |
| · 实验部分 | 第107-108页 |
| · 材料制备 | 第107-108页 |
| · 表征手段和光电催化的测试 | 第108页 |
| · 分析与讨论 | 第108-113页 |
| · 块材的表征 | 第108-109页 |
| · 氯缺陷对ZrNCl电学行为的调制作用 | 第109-111页 |
| · 氯缺陷的表征 | 第109-110页 |
| · 氯缺陷对ZrNCl电学行为的影响 | 第110-111页 |
| · 二维Vac-ZrNCl_x纳米片结构的表征 | 第111-112页 |
| · 氯缺陷对ZrNCl纳米片电学和光学行为的影响 | 第112-113页 |
| · 氯缺陷二维ZrNCl纳米片的光电催化性能的研究 | 第113-115页 |
| · 本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-119页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文与所获奖项 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
